基于“Four-hot”编码和Transformer-LSTM模型的船型识别方法

为克服依靠图像数据进行识别的局限,使用航迹数据和深度学习方法是当前船型识别的热门方案。针对船型识别任务中常用的长短时记忆(Long Short Term Memory,LSTM)网络对航迹数据特征提取的性能饱和问题,提出了一种基于"Four-hot"编码和Transformer-LSTM神经网络模型的船型识别方法。首先将航迹数据编码为"Four-hot"向量形式;然后构建由Transformer编码模块和LSTM网络级联的Transformer-LSTM神经网络模型,用LSTM网络对Transformer输出的高层表示进行二次学习。在船舶自动识别系统(Automatic Identification System,AIS)数据集上的实验结果显示,所提出的方法在测试集上的加权平均F1分数(Weighted Average F1,WAF1)比未编码航迹数据经5类实验模型直接训练和测试得到的值高3.09百分点以上。     

基于小波分析的高压变压器局部放电在线监测

介绍一套高压变压器局部放电在线监测系统,并对其硬件结构及数字滤波过程作 了叙述。在数字滤波过程 中,消除外部放电的工作十分困难,因为它们通常与发生在变压器 内部的局部放电具有几乎相同的时域及 频域特征。小波分析作为一种强大的时- 频分析工具,能 较好地解决这个难题。文中首次提出了一种基于 小波分析的脉冲极性鉴别方法,用以鉴别内 、外部放电。实验及现场运行结果表明：该方法在提高监测系 统性能上是行之有效的。     

碱性长石溶蚀微孔发育特征及其对致密砂岩储层物性的改造作用

长石次生溶孔是致密砂岩储层微-纳米级别孔喉网络的重要组成部分。为进一步明确碱性长石溶孔发育特征及其对致密砂岩储层物性的改造作用,以鄂尔多斯盆地中南部华庆地区三叠系延长组6段3亚段（长6³亚段）致密砂岩储层为研究对象,利用能谱分析获取各类长石的钾、钠元素分布特征及组成特点;基于Image J软件对场发射环境扫描电镜图像进行二值化处理及参数提取,分别对具有典型溶蚀特征的波状条纹长石和斑块状条纹长石进行图像分析和理论计算,提出了基于溶蚀强度参数评价储层溶孔对储集空间贡献程度的方法;定量评价了长石溶蚀对孔隙发育的影响,精准刻画了长石发育特征、溶蚀率及孔隙度贡献率等参数。图像分析和理论计算结果表明,研究区碱性长石溶蚀微孔主要由弱溶蚀作用形成,形态特征为条带状和蜂窝状,面孔率大小分布在2.06 %～35.20 %,平均值为13.99 %,因溶蚀作用形成的孔隙面积占比与碱性长石中K⁺富含区域面积大小呈负相关。     

基于蚁群算法的巡航导弹航路规划研究

航路规划是提高巡航导弹突防概率的关键因素之一.为了提高巡航导弹对敌打击的有效性,在对敌防御区域内的目标进行打击时,必须保证巡航导弹能以最小的被发现概率和可接受的航程接近目标.针对这一问题,文章对近年来出现的蚁群算法进行了讨论和改进,将它应用于巡航导弹的航路规划问题,比较详细地考虑了巡航导弹航路规划中各种影响因素,并进行了仿真计算.     

基于ARM处理器S3C2440和Linux系统的I^2C触摸屏设计

分析了基于Samsung公司的S3C2440处理器和TI公司的I^2C接口的触摸屏控制器TSC2007构建的硬件环境,深入探讨了嵌入式Linux操作系统下的I^2C接口触摸屏驱动程序的开发,讲述了触摸屏采样数据处理的方法及触摸屏的校准原理。     

超声相控阵检测成像质量影响因素实验分析

换能器及仪器参数设置不合理会导致超声相控阵检测成像质量差、缺陷识别困难等问题。为提高超声相控阵检测成像质量,深入分析超声相控阵检测成像影响因素,研究孔径、焦距及脉冲宽度对相控阵成像质量的影响,并采用控制变量法进行实验验证,获得相控阵换能器及仪器各参数对成像质量的影响规律,并讨论这些参数的优化方法。研究结果对优化换能器设计及提高相控阵检测成像质量提供参考。     

一种高性能的新结构IGBT

提出了一种低功率损耗的新结构IGBT.该新结构的创新点在于其复合耐压层结构,该耐压层包括深扩散形成的n型缓冲层和硼注入形成的透明背发射区两部分.虽然在正常工作条件下,该新结构IGBT工作于穿通状态,但器件仍具有非穿通IGBT(NPT-IGBT)的优良特性.该新结构IGBT具有比NPT-IGBT更薄的芯片厚度,从而可以获得更好的通态压降和关断功耗之间的折衷.实验结果表明:与NPT-IGBT相比较,新结构IGBT的功率损耗降低了40%.     

基于IMS的资源控制系统架构及应用探讨

文章通过分析IMS网络的服务质量需求,重点围绕基于IMS的资源控制系统架构及应用的关键技术问题进行了探讨,并结合IMS网络实际部署的具体需求提出技术选择建议。     

低功耗IGBT(LPL-IGBT)及其仿真

提出了一种新结构的 IGBT,取名为低功耗 IGBT(L PL- IGBT) ,它具有离子注入形成的超薄且轻掺杂的背P型发射区 ,从而具有 NPT- IGBT的优点 ;同时具有由衬底预扩散残留层构成的 n型缓冲层 ,又具有 PT- IGBT的优点 .计算机仿真结果证明 ,它的关断损耗比 PT- IGBT和 NPT- IGBT降低一倍左右 .它的结构比 FSIGBT更适合于实际生产