首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   7785篇
  免费   372篇
  国内免费   221篇
电工技术   527篇
综合类   531篇
化学工业   1106篇
金属工艺   376篇
机械仪表   415篇
建筑科学   762篇
矿业工程   299篇
能源动力   129篇
轻工业   1156篇
水利工程   323篇
石油天然气   294篇
武器工业   115篇
无线电   574篇
一般工业技术   548篇
冶金工业   333篇
原子能技术   37篇
自动化技术   853篇
  2024年   45篇
  2023年   190篇
  2022年   207篇
  2021年   208篇
  2020年   198篇
  2019年   269篇
  2018年   231篇
  2017年   122篇
  2016年   138篇
  2015年   207篇
  2014年   465篇
  2013年   377篇
  2012年   424篇
  2011年   484篇
  2010年   464篇
  2009年   423篇
  2008年   364篇
  2007年   376篇
  2006年   339篇
  2005年   341篇
  2004年   309篇
  2003年   256篇
  2002年   280篇
  2001年   229篇
  2000年   242篇
  1999年   196篇
  1998年   165篇
  1997年   139篇
  1996年   93篇
  1995年   84篇
  1994年   82篇
  1993年   69篇
  1992年   59篇
  1991年   60篇
  1990年   44篇
  1989年   34篇
  1988年   31篇
  1987年   27篇
  1986年   21篇
  1985年   16篇
  1984年   16篇
  1983年   14篇
  1982年   11篇
  1981年   12篇
  1980年   5篇
  1979年   2篇
  1966年   2篇
  1964年   1篇
  1958年   1篇
  1957年   2篇
排序方式: 共有8378条查询结果,搜索用时 15 毫秒
91.
Indium doped Zn O films were grown on quartz glass substrates by radio frequency magnetron sputtering from powder targets. Indium content in the targets varied from 1at% to 9at%. In doping on the structure, optical and electrical properties of Zn O thin films were studied. X-ray diffraction shows that all the films are hexagonal wurtzite with c-axis perpendicular to the substrates. There is a positive strain in the films and it increases with indium content. All the films show a high transmittance of 86% in the visible light region. Undoped Zn O thin film exhibits a high transmittance in the near infrared region. The transmittance of indium doped Zn O thin films decreases sharply in the near infrared region, and a cut-off wavelength can be found. The lowest resistivity of 4.3×10~(-4) Ω·cm and the highest carrier concentration of 1.86×10~(21) cm~(-3) can be obtained from Zn O thin films with an indium content of 5at% in the target.  相似文献   
92.
为了有效地解决在大地电磁反演过程中出现的不适定性、解的不稳定性和非唯一性等问题,提出了基于非负最小二乘法的MT正则化反演算法,该算法的思想是通过引入正则化思想,模型约束目标函数被采用最光滑模型约束正则化矩阵,有效地改善了不适定问题得到有效改善。为了避免常规方法需要对电阻率取对数的情况,引入了快速非负最小二乘法(这里把反演参数设为电阻率,因而必须为正值),从而简化了反演过程中偏导数矩阵的计算。最后试算不同的地电模型,得到稳定的反演结果,表明了此反演算法是有效的。  相似文献   
93.
基于DSP的开关电源系统优化设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
针对开关电源系统中普遍存在损耗高、谐波含量大、体积大等问题,提出一种基于DSP控制的低损耗、低谐波、高功率因数开关电源优化设计系统。系统采用基于DSP生成的PWM波控制开关通断,主电路采用移相全桥零电压软开关技术,由改进的EMI滤波电路进行滤波,并应用平均电流控制方法控制Boost-PFC。整个设计对EMI滤波、功率因数校正、零电压开关等电路进行优化,通过仿真和实验结果表明,该设计具有损耗低、谐波含量低、体积小且输出电压稳定、控制电路简单、变压器制作难度得以简化、可靠性高等优点。  相似文献   
94.
