三元气敏阵列和有机溶剂识别

本文用SnO2气敏元件构造了三元阵列,使用k-最近邻和加权k-最近邻两种分类器。结果表明,前一分类器对乙醇和汽油的识别率分别为40％和90％,后一类分类器则分别为70％和90％。模式识别是改善气敏元件选择性的有效途径。     

SnO_2表面势垒与温度、氧分压的关系

根据化学平衡原理和反应动力学理论,建立了SnO_2表面势垒的温度分区模型。描述了温度变化后,氧在SnO_2表面吸附状态的转化,得到了与实验相吻合的表面势垒与温度、氧分压的关系。从准异质结的概念出发,讨论了表面费米能级钉扎现象。     

旋涂法制备SnO2薄膜的XRD,AES研究

对旋徐法制备的ＳｎＯ＿２薄膜进行了ＸＲＤ、ＡＥＳ研究。结果表明，４５０℃处理样品已具有短程序，而６００℃样品则具有明显的金红石结构特征，ＳｎＯ＿２具有较高的表面氧吸附，高温处理会使氧吸附量降低。表面附近晶格氧含量比体内低，形成了非匀质层。     

氧分压影响SnO_2气敏传感器响应的机理

本文报道了一种SnO_2气敏传感器敏感机理的新模型。SnO_2晶粒表面势垒由3个过程控制:(1)氧吸附(作电子受主)和脱附,(2)还原性气体吸附(作电子施主)和脱附,(3)表面氧化还原反应。据此可以很好地解释实验中发现的氧分压对气敏传感器响应的影响。     

Ta2O5薄膜的离子敏感特性

用磁控溅射法制备了Ｔａ２Ｏ５薄膜，再用Ｃ－Ｖ法和ＪＦＥＴ外接薄膜电极法研究其稳定性和离子响应灵敏度。实验发现，在纯氧中沉积的厚２００ｎｍＴ２Ｏ５薄膜有较高的离子响应灵敏度，实验发现，在纯氧中沉积的厚２００ｎｍＴ２Ｏ５薄膜有较高的离子响应灵敏度和良好的稳定性。     

MOD－SnO_2酒敏元件研制

采用金属有机物热分解（ＭＯＤ）法制备了ＳｎＯ_２酒敏元件，ＸＲＤ和ＡＥＳ谱表明热处理后己酸亚锡已转化为ＳｎＯ_２。此外还证实ＳｎＯ_２元件的内电势是加热丝偏位引起的热电势。元件的主要技术指标为：灵敏度＞８，选择性＞６，响应时间＜５ｓ，恢复时间＜３０ｓ。     

聚酰亚胺LB膜MIS结构C－V特性

本文报道了Ａｌ／ＬＢ聚酰亚胺膜／Ｐ－Ｓｉ（１００）ＭＩＳ结构的Ｃ一Ｖ特性研究结果．６７层ＬＢ膜样品Ｃ－Ｖ特性近乎理想，具有负的固定电荷密度约１０１１ｃｍ－２量级，平带时滞后小于０．３Ｖ对于ＭＩＳ隧道结，除了在－０．５—－１．５Ｖ间具有反型层箝位产生的电容峰外，在－１．５—－４Ｖ间还出现了另一电容峰值．假设在强电场下隧穿能力剧增，从而结构由隧穿限制区重新进入半导体限制区，可以解释这一峰值的出现，考虑到少子注入引入的扩散电容，正、反向扫描时电容峰值的差别可以得到解释