利用EGR技术生成薄膜

半导体制造工艺中的薄膜生长,迄今广泛应用的是热CVD法(Chemical VaporDeposition)和等离子CVD法,而这些方法是在高温状态下进行的,因此,对那些衬底耐热性较差或者经高温处理其性能和可靠性要降低的器件来说,利用这些方法有一定的困难。为了提高大规模集成电路、超大规模集成电路的性能、集成度和成品率,迫切需要一种能在低温下形成高质量薄膜的薄膜生长新技术。     

阻燃聚对苯二甲酰对苯二胺纤维

<正> 芳香族聚酰胺纤维因为其耐热性和机械性能良好,近年来受到注意。本发明是关于机械性能优良,而且有阻燃性的聚对苯二甲酰对苯二胺(以下简称P P T A)纤维。该纤维是由P P T A制得,密度在1.40克/厘米~3以上,双折射值0.2以上,磷原子重量含量和硫原子重量含量之比Wp/Ws在1×10~(-2)以上。本纤维的主要部分由P P T A构成,P P T A以外的聚合     

提高车轮轧机下斜辊使用寿命的研究

1.概述我厂车轮轧机下斜辊是主动辊,见图1,其工作条件恶劣,它不仅受到高温钢坯塑性流动的强烈挤压和摩擦,而且卸载时又受到喷水冷却,轧辊反复激冷激热,其损坏现象非常严重。     

高速气流冲击式粉体表面改性装置——HYBRIDIZATION系统及应用

利用高速气流冲击法进行粉体/粉体系表面改性技术,是迄今为止各种粉体材料开发中最为引人注目的技术之一。HYBRIDIZATION(下称HYB)系统是利用高速气流冲击法对微粉体进行干式/机械化处理,是使材料复合化的最实用的装置,可对各类有机物、无机物、金属等进行广泛组合,通用性很强,适用于许多行业领域。从本文所述的系统构成、型式,有关的典型球形化处理的运转特性,利用复合化高温粉体测定被处理粉体表面温度,利用颜料改变色调等的处理特点及该系统的适用性等(一部分是从已发表的学术论文及专利上摘录的),可以说明HYB系统的概况。     

金属电解槽与石墨电解槽联合运行时整流与电解的联接方式

目前不少中小型乃至大型氯碱企业,进行金属阳极电解槽(下简称金属槽)替代石墨阳极电解槽(下简称石墨槽)的技术改造.但在具体施工过程中,往往是用金属槽逐步代换石墨槽,或扩产部份用金属槽,原来的石墨槽仍在运行.形成了金属槽与石墨     

用Si_2Cl_6作渗剂的低温气体渗硅法

使用六氯化二硅作为CVD(化学气相沉积)原料,可以低温气相合成SiC或Si_3N_4涂层。此外,在金属成合金气体渗硅时,使用Si_2Cl_6可比用Si_2Cl_4处理温度低50～300℃,可实现处理温度的低温化。六氯化二硅(Si_2Cl_6)是一种沸点为144℃的无色透明液体,业已报道,如果将这种Si_2Cl_6作为CVD原料,与以往使用Si_2Cl_4作原料的方法来比,可在更低的温度下合成SiC或Si_3N涂层。作者最近还发现,在金属或合金表面进行渗硅处理时,作渗剂比用     

离子软氮化、盐浴软氮化和气体软氮化处理钢的氮化层

本文对经离子软氮化和一般盐浴软氮化及气体软氮化处理后钢的氮化层的冶金特性作了比较。离子软氮化所形成的化合物层厚度大于其他两种软氮化处理者。化合物层的相结构受软氮化方法和钢种的影响。离子软氮化和气体软氮化所形成的化合物层较致密,而盐浴软氮化所形成的化合物层有疏松。经离子软氮化的钢与其他两种软氮化的钢具有相同的耐磨性。这三种软氮化处理都显著地改善了钢的耐磨性。