一种1GHz多频带压控振荡器的设计

基于3.3V 0.35μm TSMC 2P4M CMOS体硅工艺,设计了一款1GHz多频带数模混合压控振荡器.采用环形振荡器加上数模转换器结构,控制流入压控振荡器的电流来调节压控振荡器的频率而实现频带切换.仿真结果表明,在1V～2V的电压调节范围内,压控振荡器输出频率范围为823.3MHz～1.061GHz,且压控振荡器的增益仅有36.6MHz/V,振荡频率为1.0612GHz时,频率偏差1MHz处的相位噪声为-96.35dBc/Hz,在获得较大频率调节范围的同时也能保持很低的增益,从而提高了压控振荡器的噪声性能.     

国内3G网络共享问题之研究

随着国内3G时代的来临，3G网络共享问题越来越受到人们的关注。本文结合国内移动通信的现状，着重分析了3G网络共享的模式及经济效益，论述了3G网络共享的相应策略。     

钡钨阴极表面的光电子谱研究

用XPS,APES和ARPES分析技术综合探测了钡钨阴极(包括铝酸盐、钨酸盐和钪酸盐阴极)的表面化学,获得了一些新的结果。实验表明:阴极表面光电子谱峰的形貌特征与阴极的激活状态呈对应的关系;激活后钡钨阴极表面的钨是单一金属态,钡呈现氧化态。     

包头新闻准直播系统

电视节目制作涉及设备繁多，但多数设备指标较高，唯有录像机是整个系统的瓶颈。，制作中最忌讳的莫过于放录像之间的多版复制，即多次的编、解码。理论证明，经一次编、解码，仅以3dB带宽为主1．3M的色度信号为例，清晰度下降为0．92M，而经过8个编解码对后，其带宽只有0．46M了，见图1。这样大幅度的指标变劣，广播系统是不能容忍的。为尽量减少编、解码次数，我们必须充分挖掘制作流程潜力。然而，我台原有新闻制作程序多年来一直延续原始制作节目的流程。即：外采、录音、编辑、加字幕、做特技、串编直至播出。不难看出，这里进行了4…     

ArF准分子激光器的窄线宽可调谐运转及注入放大

在一台快放电泵浦的ＡｒＦ准分子激光振荡放大系统的振荡级上采用光栅、扩束镜、光阑等腔内元件，用组合输出镜获得了线宽小于０．１ｎｍ，调谐范围～１ｎｍ的激光输出。注入到非稳腔结构的放大级，注入后放大级效率提高了约５０％，获得了平均３０ｍＪ／脉冲的高光束质量的窄线宽可调谐激光，最大单脉冲能量＞５０ｍＪ，并进行了氧气的吸收光谱实验。     

HP公司推出E1测试解决方案

惠普科技日前宣布将T1系列电信测试解决方案延伸到E1网络,并依据ETSI标准和规格为全球的网络业者提供简化的测试,从而形成新系列E1测试解决方案。 HP CERJAC电信工厂的总经理EdRichards先生表示,新的E1测试解决方案具有与T1测试解决方案相同的直     

基于SDL的通信软件维护模型SMM

软件维护是软件生存周期的一个重要且花费很大的阶段，维护工作的自动化是软件行业十分迫切的需要。本文提出了一个基于ＩＴＵ－ＴＳＤＬ语言的通信软件维护模型ＳＭＭ。在此模型中，软件维护被分成三个部分：建立面向维护的数据库，制定维护规范和基于功能转换的自动维护。该模型将有助于软件维护支撑环境的建立     

程控交换机远程监控管理系统

叙述了程控交换机集中监控管理的必要性和可行性，设计了监控系统的硬件网络拓扑结构和应用软件模块，给出了系统所能完成的功能。     

生长温度对RF-MBE外延InAlGaN的影响

利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石衬底上外延了铟铝镓氮(InAlGaN)薄膜,研究了生长温度对RF-MBE外延InAlGaN薄膜的影响.X射线衍射测量结果表明,不同生长温度下外延生长的InAl-GaN薄膜均为单一晶向.卢瑟福背散射(RBS)测量结果表明,随着生长温度的提高,InAlGaN外延层中In的组分单调降低,Al和Ga的组分都有所增加.扫描电镜(SEM)的测试结果表明,在较高温度下(600和590℃)生长的In-AlGaN存在裂纹,580℃生长的四元合金表面比较平整,在570℃温度下生长的InAlGaN表面存在很多颗粒状突起.     

沟槽栅IGBT非晶Si填槽工艺研究与优化

采用低压化学气相淀积(LPCVD)非晶Si填槽工艺代替LPCVD多晶Si填槽工艺,对沟槽绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件的沟槽进行非晶Si回填,研究并优化了高深宽比非晶Si填槽工艺.分析了LPCVD非晶Si工艺参数如PH3体积流量和沉积时间等对LPCVD非晶Si填槽能力的影响,通过调制P掺杂浓度和优化非晶Si淀积时间,得到槽底侧壁与槽口侧壁非晶Si厚度差值为0.022 μm的基准非晶Si填槽工艺,优化了LPCVD非晶Si反复多次填槽工艺条件.结果表明,采用优化后的工艺可实现沟槽栅IGBT器件沟槽非晶Si无缝回填,器件的栅极电阻降低了0.150 Ω,漏电流降低了1.408 nA,成品率提升了0.4％.