3-(2,8,9-三氧杂-5-氮杂-1-锗三环[3.3.3.0]十一烷基)-3-(4-羟基-3-甲氧基苯基)丙酸的合成

以氧化锗、次亚磷酸钠、浓盐酸为原料经氧化还原反应合成三氯锗仿,三氯锗仿再与阿魏酸经麦克尔加成反应得到3-三氯锗基-3-(4-羟基-3-甲氧基苯基)丙酸,然后与甲醇钠反应生成3-三甲氧锗基-3-(4-羟基-3-甲氧基苯基)丙酸,再与三乙醇胺发生烷基转移反应生成标题化合物.     

略谈青花雕刻与新彩技艺

我作为一名陶瓷工艺研究者,研究的主要方向是陶瓷装饰技艺。但我最擅长的是青花雕刻与新彩的理解。目前大多数作品用的都是青花雕刻与新彩技艺。据我了解:在陶瓷设计当中,如果仅仅是采用单纯的青花装饰或雕刻装饰,未免使产品显得木纳,单一。他们分别有各自的局限。所以为了克服这些缺点,大胆创新,试用了青花与雕刻两种技法,试图将两者结合,创造     

蓄热水箱温度分层模型与分析

利用多节点模型描述蓄热水箱温度分层,将这种模型应用到太阳能生活供热系统中,研究温度分层对太阳能供热系统性能的影响。研究表明:水箱温度分层显著提高集热器效率,对平板集热器的影响大于真空管集热器。用水模式、供水温度、供回水温差,对水箱温度分层都有影响。     

分散染料微胶囊多次转移印花效果初探

分散染料被微胶囊化后,在不同的转印温度、转印时间、转印浓度下,对纯涤织物进行多次转移印花。通过测色仪测定织物的Ｋ／Ｓ值发现：分散染料微胶囊进行转印的次数在适当条件下可达１０次以上,且其Ｋ／Ｓ值可基本保持不变;不同的转印条件对胶囊化染料的转印效果有较大影响。     

63Sn-37Pb钎料合金耦合损伤时相关理论模型

在63Sn-37Pb钎料合金单轴时相关变形和失效行为研究的基础上,提出了耦合损伤时相关循环本构模型和疲劳失效模型;在模型中,引入了损伤演化方程,考虑了时相关效应;应用该理论模型对该钎料在不同应变率、不同应变幅值、不同保持时间及其历史下的变形行为及疲劳失效行为进行了模拟,并对疲劳寿命进行了预测。结果表明:该理论模型是合理有效的。     

基于SURF与Hough森林的人脸检测研究

为实现复杂场景中的人脸检测与定位,提出了一种基于快速鲁棒特征SURF与Hough森林的人脸检测算法。采用SURF局部特征构建Hough森林分类器,每个叶子节点存储类别信息与特征点到达目标中心的偏移量,在图像局部外观与Hough投票之间建立映射关系,生成有监督的判别式的码本,获得可靠的概率Hough投票,以此预测目标中心位置,提高了检测精度。与此同时,采用SURF局部特征提取图像兴趣点有助于减小计算量、加快检测速度。实验证明了所提算法的有效性。     

750 kV串抗并联避雷器泄漏电流表指示异常分析研究

针对一起换流站串抗避雷器的电流泄漏电流表出现指针异常满偏问题进行故障诊断,理论分析可能引起泄漏电流表指示异常的原因,通过开展一系列对比试验并结合建模仿真,重点研究了外界磁场和异常高电压对电流泄漏电流表指针偏转的影响,结果表明泄漏电流表指针偏转与串抗周围强磁场环境无关,而与其下引线处异常高电压有关。经综合分析,确定该电流泄漏电流表同避雷器并接于线路串抗两侧,其下引线处因无法接地而存在异常高电压是引起指针异常满偏的主要原因,随后提出处理建议。     

通用红外测试系统的精度分析

采用美国PI、Santa Barbara红外和Lumitron的红外测试设备,进行系统集成,构建成了通用的红外测试系统.它既能完成1 024×1 024元以下任意像元数的中波红外和长波红外焦平面阵列性能参数的测试,又能完成中波红外和长波红外热像仪系统级性能参数的测试,具有很好的适用性及技术的先进性.中波红外热像仪的测试结果NETD=15.8 mK,与CEDIP的结果15.13 mK相差0.67 mK.测试精度为±1.49 mK.长波制冷红外焦平面阵列探测器的测试结果NETD为26.47 mK,与Sofradir的结果24.43 mK相差2.04 mK,测试精度为±1.63 mK.     

中国水表产业现状与产业升级路径对策研究

水表产业是国民经济的基础产业,中国已经是水表制造大国,但在大口径水表、智能水表的设计及水表制造技术方面与国外知名品牌水表企业之间存在较大的差距。宁波作为中国水表之都,其产业水平代表中国水表产业技术现状。文章分析了国内外水表行业市场分布、水表行业存在的问题、水表检测及水表装配现状,提出了宁波水表产业升级的路径,通过水表自动化装配设备研发、培育航母级企业成立联合研究院、强化创新形成新增长极及建立专业人才培育机制等发展对策全面提升宁波水表产业技术水平。     

TMR传感器阵列测量电流的新型拓扑研究北大核心CSCD

通过传感器阵列和相应的算法减小乃至消除外部干扰电流产生的串扰误差是磁传感器电流测量技术研究中的一个重要问题。文中在对比了现有拓扑结构后,提出了一种双层环形传感器阵列拓扑结构,并对其测量误差进行了仿真计算与实验测量。仿真计算中对比了干扰电流的大小、相位、距离,以及被测导体偏离阵列中心等因素对测量误差的影响。利用8个高灵敏度的隧道磁阻(tunnel magnetoresistance,TMR)元件制作了电流传感器,并在单导体干扰和多导体干扰下进行了测试,实验结果表明其平均误差为1.79%,相对于单层四传感器的方法减小了约7%的误差。相比于其他拓扑结构,文中提出的结构抗干扰能力强,且无需复杂的算法,仅需基本的运算电路即可实现功能,具有较强的实用价值。