太阳能硅制备过程湿法提纯SiO2的工艺优化

考察了HF质量分数、H2C2O4质量分数、HNO3质量分数、酸浸时间、粒径、液体质量与固体质量的比值(简称液固比,下同)等因素对混酸法提纯SiO2工艺过程的影响,利用电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES)、场发射扫描电子显微镜(SEM)进行表征。结果表明,最佳工艺条件为:w(HF)=2%、w(H2C2O4)=3%、w(HNO3)=30%、酸浸时间4 h、粒径100～120目、液固比4∶1、酸浸温度30℃。Fe、Al、Ca、P杂质的去除率分别达到99.99%、14.02%、73.27%、60.00%,经混酸法处理后SiO2中杂质总量的质量分数降至1.465×10-4。     

真空连续蒸发硫化钠溶液的工业化研究——真空连续蒸发在硫化钠生产浓缩工序中的应用

通过32m^2强制循环真空连续蒸发器的工业化实验,确定蒸发器的几何特性尺寸,证实该类蒸发器可应用于硫化碱生产的浓缩工序。工况下,碳钢不腐蚀。提出了系统真空度、加热温度、物料浓度等工艺操作条件,为我国硫化碱浓缩工序的改造提供了数据。     

湿法冶金去除太阳能级硅中硼的研究

湿法提纯作为冶金法制备太阳能级硅的前处理工序,可以去除大部分金属和硼杂质。研究了以氢氟酸-硫酸混合酸为浸出剂,有机溶剂甲醇作为后处理剂,去除硅粉中硼杂质的方法。采用电感耦合等离子体发射光谱仪（ICP）等对产品进行表征。酸浸过程优化工艺条件：硫酸质量分数为55%,氢氟酸质量分数为7%,酸浸温度为70 ℃、酸浸时间为4 h、液固质量比为8∶1。酸浸后可使硅粉中的硼杂质质量分数由6.893×10^-6降至3.867×10^-6,去除率为41.9%。在酸浸基础上采用有机溶剂甲醇作为后处理剂,杂质硼质量分数降至3.84×10^-6,去除率为44.29%。从硼酸浸后形成的产物入手探索提高硼去除率的方法,实验验证了该方法的可行性,为研究湿法冶金预处理太阳能级硅提供了新的参考。     

微生物油脂中花生四烯酸的甲酯化工艺

以微生物油脂为原料,对其中花生四烯酸的甲酯化方法进行筛选和优化。在确定合适的花生四烯酸甲酯化方法基础上,考察酯化温度、酯化时间、催化剂体积分数及搅拌转速对花生四烯酸酯化效果的影响。结果表明:酯化温度80℃、酯化时间8h、浓硫酸体积分数2.0%、转速400r/min时,花生四烯酸甲酯质量分数达到37.75%,产率达到91.54%。甲酯化后的花生四烯酸沸点较低,适用于分子蒸馏。     

湿法提纯制备太阳能级硅过程的研究

采用盐酸和氢氟酸两步法湿法提纯制备太阳能级多晶硅,当工艺条件为w(HCl)=8%,w(HF)=6%,可使铁中杂质质量分数降到26×10-6,去除率达到99.1%;铝中杂质质量分数降低到60×10-6,去除率为82.3%。分析和讨论了酸浸过程中硅晶体的形貌和结构的变化。FESEM图像表明杂质在硅的表面呈现集中链状分布,晶粒沿着高应力和缺陷区直线式分裂;XRD数据显示,在反应过程中,杂质的析出对硅晶格结构的影响有限,晶格因温度增加、应力不平衡等因素反而呈现膨胀的趋势。研究和分析湿法冶金中硅晶体结构和形貌的变化,对于了解酸浸过程反应机理,提高湿法提纯的除杂效率,优化太阳能级硅生产工艺具有重要意义。     

二氧化硅消光剂生产中正丁醇回收工艺的改进

针对福建某工厂现有工艺生产二氧化硅消光剂过程,采用间歇蒸馏方式回收正丁醇存在时间长、效率低等问题,提出使用双塔精馏工艺进行改进以缩短正丁醇回收时间和提高回收效率。对改进后的工艺使用流程模拟软件进行模拟计算,获得了新的工艺条件参数。改进后,冷凝分层温度为85℃,精馏塔一塔釜液中正丁醇质量分数为99.62%,精馏塔二塔釜中正丁醇质量分数为0.31%。在此基础上搭建了实验室规模精馏装置并进行了验证试验,试验结果与模拟计算值接近,相对平均偏差为5.4%,表明模拟计算的结果可信。模拟计算结果为工业装置的优化提供了依据。改进后,正丁醇回收率将大幅提高,生产周期由原来的10 h缩短为5 h,能耗显著降低。采用此工艺生产二氧化硅消光剂可大幅降低过程成本。     

柔性印制线路板厂废水处理技术工程实践

介绍了厦门某电子科技有限公司废水处理工程实例.针对该线路板厂废水来源的不同,依据分类收集、先预处理再综合处理的原则对废水进行合理的细化分类,对不同的水质进行不同的物化处理.工程试车结果表明,采用本工艺路线处理后的柔性印制电路板废水出水水质达到或优于GB 8978-1996一级排放标准.