Si基GaN薄膜的制备方法及结构表征

分别采用射频磁控溅射、热壁化学气相沉积(CVD)、电泳沉积法制备GaN薄膜。利用扫描电镜(SEM)、荧光光谱仪对样品进行结构、形貌和发光特性的分析比较。射频磁控溅射方法中,把SiC中间层沉淀到Si衬底上,目的是为了缓冲由GaN外延层和Si衬底的晶格失配造成的应力。结果证实了SiC中间层提高了GaN薄膜的质量。热壁化学气相沉积法制备GaN晶体膜时,选择H2作反应气体兼载体,有利于GaN膜的形成。电泳沉积法显示所得样品为六方纤锌矿结构的GaN多晶薄膜。结果表明:溅射法制备的GaN薄膜结晶效果好;CVD法制备时GaN薄膜应用范围广;电泳沉积法操作方便、简单易行。     

中频数字载波跟踪环路分析与计算

文中针对二阶模拟、数字锁相环模型,推导了开环和闭环传递函数。对载波跟踪环鉴相器、清除滤波器和DDS增益等做了较为详尽的理论分析,得到了环路增益和带宽的数学推导结果。系统测试结果表明,此跟踪环路计算方法经测试证明是正确的、可靠的,分机满足实际载波跟踪和数字解调的动态特性要求。     

300 mm Si片加工及最新发展

65 nm及以下线宽对Si片表面的各方面性能要求越来越高,主要体现在两个方面,一个是加工工艺,另一个是加工设备.在加工方法上,65 nm线宽用300 mm Si片不同于90 nm,如运用多步单片精密磨削,不仅可以提高表面几何参数,还可以减小表面特别是亚表面的损伤层.而对于加工设备,要求更加精密,特别是单面精抛光,在保证去除量的同时还要使Si片表面各点的去除量保持均匀.对目前300 mm Si片的磨削、抛光及清洗的每一道工艺流程,特别是相对于65 nm技术的一些加工流程及方法的最新发展进行了详细的论述,指出了300 mm Si片加工工艺的发展趋势.     

整机厂商各种解决方案确保可靠性评估

只要认真进行可靠性评估就可以事先发现问题，这是降低问题出现的唯一正确途径。因为原材料可靠性的好坏直接联系着产品质量的优劣，现在有很多厂商愿在模块，元器件等原材料的可靠性评估上投入足够的时间与资金（见图7），对原材料的检验各厂商虽然有所不同。     

Growth of SiO_2 nanowires on different substrates using Au as a catalyst

SiO_2 nanowires were prepared on a SiO_2/Si(111) or Si substrate using Au as a catalyst.The products were characterized using scanning electron microscopy(SEM) and X-ray photoelectron spectroscopy(XPS).SEM shows that large amounts of SiO_2 nanowires with a diameter of 20-150 nm and length of several nanometers were formed on the entire surface of the substrate.XPS analysis indicates that the nanowires have the composition of Si and O in an atomic ratio of about 1:2,and their composition approximates that...     

复合高斯海杂波环境下雷达虚警概率分析

针对在服从复合高斯分布的海杂波条件下,进行脉冲积累检测的非相干处理雷达,推导出了其检测变量因子的概率密度函数。由于复合高斯海杂波的分布形式较为复杂,导致直接求解其概率密度困难。为了在数学上获得上述条件下雷达系统的理论性能,文中借助一种基于矩生成函数的近似方法,得到了检测变量因子概率密度的高精度解析结果。经过仿真分析,结果表明该近似方法的精确性很高,并且可以方便地推导出雷达虚警概率等性能的解析结论。     

Ti6Al4V粉末选区激光熔化的基础实验研究

选区激光熔化是通过激光扫描粉末使其熔化并重新凝固、以逐层叠加的方式来完成零件直接制造的技术.从Ti6Al4V粉末单层烧结试验出发,基于工艺参数优化,得到了 Ti6Al4V粉末选区激光熔化的线能量密度指导性区间;以此为基础进行多层烧结,通过试样断面SEM图像得到了其内部结构,并结合金相、力学性能测试进行了综合分析.结果表...     

2.5D硅转接板TSV结构研究

针对结构参数对TSV可靠性影响不明确的问题,文中采用有限元分析和模型简化的方法,分析了TSV结构在温度循环条件下的应力应变分布,并进一步研究了铜柱直径、SiO₂层厚度以及TSV节距等结构参数对TSV结构可靠性的影响。结果表明,采用文中的方法简化模型后得出的结果拟合度在0.95以上;在TSV结构上施加温度循环载荷时,在SiO₂界面会出现应力集中,而在钝化层中会出现应变增大;改变铜柱直径、绝缘层厚度和TSV节距将显著影响TSV结构的可靠性;减小填充铜的直径、增加SiO₂层的厚度、增加TSV节距,都将有助于减小TSV结构的最大应力。     

一种基于遗传算法的微小型无人机返航航迹方法

本文针对微小型无人机在飞行过程中易受大风环境影响的问题,提出一种遍历性航迹策略对返航航迹进行重规划。通过增JJa-~行轨迹的覆盖范围,牺牲航程以达到安全回收的目的。采用遗传算法对问题进行求解,引入动态罚函数对适应度函数进行改进,有效缩减了算法的搜索空间。通过仿真验证了该方法能够生成安全返航航迹,且满足航迹约束。