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试用辩证法的观点来研究建筑的发展过程,遵循自然界发展的总规律:否定之否定和螺旋上升的规律。以及其对于我国目前建筑发展的指导意义。 相似文献
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组件具有广泛的故障模式.这些可以按不同的方式分类,例如时间或原因.故障可能是由过多的温度、过多的电流或电压、电离辐射、机械冲击、压力或冲击以及许多其他原因引起的.在半导体器件中,器件封装中的问题可能会导致由于器件的污染、机械应力、开路或短路而引起的故障.本文对电子元件的常见故障和失效机理进行了分析和总结. 相似文献
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分析了广西北海市城区、黎塘镇等4个地下水超采区内划定禁采区的范围、标准和禁采条件,地下水是水资源的重要组成部分,是关系经济社会长远发展的重要战略资源,是生态环境的控制性要素,一旦发生超采而诱发地质环境灾害,将造成无法估量的损失。禁采区的划定,将使地下水生态环境尽快得到修复。 相似文献
145.
提出并实验验证了基于偏硼酸钡(β -BaB2O4,B BO)晶体的电光补偿型磁场传感器。磁场传感单元主要由单块BBO晶体和两个偏振器组成。 采用光强度调制的传感方式,被测磁 场和法拉第磁光效应引起的BBO晶体输出光强度变化可以由外加电压产生的电光强度调制 来补偿。在电光补偿后的输出光传感信号不变的条件下,可以通过测量外加补偿电压间接实 现磁场的测量。利用一块尺寸为4mm×4mm×20 mm的BBO晶体实验测 量了167 Gs范围内的 工频磁场,通过设置晶体主光轴与光传播方向的夹角为0.76°,可以 有效降低电光补偿电压,约为0.018 V·Gs -1,比以往的实验结果降低了约30倍。 相似文献
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有机二维单晶半导体p-n结(pn-2DCOS)因其单晶性质和出色的双极性电荷传输特点,在有机逻辑电路领域具有巨大的应用潜力.然而,在p-n结中获得高度有序的单晶结构异常困难,因此关于pn-2DCOS的文献报道很少.本文基于简单滴注法和有效的二次转移技术成功得到基于C8-BTBT (p型)和TF T-CN (n型)的pn-2DCOS器件.这种具有几个分子层厚度的超薄pn-2DCOS的高性能双极场效应晶体管具有良好的平衡双极电荷传输性质,空穴迁移率高达0.43 cm^2V^-1s^-1,电子迁移率高达0.11 cm^2V^-1s^-1.这项工作为研究有机p-n结的固有特性提供了有效方法,并可为实现高性能有机互补电路提供借鉴. 相似文献
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分析了一起低压动态无源滤波工程中滤波支路电容器和电抗器元件烧毁的原因,从滤波器设计、元件参数、系统不平衡、过零投切方式、外界环境变化等方面进行了全面的分析,确定本次故障的主要原因是滤波支路电容器的产品质量不能满足谐波严重场所的要求造成的。并通过本次故障的分析,给出了低压滤波器设计制造应注意的几个问题。 相似文献