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本文采用一种新的数字图像相关方法测量带有半导体电热膜的远红外陶瓷热胀系数.该方法将有限元的位移模式引入,更适合于微细观领域的高精度测量,可以得到热胀系数随温度变化的曲线.结果表明,陶瓷基体和电热膜均表现出各向异性的热膨胀.在基体和膜热胀系数数值较接近的方向,降温时膜收缩而基体继续膨胀;在基体和膜的热胀系数变化规律一致的方向上,数值上膜的热胀系数要比基体的热胀系数大得多.若已知陶瓷基体和电热膜的应力应变本构关系,就可以根据测试结果计算陶瓷基体与电热膜之间的热应力及残余应力. 相似文献
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退火真空度与氧化钒薄膜物相的相关性 总被引:1,自引:0,他引:1
以高纯五氧化二钒(V2O5)粉末(纯度≥99.99%,质量分数)为原料,用真空蒸发工艺制备出氧化钒薄膜,并测试其在真空退火前、后的X射线光电子能谱、X射线衍射谱及电阻-温度关系曲线.结果显示:低真空退火对氧化钒薄膜的还原性比高真空退火的强.但是,在高真空退火下得到的氧化钒薄膜的晶粒尺寸要比在低真空下退火的大.随退火温度升高,高真空下退火制备的薄膜经历了从VO2(B)到V02(B)与V6O13混合,再到V6O13的转变过程,B表示薄膜无热致相变特性.低真空下退火制备的薄膜经历了从VO2(B)到VO2(A)的转变,A表示薄膜有热致相变特性.这些薄膜的电学性质也有很大不同. 相似文献