Al2O3/Al陶瓷基复合材料的组织与性能

研究了反应自生复合的Ａｌ２Ｏ３／Ａｌ陶瓷基复合材料的组织与性能间的关系,结果表明,该复合材料的弯曲强度和断裂韧度受到组织中的铝合金含量和孔隙率的影响。当金属质量分数为２０％～３０％时,复合材料的弯曲强度和断裂韧度分别达到３８０～４２０ＭＰａ和８．５～９．５ＭＰａ·ｍ１２。组织中的孔隙对Ａｌ２Ｏ３／Ａｌ复合材料的性能是非常有害的,特别是当复合材料中的金属质量分数小于１０％时,孔隙对复合材料的性能危害更大。     

不同退火时间对[Ag/FePt]_(10)多层膜磁性能和微结构的影响

采用射频磁控溅射的方法,在玻璃基片上制备了不同Ag层厚度的[Ag/FePt 2nm]10多层薄膜,经550℃真空热处理后,得到L10有序结构的FePt薄膜.实验结果显示,FePt单层薄膜经550℃退火30min后其易磁化轴处于垂直方向和面内方向之间,而550℃退火60min后其易磁化轴处于垂直于膜面方向,垂直矫顽力和面内矫顽力分别为634和302kA/m;真空退火后[Ag/FePt]10多层膜表现为面内磁晶各向异性,550℃退火60min后[Ag 2.8nm/FePt 2nm]10多层薄膜垂直矫顽力和面内矫顽力分别为309和778kA/m,并且随着Ag层的加入,部分FePt颗粒已经被Ag原子隔开了,颗粒之间的交换耦合作用变弱了.     

晶粒尺寸对于Co基介质过渡区噪声影响的微磁学分析

采用微磁学方法分析晶粒尺寸对Co基垂直磁记录介质CoCrPt、TbFeCo和SmTbCo的磁化特征和过渡区噪声性能的影响。结果表明,随着晶粒尺寸的增加,3种Co基介质的矫顽力和矫顽力矩形比均下降,过渡区噪声(过渡区位置偏移σj)随晶粒尺寸的增加而线性增大。在以上3种材料中,TbFeCo介质具有最大的矫顽力、矫顽力矩形比和最小的噪声。因此,考虑到晶粒尺寸对介质矫顽力,矫顽力矩形比和过渡区噪声的综合影响,应该将介质的晶粒尺寸控制在较小的值。     

Al-Si-Cu-Mg-Zn合金的高温相变储热性能研究

制备了20种基于Al-Si-Cu-Mg-Zn合金的高温相变储热材料,采用综合热分析技术研究其储热性能。结果表明,20种储热材料的相变温度处于440℃~650℃之间,均具有较大的相变潜热,大部分储热材料的相变潜热在200 J.g-1以上。Al-Si合金储热材料具有较高的单位质量储热量;Al-Cu-Zn合金储热材料具有较大的单位体积储热量;Mg、Zn能显著降低相变温度,具有较好的扩大储热温度范围作用。     

我国陶瓷片密封水嘴产品质量现状分析及改进建议

根据2010年陶瓷片密封水嘴产品质量国家监督抽查结果,介绍了我国陶瓷片密封水嘴产品质量现状,对主要质量问题进行了原因分析并提出了改进建议,以及提出了行业发展的建议。     

[Fe/Pt]n多层膜中膜层结构对磁性能的影响

采用射频磁控溅射的方法,在玻璃基片上制备了不同膜层结构的[Fe/Pt]n多层膜,经不同温度真空热处理后,得到L10有序结构的FePt薄膜.实验结果表明,[Fe/Pt]n多层膜结构可以有效降低FePt薄膜的有序化温度,550℃退火30min后其平行膜面矫顽力可达320.3 kA/m;多层膜结构中,Pt层厚度与Fe层厚度相同时,矫顽力最大;Pt层和Fe层厚度相等且总厚度相同的情况下,Fe、Pt单层厚度越薄,有序化温度越低,且对应的矫顽力越大.     

NiFe纳米线磁化反转机制的微磁模拟

通过微磁模拟手段研究了不同形状参量的坡莫合金纳米线的反磁化机制.研究结果表明:不同颗粒尺寸时,磁化反转过程中不同阶段磁体的磁矩分布情况不一样,但整个磁化反转过程为多畴反转的过程.同时,矫顽力随着纳米线长径比的增大而减小,相同长径比下,颗粒直径大的纳米线矫顽力大,这主要与磁化反转机理有关.在磁化反转中,形状各向异性占有绝对的主导地位.     

Pt的含量对[Fe/Pt]n多层膜磁性能的影响

采用射频磁控溅射的方法,在玻璃基片上制备了不同膜层结构的[Fe/Pt]n多层膜,经不同温度真空热处理后,得到L10有序结构的FePt薄膜.实验结果表明,[Fe/Pt]n多层膜结构可以有效降低FePt薄膜的有序化温度,350℃退火30min后其平行膜面矫顽力可达1.6×105A/m;多层膜结构中,Pt层厚度与Fe层厚度相同时,矫顽力最大,当Fe、Pt层厚度比偏离1:1时,在Fe/Pt接触处易产生Fe3Pt和FePt3软磁相;Pt层和Fe层厚度相等且总厚度相同的情况下,Fe、Pt单层厚度越薄,有序化温度越低,且对应的矫顽力大.     

超分辨近场结构光磁混合存储介质的温度场模拟

为了进一步减小光磁混合存储记录位尺寸,建立了用于光磁混合存储记录介质的超分辨近场结构膜层模型、近场光场模型及温度场模型,采用有限元方法对超分辨近场结构光磁混合存储介质记录层的温度场进行了计算模拟.计算小采用日的光磁混合记录介质膜层结构为C(2 nm)/Sb(10 nm)/SiN(10 nm)/CO75Cr15Pt10(30 nm).当写入温度为550 K时,随着入射激光功率的增加,光磁混合存储介质记录层温度场可写入区域面积增加.当激光功率从3.9 mW增至6.9 mW时,温度场可写入区域横向及纵向尺寸增加约1倍,记录密度减小至原记录密度的1/4.     

Sn-Zn合金相变储热材料的热循环稳定性

以低熔点合金Sn和Zn为原料,制备了Sn-Zn合金,采用XRD,DSC和激光热常数测试仪对产物结构和热物理性能进行了表征。结果表明,Sn-9Zn合金相变温度为198.1℃,相变潜热为65.8J/g,热导率为53.4W/(m.K)。随着热循环次数的增加,合金相变温度略有升高,相变潜热和热导率逐渐降低。经500次热循环后,Sn-9Zn合金的相变温度、相变潜热和热导率变化均在5%以内。