建筑细部实践——广州辛亥革命纪念馆细部设计解读

一栋建筑以其粗犷轮廓和线条给人们留下深刻的印象,但它是否属于一件经得起时间的检验的艺术品,让人们长久回味,取决于细节的处理。本文以广州辛亥革命纪念馆设计为载体,分享笔者在设计及施工过程中所遇到有关细部设计的心得。文章从呼应母题、尺度控制、材料选择、构造处理几个方面进行总结分析,希望对广大设计从业者的工作有所帮助和启发。     

中国传统民居的创作方法借鉴

从传统民居建筑的设计方法中归纳出四种可借鉴的创作方法：实用与艺术相结合、型类学的设计、类比与象征的设计手法、“话语与语境”的关系,并对现代建筑的设计,特别是对传统民居的现代化改造提出了建议。     

薄壁筒形件旋压工艺及工装设计

通过对薄壁筒形件加工工艺进行分析,介绍了旋压加工的工艺计算,旋压工艺参数的确定及工装设计,同时分析了生产中出现的问题,提出了解决措施,保证了该零件的顺利成形.     

PRC简支梁桥有效预应力识别的BP神经网络方法

为了识别直线偏心预应力作用下PRC简支梁桥的有效预应力,提出了一种基于梁桥模态频率和动力响应的BP神经网络方法。建立车-桥耦合振动模型,由MATLAB编程计算不同预应力水平对应的PRC简支梁的模态频率和动力响应,利用计算得到的模态频率和动力响应识别简支梁桥的有效预应力。构建3层BP网络,通过14组训练样本的训练,网络展示了良好的收敛性。仿真实验结果表明,网络表现出很强的回想记忆能力和内插能力,且对样本噪声的适应性比较强,识别结果具有较高的精度。表明该方法可以有效地、方便地识别简支梁桥的有效预应力     

平曲线坐标计算程序

根据铁路、公路施工放样测量的现场情况,使用CASIO4800P语言编写程序,对线路复合平曲线各点的大地坐标(局部坐标)及测量数据进行计算,并可根据已知点大地坐标(局部坐标)计算其对应的线路里程及至线路中心距离。     

LEC SI-GaAs中AB微缺陷和它对MESFET跨导性能的影响

用AB腐蚀液对SI GaAs晶片进行AB微缺陷显示 (AB微缺陷密度AB EPD :10 3～ 10 4 cm- 2 量级 ) ,用KOH腐蚀液显示位错 (位错密度EPD :10 4cm- 2 量级 ) ,发现衬底上的位错对器件跨导没有明显的影响 ,而用AB腐蚀液显示的AB微缺陷对器件性能及均匀性有明确的影响 :低AB EPD的片子跨导大 ;高AB EPD的片子跨导小。AB EPD有一临界值 ,当AB EPD高于此值时 ,跨导陡然下降。另外 ,还利用扫描光致发光光谱 (PLmapping)对衬底进行了测量 ,得出了与上述结果相符的结果。     

半绝缘砷化镓晶片中碳的微区分布

通过化学腐蚀(AB腐蚀液)、金相显微镜观察、透射电镜(TEM)及能谱分析(EDX)，对LEC法生产的半绝缘砷化镓(SI-GaA8)单晶中碳的傲区分布进行了分析。其结果表明：碳的微区分布与晶片中位错密度及分布存在对应关系。高密度位错区位错形成胞状结构，该结构的胞壁区碳含量高，近胞壁区次之，剥光区碳含量低于检测限。     

基于Spar平台浮式海上风力机独立变桨距控制研究

Spar平台深吃水导致平台俯仰和滚转固有频率较低,因此采用了引入纵荡、横荡自由度的线性状态空间模型的控制设计。为了有效减少风机载荷及更好调节风机出力,提出了基于Spar平台浮式海上风力机独立变桨距控制(IBP)的线性多目标状态反馈控制器模型。同时为了能够较好验证该模型的有效性,对基于基本控制器、扰动干扰控制器以及状态反馈控制器的3种独立变桨距控制进行对比。仿真结果表明:相对于基于可变增益比例积分控制器的统一变桨距控制,基于多目标状态反馈控制器的独立变桨距控制能将塔架前后及侧向弯曲疲劳载荷平均减少9%。     

碱法铁黄洗涤工艺的研究

本文通过对碱法铁黄洗涤过程的工艺研究，推导出制浆洗涤关系式，并将此关系式运用于磁粉生产线工程设计。