基于MTK手机的指纹识别系统

利用MTK手机平台的开放性,介绍指纹识别模块在MTK手机平台上的应用开发,以及通过GPRS建立与后台上位机的通信建立过程.     

底栅和顶栅结构全透明氧化锌薄膜晶体管的制备

报道了制备在50mm石英玻璃衬底上的透明氧化锌薄膜晶体管(ZnO-TFT),采用了底栅和顶栅两种结构进行比较.ZnO沟道层由射频磁控溅射方法制备,SiO2薄膜作为栅绝缘层.结果发现底栅结构的ZnO-TFT具有较好的电学性质,该器件工作在n沟道增强模式,具有较好的夹断效应和饱和特性,其场效应迁移率、阈值电压和电流开关比分别为18.4cm2/(V·s),-0.5V和104.顶栅结构的ZnO-TFT则工作在n沟道耗尽模式,没有明显的饱和特征.不同结构ZnO-TFT电学性质的差别可能是由于不同的ZnO/SiO2界面特性所致.两种结构的ZnO-TFT在可见光波段都有很高的光学透过率.     

OFDM系统中一种改进的最大似然同步迭代算法

在考虑多径衰落信道的影响下,改进了基于循环前缀的最大似然(ML)同步迭代算法,弥补了原ML迭代算法只在高斯白噪声信道背景下才能得到准确的定时和频率偏差估计的不足,实现了多径衰落信道下的同步估计.并在多径衰落信道下进行了仿真实验,结果表明改进迭代算法在具有较好的同步性能.     

基于C8051F040的模型车无线控制系统的设计

为了给汽车耐久性试验的驾驶机器人提供仿真驾驶平台,实现对模型车运动的无线控制,设计了由无线收发单元与运动控制单元组成的模型车无线控制系统.系统以单片机C8051F040为控制核心,使用基于ZigBee的无线收发芯片CC2431与上位机通讯.通过接受上位机的信号,系统能实现机器人仿真驾驶,对机器人驾驶算法的可靠性进行验证.     

NewReno拥塞控制方式下路由器缓冲区容量研究

 路由器缓冲区容量的设置问题是近年来路由器研究中的热点课题之一.已有的研究主要集中在流量模型、网络拓扑及设置、路由器体系结构及设置、网络的动态性以及性能评价指标五个维度在研究.本文在现有基于评价指标和流量模型所作研究的基础上,提出了一种新的评价指标——流完成时间比.该评价指标具有不依赖网络属性的优点.本文使用这一评价指标进行了基于自相似流量的仿真实验分析,对SFCTR、AFCTR和FCU这三个流完成时间比的相关性能指标进行了监测,得出过大和过小的缓冲区容量都会造成性能下降的结论,并给出了合理设置路由器缓冲区容量的方法.     

面向5G前传的open-WDM新型技术架构

5G前传网络架构发生重大变化,C-RAN有望成为5G前传网络的主流组网方式。结合5G前传网络的新需求,在分析光纤直驱、无源WDM、有源WDM/OTN等现有方案的基础上,提出了面向5G前传网络的开放式波分复用（open-WDM）系统。该系统采用波分复用技术,缓解光纤资源压力;基于半有源架构,部署灵活;采用低成本管控技术,保障前传网络的可管可控和高效运维。     

基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的60GHz VCO分析与设计

采用0.18 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一个60GHz的交叉耦合差分压控振荡器(VCO).通过分析传输线的性能,用λ/ 4短路传输线构造谐振回路.在分析VCO相位噪声的基础上,采用噪声滤波技术提高VCO的相位噪声性能.该VCO的工作电压为2.2V,偏置电流为11mA,频率调谐范围为58.377GHz～60.365GHz.当振荡频率为60.365GHz时,1MHz和10MHz频偏处的相位噪声分别为-79.1dBc/ Hz和-99.77dBc/ Hz.     

GTD结合GIS计算不规则区域短波天线天波方向图

在无线通信系统链路设计中,天线方向增益是一个关键参数。然而由于天线周围物体的影响,实际中天线方向增益与理想情况并不一致。本文采用射线追踪法(GTD)结合数字地图(GIS)计算分析了位于不规则地面上振子天线的天波方向图,并与工程上采用镜像法得出的结果进行了比较。比较结果充分证明了此方法的正确性和高效性,并具有一定的工程意义。     

一种新的布斯编码器结构

针对传统乘法器中布斯编码器存在的问题，文章提出了一种新式布斯编码器结构。传统的布斯编码器采用3个编码信号，在处理不同的部分积时电路比较臃肿，新的结构采用四个编码信号，可以方便地实现乘法/乘累加切换，并且处理不同情况下的部分积非常简单，而电路本身并没有变得复杂。新的布斯编码器的另一个特点是全部采用了MUX结构来搭建，这样给最终布线带来很大方便。最后通过HSPICE(0．35μm CMOS)模拟进一步证明了新编码器相对于以往的编码器的优势。     

基于Opera-3D软件的碳化硅离子注入机光路设计与仿真

碳化硅（SiC）离子注入机是碳化硅半导体器件制造的核心装备,其光路设计与仿真是碳化硅离子注入整机研发的关键核心技术。利用Opera-3D软件研究了B+在不同注入能量下经加速、聚焦到靶室的传输包络图和束流截面形状,模拟仿真了B+通过扫描器、平行透镜后的注入均匀性,并与实际验证结果进行了对比。结果表明：现有SiC离子注入机光路在50～350 keV能量范围内具有较好的束流截面形状、离子传输效率和注入均匀性,能够满足SiC离子注入工艺需要。