调整经济结构,建立一个省能型的工业体系

我省是一个严重的缺能地区,百分之八十以上能源是由外省供应的。本省的常规能源——煤、油、水力的储量甚少,本省主要煤矿——长兴煤矿由于储量不足,年产量也不可能有太大的增长。所以,为到本世纪末将工农业产值翻两番以上,我们面临的能源形势是很严峻的。全国的能源产量在2000年增长到12亿吨标煤,也就是能源产量翻一番。全国是以能源翻一番来保工农业总产值翻二番的,能源弹性系数为0.5。全国三十多年来     

提高企业图书馆信息化水平

阐述了我国企业图书馆的管理现状，在提供文献资料方面存在的问题，提出了要开展计算机网络技术的研究，就要建立现代化信息体系的图书馆事业的结论。     

对网络安全的思考

今天Internet正在从学术和科研的范围向电子商务、金融、军事、政府机制等方面迅速发展,在人们尽情享受网络带来的便捷的同时,网络安全令人担忧,因为,对Internet的非法侵入或人为的故意损坏将会轻而易举地改变Internet上的应用系统,导致网络瘫痪,从而使网络用户遭受无法弥补的损失,这样的教训很多,因此加强网络安全非常重要.     

用3CVSP资料分析含煤地层的方位各向异性

提出用横波分裂现象检测含煤地层中瓦斯的富集部位,用三分量VSP直接在薄煤层附近观测其方位各向异性信息,通过3次坐标旋转变换,对三分量矢量波场数据进行分离,用质点振动图法计算偏振角.对分离后的快、慢波进行VSP-CDP成像,计算各向异性系数与裂隙密度,并通过实例验证了该方法的可行性.     

注入剂量对300℃下Mn+注入p型GaN薄膜的结构和磁性影响

在(0001)面的蓝宝石衬底上用低压MOCVD法生长p型GaN外延层.对p型GaN薄膜用180keV的Mn 离子注入进行磁性粒子掺杂,注入时GaN薄膜处于300℃,注入剂量分别为5.0×1015、1.0×1016和5.0×1016cm-2.对注入的样品在N2气流中进行快速热退火处理,温度为850℃,时间为30s.用超导量子干涉仪(SQUID)对样品的磁性进行了分析,在5.0×1015cm-2的注入样品中发现了较强的铁磁性;而1.0×1016和5.0×1016cm-2的Mn 离子注入样品中铁磁响应有所减弱.结合用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对在不同剂量下Mn 注入GaN薄膜的结构、形貌和成分的分析,揭示了不同剂量磁性离子注入给GaN薄膜带来的结构、形貌和相应的铁磁性变化规律,发现只有适当的注入剂量(5.0×1015cm-2)才有利于在300℃下用180keV的Mn 注入对p型GaN薄膜进行磁性离子掺杂.     

p-GaN表面Ni/Au电极欧姆接触特性的Pt+注入改性研究

对p-GaN/Ni/Au(5/10nm)界面处进行Pt+注入,注入后的样品在空气中快速热退火处理5min,发现金属电极和p-GaN的欧姆接触特性得到明显的改善,接触电阻率从101-Ω·cm2数量级降低到10-3Ω·cm2数量级.通过研究在不同Pt+注入剂量(5×1015、1×1016、2×1014cm-2)和退火温度下接触电阻率的变化规律.在Pt+注入剂量为1×1016cm-2,300℃空气氛围中退火得到了最低的接触电阻率,为3.55×10-3Ω·cm2.探讨了Pt+离子注入引起欧姆接触改善的内在机制.     

纳米集成电路用硅基半导体材料

随着超大规模集成电路设计线宽向纳米尺寸过渡，对半导体硅材料的性能和参数提出了更加严格的要求。本文阐述了绝缘体上硅(SOI)和锗硅(SiGe)等主要硅基半导体材料的研究进展，讨论了这些材料应用于纳米集成电路和微电子、光电子器件的经济技术前景。     

Cu－9Ni－6Sn合金的形变热处理工艺

Ｃｕ－９Ｎｉ－６Ｓｎ是一种具有典型时效硬化特性的合金，对该合金的形变热处理工艺及与性能的关系进行了综述