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根据化学平衡原理和反应动力学理论,建立了SnO_2表面势垒的温度分区模型。描述了温度变化后,氧在SnO_2表面吸附状态的转化,得到了与实验相吻合的表面势垒与温度、氧分压的关系。从准异质结的概念出发,讨论了表面费米能级钉扎现象。 相似文献
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对旋徐法制备的SnO_2薄膜进行了XRD、AES研究。结果表明,450℃处理样品已具有短程序,而600℃样品则具有明显的金红石结构特征,SnO_2具有较高的表面氧吸附,高温处理会使氧吸附量降低。表面附近晶格氧含量比体内低,形成了非匀质层。 相似文献
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本文报道了Al/LB聚酰亚胺膜/P-Si(100)MIS结构的C一V特性研究结果.67层LB膜样品C-V特性近乎理想,具有负的固定电荷密度约1011cm-2量级,平带时滞后小于0.3V对于MIS隧道结,除了在-0.5—-1.5V间具有反型层箝位产生的电容峰外,在-1.5—-4V间还出现了另一电容峰值.假设在强电场下隧穿能力剧增,从而结构由隧穿限制区重新进入半导体限制区,可以解释这一峰值的出现,考虑到少子注入引入的扩散电容,正、反向扫描时电容峰值的差别可以得到解释 相似文献