小流量标定装置——泡膜流量计

本文介绍了一种自动计时的泡膜流量计(一般习惯叫"皂膜流量计"),最小流量几乎不受限制,测量精度可达0.3%,结构也很简单,对于气体流量仪表的标定是十分合宜的。     

顶底吹转炉钢氧位和操作条件的关系

本文就顶底吹转炉吹炼过程中(％TFe),即钢液氧位和操作条件之间关系进行定量的论述。 1.实验方法测定熔池混合时间所用的水力学模型装置如图1所示,模型内径500mm,炉底风嘴布置选用了13种方案,见图2,顶吹用的是出口张角12°四孔喷头,熔池深125mm,熔池体积22.21,顶部气体流量40.5Nm~3/h,3ml标准KCl水溶液作示踪剂,熔池混合时间测定用的是电导法;实际转炉的冶金特性是根据拉碳时取样分析钢渣成分进行评价的。     

硫酸系统的强化

现代的硫酸转化器直径已达15米,高达30米,因此,依靠扩大转化器的尺寸来进一步提高生产能力已不适宜。采用低温(T<420℃)活性催化剂来强化现有硫酸系统是提高单位生产能力的途径之一。 强化硫酸系统可以从三方面来进行:1.提高单位体积催化剂的气体处理量;2.提高原料气中二氧化硫的浓度;3.提高总转化率。     

日本机械学会液压工程研究会SR7液压元件数学模型小组委员会报道

前言该小组委员会由10名委员组成,其中大学3名、企业7名。从1976年1月到1977年8月,每三个月召开两次会议,共开了十次。首先第一步,讨论了在小组委员会上应提出什么课题。可以认为液压元件的数学模型是(1)分析单个液压元件的性能以及计划提高液     

CCD摄象器件—转移过程

光照射到CCD摄象器件的光敏面上将产生电子——空穴对,其中的少数载流子被时钟脉冲产生的势阱取样,然后聚集起来形成信号电荷包,进而在时钟脉冲驱动下由移位寄存器转移到输出端而取出。本文讨论信号电荷在CCD中的转移过程。在三相CCD中,信号电荷包存储在其中     

制作高集成度动态RAM的各种单管单元结构的综合比较

大容量MOS动态RAM的进展显著。促进这种进展的基本技术之一是单管单元。存储单元的设计左右着存储器芯片的整个设计。根据字线和数据线(位线)的结构,可以将在16K位阶段中已成为主流的单管单元分为几种。作者通过综合性的评价,主张对高集成度动态RAM采用低阻材料的字线形成的折叠式数据线最为合适。 集成度一但从256K位提高到1M位以上,信号电荷量的减少就成为问题。为了改善这一点,作为单管单元介绍堆积型和开槽型结构。也要涉及到最近的CMOS化的倾向。作者认为,最重要的是成本,目前尚未见到能取代单管单元的实用单元。     

KM薄膜

KM薄膜是日本三井石油化学工业公司以高密度聚乙烯为原料制造、销售的交叉复合薄膜的商品名。近年来,在包装行业由于技术和装备的改进,使包装材料对内容物的保护性,合理的经济性得到提高。为了达到此目的,采用本公司独创的技术开发了KM薄膜,主要是作为萤包装用薄膜。此膜具有薄型、韧性优的特点,可以称为省资源型的功能薄膜。下面主要对KM薄膜的特性和用途作一     

自动装配动力学(八)——滚落的力学

工学和工业的「工」字,包括创造和制造的意思,确实,在工学中,是应用了以理学为首的各种科学成果。但不是说工学比理学低一等。分析也是重要的,但在工学中,应当是为了综合而分析,与创造相结合,才开始从理学分出来成为独立的工学。定向动力学的第三个题目是滚落的问题。下面就从工件沿斜面滚落这样简单的问题谈起。     

压力容器膨胀节的疲劳强度

一、绪言图1所示的膨胀节在压力容器和管路中是经常见到的。作者曾在以前的论文中,对处于内压和轴向载荷下的膨胀节的弹性分析做过论述。由于膨胀节常常是处在反复载荷的