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731.
采用冷心放肩微量提拉法(SAPMAC)生长了目前国内最大的氧化铝单晶体(¢ 225mm×205mm,重27.5kg)。测试了大晶坯不同部位样品的真空紫外吸收光谱(140nm~380nm)及荧光光谱。结果表明,晶体各部位样品都存在波长为163nm,178nm及230nm左右的吸收峰位;而且边缘部位样品的吸收系数更大。荧光光谱图上主要存在320nm左右的紫外荧光带和420nm附近的蓝色荧光带。进一步的研究证实了吸收色心起源于氧空位与Ti^4+复合存在以及Mn针、Cr^3+等杂质离子的电荷转移过程。计算了不同类型的色心浓度。最后提出了减小色心浓度、提高晶体光学性能的一些工艺措施。 相似文献
732.
本文介绍了采用光电传感器检测TIG焊缝熔透状况。通过单片机对脉冲焊接电流峰值及基值宽度的调节,控制圆筒形管环焊缝熔深的原理及方法。提出了一种简单实用的熔透控制系统。 相似文献
733.
单靶磁控溅射Cu1-xCrx(x=1.19~2.37)薄膜的制备 总被引:1,自引:1,他引:1
利用简易合金靶材在Si(100)基底上单靶磁控溅射制备Cu1-xCrx(x=1.19~2.37,摩尔分数,%)薄膜。研究不同名义成分的合金靶材得到的溅射态薄膜的成分、电学性能、组织结构及表面状态。研究结果表明:利用简易合金靶材制备的Cu1-xCrx薄膜成分可控。Cr的加入增强了溅射态薄膜的(111)织构,且随着薄膜厚度的增加,(111)织构增强;855nm厚的Cu-2.37%Cr薄膜的(111)与(200)的峰强比高达8.48;合金元素Cr显著影响溅射态薄膜的表面状态(平整性和致密度)和电阻率;随着Cr含量的增加,前者呈现先升高后下降的趋势,而薄膜电阻增加;Cu-2.18%Cr薄膜由于应力增加局部产生微裂纹,薄膜连续性下降。并从薄膜生长动力学以及自由能的角度对上述结果进行了初步的阐述。 相似文献
734.
735.
介绍了青草沙水库拦污栅引桥的结构、造型设计,对比了"弯桥弯做"和"弯桥直做"的特点,论述了"弯桥直做"在本项目中的应用情况和设计要点。 相似文献
736.
WCDMA网络建设已经开始,Iur接口的设置是网络建设与维护需要关注的问题。文章着重分析了目前常见的几种Iur接口组织方式,讨论了各自的优缺点,并给出了Iur接口实施的建议。 相似文献
737.
弧形闸门是水利水电工程使用较多的门型之一,它具有所需闸墩的高度和厚度较小、没有影响水流流态的门槽、启闭力小、操作方便、埋件少等优点,因而得到广泛的应用. 相似文献
738.
739.
过去30多年,是微软定义了“软件”的概念,尤其是作为一种商业形态的软件。在微软界定的软件概念之下,几乎所有向微软发起挑战的软件,都毫无例外地折戟沉沙或无功而返。尽管面临着一次又一次的垄断指控和可怕的惩罚,微软迄今仍牢牢地把持着软件商业帝国的主导权。 相似文献
740.
对长水平段水平井钻井技术的几点认识 总被引:1,自引:0,他引:1
为进一步明晰长水平段水平井与大位移井及常规水平井的差异,探讨相关钻井技术发展思路,进行了长水平段水平井技术特性分析。经分析、对比,认为三者之间的主要区别为:长水平段水平井重点解决的摩阻扭矩问题在常规水平井中不突出;其主要技术目标和形态特征是“相对较长”的水平段,但很多情况下不属于大位移井定义的范畴;相关钻井技术主要关注井斜角为86°以上“长”井段的作业能力,有别于大位移井以水平位移为目标的钻井完井能力。基于上述认识,提出了可表征长水平段水平井形态特征的初步定义,并从完善钻井设计基础理论、创新长水平段提速工艺和经济钻进模式等方面给出了详细建议。 相似文献