我国现代职业服设计大量运用到了传统吉祥图案,其色彩应用也深受传统文化的熏陶和新时代流行文化的影响.以徽文化吉祥图案的应用为例,现代职业服中的图案色彩往往冷色调和暖色调并存,这能够明显地体现徽州地区的服装审美,即色彩应用的地域性特征;现代职业服设计采用了自然色和寓意色的手法展现吉祥图案中的美好祈愿,即色彩应用的象征性特征;在我国的现代职业服中设计师还不断结合国内外最新服装设计趋势对吉祥图案的色彩进行再创造,即色彩应用的创新性特征.设计师只有通过在吉祥图案的色彩应用方面将三大特征进一步开拓改进,才能使得我国现代职业服设计走上更高的台阶.  相似文献   
95.
对空间和时间坐标分别采用三次B样条有限法和Crank-Nicolson差分法求得非线性BBMB方程的数值解,应用Von-Neumann稳定性理论证明了此方法的无条件稳定性,并且通过两个例子验证了该方法的有效性与可行性.  相似文献   
96.
压铸机动模板在合模状态下的变形程度对所加工零件的精度具有重要影响,针对这一问题,利用有限元分析手段对30000kN压铸机动模板极限载荷下的力学行为进行了分析,比较了不同设计方案的位移场以及应力场等计算结果。在依据计算结果对设计方案进行分析的基础上,对相应的加工制造提出了一定的意见和建议。分析结果表明,减重孔对动模板刚度具有一定影响.目前的设计方案中传力铰耳承载面积偏小,存在设计缺陷。  相似文献   
97.
利用雾化法制取了(Fe、Ni、Cr、W、M0)_(80)(B、Si、C)_(20)金属玻璃粉末,借助于X射线衍射、差热分析、扫描电镜和金相显微镜观察,对该非晶粉末的结构弛豫、径向分布函数、晶化及相转变过程进行了分析。发现该粉末具有较高的热稳定性,其相变过程可分为几个阶段。用热等静压技术将这种自熔合金粉末固化成具有微晶结构的样品,并测试了若干性能。  相似文献   
98.
随着塑性成形技术向着"极端"方向发展,塑性微成形方法的研究成为学术界和工业界中的前沿领域之一,Bi系高温超导带材作为目前唯一的一种已实现工业化生产的超导材料,它的加工过程就是典型的多芯多场塑性微成形过程;文章从实验和计算方面介绍该塑性微成形的特征,涉及超导粉体材料的本构行为、拉拔和轧制的加工过程,并对Bi系高温超导带材中的塑性微成形的研究现状进行评述.  相似文献   
99.
研究了钇含量对Fe-20Cr-4Al-(0—0.73wt-%)钇合金室温力学性质的影响。结果表明,随钇含量增高,拉伸试样的均匀变形能力略微降低,断裂强度和预缩后的变形量显著下降。这些变化与合金中脆性含钇相对变形和断裂过程的影响有关。控制冶金工艺能改变含钇相的形态。  相似文献   
100.
采用自制的Al-Ti-C中间合金晶粒细化剂,检验其对工业纯铝的细化效果,并通过光学显微镜(OM)、扫描电镜(SEM)和能谱分析(EDS)等手段研究了不同中间合金组织对工业纯铝的细化性能的影响.结果表明,Al-Ti-C细化剂合金组织由α-Al基体,针状或块状TiAl3相及TiC粒子团组成;Al-Ti-C具有优异的细化α-Al晶粒的性能,添加0.2%的Al-Ti-C后工业纯铝开始获得明显的细化效果;Ti/C比对Al-Ti-C组织有重要影响,在纯铝中添加不同组织的Al-Ti-C产生不同的细化效果,其中块状TiAl3的细化性能优于针状TiAl3;在其它工艺条件不变的前提下,选用Ti/C比为8,添加量为0.4%的中间合金,性价比较为理想.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号