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1MC145151在调频广播发射机中的应用MC145151是大规模锁相环顾率合成集成电路。它含有参考振荡器,参考分频器,鉴相器和可变分频器等部件,在外围电路加上环路滤波器和VCO,就可以构成一个完整的频率合成器。该器件功耗低,分频范围较宽,能够产生稳定度和准确度相当高的大量离故频率信号,有直接的频率选择功能。结构简单,体积小所以可以在调频广播发射机,电视发射机及其它通迅设备中推广使用。MC145151共有28条腿。内设电路有除N计数器,基准分频器,鉴相器等功能。引脚功能:(1)fin(1脚)由Vco31入输入到合成器的、N计数器。… 相似文献
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我们对用GSMBE技术生长的In0.63Ga0.37As/InP压应变单单量子阱样品进行了变温光致发光研究,In0.63Ga0.37As阱宽为1nm到11nm,温度变化范围为10K到300K,发现不同阱宽的压变变量子 激子跃迁能量随温度的变化关系与体In0.53Ga0.47As材料相似,温度系数与阱宽无关,对1nm的阱,我们观察到其光致发光谱峰为双峰,经分析表明,双峰结构由量了阱界面起伏一个分子单 相似文献
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GSMBE外延生长GeSi/Sip-n异质结二极管 总被引:1,自引:1,他引:1
用气态源分子束外延(GSMBE)法生长了掺杂GexSi1-x/Si合金并试制了p-n异质结二极管,X射线双晶衍射和二极管I-V特性表明,GexSi1-x/Si合金的完整性与异质结界面的失配位错是影响异质结二极管反向漏电的主要原因.通过控制GexSi1-x/Si合金的组分及厚度,我们获得了较高质量的GexSi1-x/Sip-n异质结二极管材料,其反向电压为-5V时,反向漏电流密度为6.1μA/cm2. 相似文献
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针对铷原予能级跃迁对光谱的特殊需求,设计并制备了795 nm单模垂直腔面发射激光器(VCSEL).根据对VCSEL的光场和模式的分析和计算结果,设计了单模VCSEL芯片结构.采用MOCVD技术生长了外延结构,制备了不同有源区直径的氧化限制型VCSEL芯片并进行了测试.当有源区直径从6 μm减小到3μm时,VCSEL芯片的边模抑制比(SMSR)由8.76 dB增加到34.05 dB,阈值电流由0.77 mA减小到0.35 mA.有源区直径为6,5,4和3μm的VCSEL芯片的输出功率分别为0.37,0.46,0.58和0.44 mW,有源区直径为4μm的VCSEL芯片的远场为圆形光束,发散角为15°.85℃时3.5 μm有源区直径的VCSEL芯片输出功率为0.125 mW,激射波长为795.3 nm.室温3 dB带宽大于8 GHz,满足了铷原子传感器对VCSEL单模光谱、输出功率及调制速率的要求. 相似文献
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采用共沉淀-浸渍法制备了系列硫酸负载催化剂Pt/SO_(4)^(2-)-(ZrO_(2)-Al_(2)O_(3)),利用X射线衍射仪、物理吸附仪、红外光谱仪等对其进行了表征,并在固定床微型反应装置上对其催化异丁烷正构化反应性能进行了评价。结果表明:硫酸单层分散于载体表面,硫酸负载不利于四方晶相ZrO_(2)长大;随着硫酸负载量的增加,催化剂介孔结构的有序性增强且孔径减小,孔径最小降为3.41 nm,孔容可提高至0.091 cm^(3)/g,比表面积增至100 m^(2)/g以上;在反应温度为250℃的条件下,硫酸负载量为15%时,异丁烷转化率高达41.74%;硫酸负载量为2%时,正丁烷选择性最高为93.91%。 相似文献
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和照 《广播电视网络技术》2010,(11):90-93
在所有拍摄附件中三角架应该是最重要的一个了,无论是摄影还是摄像都少不了它。用三脚架可以拍到稳定平滑的画面,这是手持拍摄难以达到的,另一方面,作为观者我们往往会把手持拍摄的有些抖动的镜头看成是主观镜头,而使用三脚架稳定拍摄的镜头看成是客观镜头。可见三脚架的作用是非常大的。 相似文献
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