全文获取类型
收费全文 | 8583篇 |
免费 | 497篇 |
国内免费 | 332篇 |
专业分类
电工技术 | 659篇 |
综合类 | 684篇 |
化学工业 | 947篇 |
金属工艺 | 444篇 |
机械仪表 | 518篇 |
建筑科学 | 680篇 |
矿业工程 | 417篇 |
能源动力 | 303篇 |
轻工业 | 821篇 |
水利工程 | 383篇 |
石油天然气 | 396篇 |
武器工业 | 79篇 |
无线电 | 893篇 |
一般工业技术 | 548篇 |
冶金工业 | 442篇 |
原子能技术 | 102篇 |
自动化技术 | 1096篇 |
出版年
2024年 | 43篇 |
2023年 | 190篇 |
2022年 | 234篇 |
2021年 | 233篇 |
2020年 | 234篇 |
2019年 | 237篇 |
2018年 | 239篇 |
2017年 | 143篇 |
2016年 | 139篇 |
2015年 | 166篇 |
2014年 | 470篇 |
2013年 | 313篇 |
2012年 | 345篇 |
2011年 | 384篇 |
2010年 | 391篇 |
2009年 | 336篇 |
2008年 | 344篇 |
2007年 | 381篇 |
2006年 | 422篇 |
2005年 | 388篇 |
2004年 | 342篇 |
2003年 | 321篇 |
2002年 | 257篇 |
2001年 | 240篇 |
2000年 | 274篇 |
1999年 | 294篇 |
1998年 | 241篇 |
1997年 | 240篇 |
1996年 | 260篇 |
1995年 | 187篇 |
1994年 | 172篇 |
1993年 | 136篇 |
1992年 | 138篇 |
1991年 | 137篇 |
1990年 | 134篇 |
1989年 | 115篇 |
1988年 | 35篇 |
1987年 | 34篇 |
1986年 | 34篇 |
1985年 | 29篇 |
1984年 | 22篇 |
1983年 | 28篇 |
1982年 | 18篇 |
1981年 | 28篇 |
1980年 | 21篇 |
1979年 | 11篇 |
1978年 | 8篇 |
1966年 | 4篇 |
1965年 | 4篇 |
1959年 | 3篇 |
排序方式: 共有9412条查询结果,搜索用时 15 毫秒
991.
992.
993.
994.
自党的十一届三中全会以后,在国务院“优先发展铝工业”方针指引下,全国30多家中小铝厂相继进行了较大规模的技术改造,而我厂30KA电解铝系列因为电力和其它一些因素未能进行改造,要大幅度地降低吨铝电耗,困难很大。但是几年来我们以节约能源,降低吨铝电耗为炼铝的主攻目标,一手抓技术,一手抓管理,仍然取得了较好的成绩。1988年吨铝直流电耗已下降到15915度,刷新了30KA铝电解系列直流电耗的全国纪录。下面简要介绍我厂是怎样降低炼铝电耗的。 相似文献
995.
996.
本文介绍了一种利用微处理器的单测头、数字化的曲轴类复杂零件轴向尺寸的检测装置,分析了单测头测量时测头直径的影响与补偿方法,介绍了装置的机械结构,微处理器检测的硬、软件系统。该装置测量不确定度和重复性都在0.01mm以内。 相似文献
997.
本文介绍了美国国家半导体公司生产的单片多用途有源滤波器MF10的结构,主要工作原理和主要参数,并举例说明其典型应用。 相似文献
998.
长波大面积HgCdTe光导红外探测器的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
研制的长波大面积HgCdTe光导红外探测器的面积为2.1×2.1mm~2,在80K时探测率D_p~*=1.86×10~(10)cmHz~(1/2)W~(-1),响应率R_p=386VW~(-1),长波限λ_(co)(50%)>18μm.还研制了带有低温聚光器组合件结构的新型探测器,D_p~*=7.3×10~(10)cmHz~(1/2)W~(-1),λ_(co)(50%)>16μm. 相似文献
999.
在离子注入埋层的硅片上,以SiO_2层为掩膜和隔离,生长了选择性外延(SEG)单晶硅层,并在此外延层上制作了P~+掺杂的多晶硅栅PMOSFET。浅源漏结的P~+多晶硅栅PMOSFET是使用一次离子注入同时完成栅与源漏的掺杂注入,并由低温退火与快速热退火完成杂质的再分布推进。测试结果表明PMOSFET的短沟道效应明显减小。 相似文献
1000.