PC多孔膜的制备及其性能研究

采用Breath Figure法成功制备了聚碳酸酯(PC)多孔膜。考察了PC溶液浓度、环境温度和后处理对所成多孔膜结构和形貌的影响,同时进一步研究了多孔结构对PC多孔膜亲水性、热稳定性与透光率的影响。结果表明:在适当的PC溶液浓度、环境温度以及后处理工艺条件下,采用Breath Figure法能够得到具有规整有序多孔结构的PC薄膜。通过控制PC溶液浓度可有效调整多孔膜的孔径与孔隙率,当PC溶液浓度由0.02 g/ml增至0.06 g/ml时,多孔膜孔径尺寸由2.3μm减小至0.5μm。此外,PC薄膜的多孔结构使其亲水性、热稳定性与透光率得到明显提高,为其进一步应用奠定了基础。     

玻璃纤维增强酚醛树脂复合材料摩擦磨损性能研究

对几种玻璃纤维织物增强酚醛树脂复合材料进行了双向滑动摩擦试验,考察织物结构和基体树脂对复合材料的摩擦磨损性能的影响。研究结果表明:通过添加自润滑颗粒可提高复合材料的摩擦磨损性能,其中石墨的耐摩擦磨损效果比聚四氟乙烯(PTFE)显著;织物结构对复合材料摩擦性能的影响,主要受控于织物的表面粗糙度和织物结构对复合材料树脂体积分数的影响。此外,复合材料存在一个较优的树脂体积分数范围,在此范围内,复合材料的摩擦磨损性能较为优异。     

番茄红素中砷含量测定

以氢化物生成法为砷原子化手段,采用原子吸收分光光度法测定番茄红素中砷含量.本实验选定条件下,砷的检测限为8×10-10,精密度RSD为3.2%,准确度以回收率计为94.5%.结果表明该方法专属性好,灵敏度高,线性范围宽,测定结果准确可靠,适用于番茄红素中砷含量的测定.     

气制动柴油机泵气系统噪声研究

我们分析了排气卸荷型气制动柴油机泵气系统工作原理及噪声机理,通过对打气泵、干燥器、储气筒工作噪声进行专项调查,找出泵气系统主要噪声源,为后期系统噪声优化及异响处理提供理论及数据支撑。     

高模量改性沥青研制及性能评价

利用南美重油为原料生产的AH-70沥青制备得到的高模量改性沥青具有良好的理化指标和使用性能,试验结果表明,高模量改性沥青等级为PG76-22,各项性能指标满足DB21/T 1754—2009《辽宁省地方标准高模量沥青混合料施工技术规范》技术要求,且混合料性能具有高温稳定性好,抗车辙能力强等特点。     

一种高速高共模瞬态抗扰度电平位移电路

设计了一种适用于GaN栅驱动的高速、高共模瞬态抗扰度的电平位移电路。电路受PWM信号和短脉冲协同控制,利用短脉冲控制的加速电路提升了电平转换速度。在浮动电源轨高速切换和减幅振荡过程中,电路内部对地寄生电容的充放电会导致输出逻辑错误。针对此问题,采用一种高速、低功耗的交叉控制式噪声屏蔽电路,实现了极高的共模瞬态抗扰度。采用0.35μm高压CMOS工艺进行电路设计。仿真结果表明,在100 V电平转换情况下,该电平位移电路的平均传输延时为1.58 ns,延时失配小于100 ps,共模瞬态抗扰度达到200 V/ns。     

一种抗负压和抗共模噪声的全集成GaN电平位移电路

设计了一种基于全集成GaN工艺平台,具有抗负压、抗共模噪声的电平位移电路。相较于传统的电平位移电路,通过电路设计将驱动部分的低电压域同高侧部分电路的低电压域保持一致,实现了抗负压的功能。除此之外,针对半桥驱动开关节点的抬升、下降引起内部电容充放电并导致信号逻辑错误的问题,对高侧部分电路进行设计,实现了抗共模噪声的能力。在200 V GaN工艺下,电平位移电路将0～6 V的输入信号转换至200～206 V。仿真结果表明,该电平位移电路的上升传输延时为4.74 ns,下降传输延时为4.11 ns,抗开关节点负压为-4 V,具有100 V/ns共模噪声抑制能力。     

一种无需振荡器的数字频率抖动电路及其应用

为了解决滞环控制模式开关电源中无振荡器电路,从而无法使用现有频率抖动方式降低EMI和现有频率抖动电路调制方式单一、移植性差的问题,本文提出了一种新型的数字频率抖动电路,该电路结构简单,调制方式多样,可移植性好。本设计采用1μm 40V CMOS工艺进行仿真验证,Hspice仿真结果表明该数字频率抖动电路有效地降低了系统的EMI。     

基于光纤布喇格光栅和马赫-曾德尔干涉仪的新型ROADM

讨论了单极的基于光纤布喇格光栅的马赫-曾德尔干涉仪(MZ-FBG)的串联OADM,并且在单极的MZ-FBG基础上加入光开关和合波器进行改进,设计了一种新型的并联ROADM.这种结构的ROADM避免了串联OADM缺乏可控机制和保护功能的缺点,具有很大的可扩展性.为验证该结构的优越性,设计并分析了4级并联的ROADM,实验结果表明,该ROADM在直通状态、下载状态和上载状态下的平均插入损耗均小于3dB,信号间的隔离度大于20dB.最后讨论了影响该结构的ROADM性能的主要因素.