射频MEMS压控电容器

研究了射频 MEMS压控电容器的设计和制造工艺。压控电容器的制作采用了 MEMS制造技术 ,其主要结构为硅衬底上制作金属传输线电极和介质层 ,然后制作金属膜桥作为电容器的另一个电极。通过改变加在金属膜桥与传输线间的电压达到改变电容值的目的。这种压控电容器可以工作于射频和微波波段 ,具有很高的Q值。测试结果如下 :在 1 GHz、0 V时 Q值达到 3 0 0 ,0偏压电容值为 0 .2 1 p F,当加上驱动电压后 Cmax/ Cmin的变比约为 4∶ 1     

电子封装用金属基复合材料的制备

分析了电子封装用金属基复合材料的性能特点及其对制备工艺的要求，在此基础上论述了该种材料的各种制备工艺的特点及发展现状。     

激光直接成像技术(Ⅵ)

6激光投影成像(LPI) 激光投影成像(LPI=Laser ProjectionImaging)系统是新近开发的一种新技术,它利用光学投影原理来成像.具有量产成像和高分辨率的特点,但仍离不开照像底片(版)的应用,消除不了底片尺寸稳定性方面带来的问题.目前其供应商和使用者很少.     

脉冲功率器件直流和动态热特性探测

介绍了针对影响微波脉冲功率器件可靠性的热性能问题，应用红外热分析技术。对比探测微波脉冲功率器件在动态和直流状态下的温度分布，峰值结温，热阻及其变化规律。     

2～12GHz GaAs单片行波放大器

报道了一个全平面超宽带ＧａＡｓ单片行波放大器的研究结果。该单片电路的核心部件是四个３００μｍ栅宽的ＭＥＳＦＥＴ，整个电路拓扑结构简单，芯片面积为３．０ｍｍ×１．８ｍｍ。电路经优化设计后在２～１２ＧＨｚ范围内，小信号增益为５±１ｄＢ，输入输出电压驻波比≤１．７５。上述频率范围内输出功率≥１６ｄＢｍ，噪声系数≤８ｄＢ。采用全离子注入、全平面工艺，均匀性、一致性良好。实验结果与设计预计值十分一致。     

稀土在搪瓷面釉上应用的研究

采用稀土氧化物和无机化合物的复合物（不简称ＲＩ－复合物）作为搪瓷釉浆悬浮剂，使之全部或大部分代替粘土，进行了一系列试验，已获得成功，突破了长期来搪瓷工业离不开粘土的传统工艺，并实现了工业化生产。     

高压开关静触头座成形工艺

介绍了采用冲压－旋压复合工艺成形静触头座的过程。其中包括：变薄旋压成形薄壁筒体，扩口翻边成形法兰，普旋方式成形异形管口等。对主要工艺参数如主轴转速、进给率、旋轮形状、道次变形率、模板形工等作了简要介绍。该成形工艺对同类异形回转体有一定参考意义。     

硼酸使掺铁铝酸锂发光增强的现象

在硼酸存在下合成了掺铁铝酸锂荧光体,研究了在不同温度下硼酸加入量对荧光体发光强度的影响,并通过X射线粉末衍射和粒度分析,初步探讨了发光增加的原因。     

三峡永久船闸结构缝渗漏处理技术

在三峡永久船闸结构缝处理过程中，认真分析了结构缝渗漏的原因，通过止水检查槽进行压水检查，确定了渗漏部位。结合渗漏具体情况，采取了结构缝表面嵌填止水材料和廊道周边止水检查槽灌浆相结合的处理方法。在实施过程中，采用了多种新材料和新工艺，取得了良好的效果。     

安捷伦半导体单飞Avago独闯一片天

"安捷伦半导体要被并购了!"耳语多时后,这个风声终于在2005年的最后一个月尘埃落定,正式向大众揭开它神秘的面纱--Kohlberg Kravis Roberts&Co.(KKR)和Silver Lake Partners两家资产管理公司,于2005年8月15日宣布以26.6亿美元的天价收购安捷伦科技半导体产品事业部,并于2005年12月1日正式完成相关作业,新公司命名为--Avago Technologie(安华高科技,发音为a-va'-go),成为全球最大的非上市独立半导体公司,由华人总裁暨首席执行官Dick Chang为首领军.