基于分子束外延的4 in硅基碲镉汞材料工艺研究

现阶段,大面阵碲镉汞红外焦平面探测器的需求持续增加,面向更大尺寸的碲镉汞材料制备技术成为了研究热点。对4 in硅基碲镉汞材料外延技术进行了研究。通过提升设备参数的稳定性、控制外延片的平整度以及优化材料工艺参数等一系列手段,突破了大尺寸硅基碲镉汞材料工艺的关键技术瓶颈,并制备出了高平整度、高均匀性、低缺陷率、高质量的4 in硅基碲镉汞材料。结果表明,该材料的双晶衍射半峰宽小于等于90 arcsec,表面宏观缺陷密度小于等于100 cm^-2,表面平整度小于等于15 μm。     

液相外延碲镉汞贯穿型缺陷研究

液相外延碲镉汞材料的贯穿型缺陷会在后续器件制备中导致多个盲元的形成。采用共聚焦显微镜对该类缺陷的深度进行了表征,并对缺陷底部的成分进行了测试。使用聚焦离子束(Focused Ion Beam, FIB)将缺陷挖开后对其进行观察。对于贯穿型缺陷较多的碲锌镉衬底外延生长碲镉汞薄膜,统计后发现碲镉汞表面的贯穿型缺陷与衬底缺陷存在一定的对应关系,因此推测液相外延贯穿型缺陷起源于碲锌镉衬底缺陷。     

分子束外延材料表面平整度的研究

分子束外延Si基HgCdTe材料的表面平整度对红外焦平面组件的制备有重要的影响.分子束外延的Si基复合衬底作为HgCdTe分子束外延的衬底材料对最终外延材料的表面平整度的影响较大.本文通过研究工艺过程中各外延因素对Si片和衬底材料表面平整度的影响,通过实验发现脱氧工艺的高温影响最大,其次是Si片自身的表面平整度和外延膜...     

西安地区一致危险谱与一致风险谱的构建

为了使不同地区的结构在地震作用下具有相同的倒塌概率,对一致风险谱进行了研究.本文首先通过概率地震危险性分析得到了西安地区的一致危险谱,通过风险积分法得到了西安地区的一致风险谱,将一致危险谱与一致风险谱进行对比发现,基于一致危险谱进行抗震设计的建筑结构在地震作用下具有不同的倒塌概率.然后通过近似解析法构建了西安地区的一致...     

如何看中国云计算的现在和未来

IT行业出现的任何技术的诞生和被接受都需要一定的时间,但是对行业发展具有深远影响的技术趋势是迟早要发生的。"云计算"并不是一种产品,更准确的说,是提供IT服务的一种方式,是一个逐步走向用户自我服务的消费模型,IT不管是企业内部、还是通过互联网的业务部署和使用,都是透明的,付款都是基于业务消费,实现按需支付,按需获取IT资源和服务的目的。虚拟化、广域网、数据集中应用,以及带宽设施的普及和费用的降低,促使云计算技术实现能力和经济价值不断提高。     

2016年中国IT市场10大热点

如果说过去几年中国市场IT经历着演进的过程,那么2016年将是中国IT技术变革的一年。宏观经济政策的改变,将加快通过IT突破创新的速度。新架构、新应用、移动互联正成为企业业务增长的核心支撑。综合中国上千人次调查和上百IT决策者的深访,中桥调研认为在2016年中国IT市场将出现以下十大热点趋势:1.“十三五”加速中国市场IT从“高大上”到“平民化”进程进入“十三五”阶段,经济结构优化、行业升级、全民创新     

分子束外延用碲锌镉(211)B衬底湿化学预处理技术研究

主要分析了不同溴甲醇溶液腐蚀方法对分子束外延用碲锌镉(211)B衬底表面粗糙度及反射式高能电子衍射(RHEED)图样的影响。实验发现化学抛光后未使用溴甲醇腐蚀的CZT(211)B衬底虽然表面粗糙度较小(小于1.0 nm),但表面RHEED衍射图样无任何衍射点或者条纹;采用0.05%溴体积比的溴甲醇溶液腐蚀CZT(211)B衬底时,即使腐蚀极短的时间,衬底表面粗糙度也达到2.0 nm以上,且表面存在高密度的柱状物,衬底表面RHEED图样呈圆点状或条纹较粗且存在亮点;采用0.01%溴体积比的溴甲醇溶液腐蚀CZT(211)B衬底,表面粗糙度可控制在1.0 nm左右,同时RHEED图样为特征的CZT(211)B晶面短条纹衍射图样,条纹清晰,同时多片衬底重复实验结果一致。同时在其上分子束外延的未优化的中波碲镉汞材料半峰宽为(49.1±5.9)arcsec,组分为0.3083±0.0003,厚度为6.54±0.019 μm。     

抑制In元素在CdTe中的退火扩散

分子束外延HgCdTe/InSb 材料需要阻止 In 元素在 HgCdTe 中的不受控扩散。我们使用 CdTe缓冲层作为阻挡层,以期控制 In 的扩散。为研究 In 元素在 CdTe 材料中的扩散,我们使用分子束外延方法获得CdTe/InSb样品。考虑到在退火时In 元素可能通过环境扩散污染材料,我们使用 SiO2 作为钝化层,通过对比试验发现 In 元素通过环境扩散污染表面的证据,为控制 In 元素的扩散提供新的思路。     

中长波双色碲镉汞红外探测器器件模拟与分析

利用Crosslight公司的APSYS软件模拟准平面结构中长波双色碲镉汞红外探测器的不同结构的光谱串音。研究表明中波层厚度增加将抑制中波对长波的光谱串音,同时将小幅增大长波对中波的光谱串音;阻挡层组分越大,阻挡层与中波层的导带带阶越大,光生载流子跃迁过带阶势垒的几率减少,使得光谱串音减小;阻挡层厚度越大量子隧穿效应减弱,导致光谱串音减小。通过优化器件结构可使中波对长波的光谱串音以及长波对中波的光谱串音都控制在2.5 %以下。     

EMC加速2.5平台

5月4日,EMC world 2015全球大会在拉斯维加斯正式拉开帷幕。中桥首席分析师将结合EMC world发布的最新技术和中桥最新的中国市场调查,通过多个系列,来解读数据中心和IT服务市场及技术格局的发展趋势;以及这一趋势带给中国用户的价值。