首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   969篇
  免费   64篇
  国内免费   46篇
电工技术   52篇
综合类   65篇
化学工业   86篇
金属工艺   60篇
机械仪表   100篇
建筑科学   67篇
矿业工程   21篇
能源动力   23篇
轻工业   89篇
水利工程   38篇
石油天然气   116篇
武器工业   19篇
无线电   119篇
一般工业技术   78篇
冶金工业   30篇
原子能技术   17篇
自动化技术   99篇
  2024年   10篇
  2023年   28篇
  2022年   28篇
  2021年   25篇
  2020年   46篇
  2019年   24篇
  2018年   32篇
  2017年   21篇
  2016年   19篇
  2015年   28篇
  2014年   36篇
  2013年   54篇
  2012年   72篇
  2011年   65篇
  2010年   47篇
  2009年   39篇
  2008年   62篇
  2007年   69篇
  2006年   56篇
  2005年   40篇
  2004年   39篇
  2003年   54篇
  2002年   23篇
  2001年   28篇
  2000年   12篇
  1999年   19篇
  1998年   12篇
  1997年   18篇
  1996年   12篇
  1995年   9篇
  1994年   5篇
  1993年   4篇
  1992年   7篇
  1991年   7篇
  1990年   2篇
  1989年   9篇
  1988年   3篇
  1987年   5篇
  1986年   3篇
  1985年   3篇
  1984年   3篇
  1959年   1篇
排序方式: 共有1079条查询结果,搜索用时 15 毫秒
101.
针对G.654.E光纤即将商用于超100 Gbit/s OTN系统而无相应规范标准的问题,本文首先利用香农定理和光信噪比公式理论分析传输速率的受制因素,接着分析OTN系统的最大光放段损耗值中的中继段损耗、活接头损耗和色散补偿光纤插损,然后推算出G.654.E光纤承载超100 Gbit/s OTN系统中不同传输速率下的复用段距离,并与实际测试值进行对比分析,最后结合骨干网络现状情况,提出G.654.E光纤承载超100 Gbit/s OTN技术应用建议。  相似文献   
102.
铁电随机存储器的研究进展   总被引:7,自引:0,他引:7  
吴淼  胡明  王兴  阎实 《压电与声光》2003,25(6):472-475
铁电薄膜与半导体集成技术相结合而发展起来的铁电存储器.以其高密度、高速度、非易失性及抗辐射性而大大优于目前任何一种半导体存储器。该文介绍了铁电存储器的存储原理、特点、基本存储单元、研究进展、应用及存在的问题,并指出1T结构的铁电随机存储器(FRAM)将会成为下一代随机存储器。  相似文献   
103.
以多孔硅作为绝热层材料,采用超高真空对靶磁控溅射镀膜法,在多孔硅样品表面和硅基底表面沉积氧化钒薄膜.实验采用电化学腐蚀法制备多孔硅,利用场致发射扫描电子显微镜观测了孔隙率为50%,60%,70%三个多孔硅样品的微观形貌.利用显微喇曼光谱法测量其热导率,分别为8.16,7.28和0.624W/mK;利用纳米压入仪测量氧化钒薄膜的显微硬度和杨氏模量,测得沉积在孔隙率为50%,60%,70%的多孔硅基底上氧化钒薄膜的显微硬度分别为1.917,0.928和0.13 GPa,杨氏模量分别为31.087,16.921和2.285 GPa,而沉积在单晶硅基底的氧化钒薄膜的显微硬度和杨氏模量分别为10.919 GPa和193.792 GPa,并分析了微观结构差异对多孔硅绝热性能和机械性能的影响,为非制冷红外探测器的工艺制作过程提供一定的热学力学参数.  相似文献   
104.
某型号超低噪声场效应管使用3~5年后,在气候潮热区域和时期会集中出现饱和漏电流、跨导减小的参数退化现象.首先对失效器件进行了电特性测试、热成像分析、聚焦离子束(FIB)分析、能谱分析,通过故障树法排除了过电应力、结温过高、芯片自身缺陷等可能失效原因;其次结合失效场效应管钝化层薄、环氧胶封等工艺特点以及特殊的失效环境,通过推理假设,最终试验验证得出:低噪声场效应管在长时间高温高湿的环境下,水汽穿透场效应管的环氧胶粘合线进入管壳内部,在电场集中的漏极区域水汽发生电化学反应对芯片造成腐蚀,最终引起参数退化.  相似文献   
105.
应用射频磁控溅射工艺在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备具有钙钛矿结构的PZT铁电薄膜。对影响PZT薄膜性能、形貌的工作气压、基片温度、氧/氩 氧之比、溅射功率、退火温度5个主要因素进行分析,在其允许范围和精度内设置5个水平,并根据均匀设计理论对该5因素及5水平进行均匀设计。不同温度下退火之后测定了PZT薄膜的厚度、SEM表面形貌、电容、介电损耗、电滞回线(包括矫顽场强、饱和极化强度、剩余极化强度)等。最后对响应结果进行多元二次线性回归,得出了回归方程。探讨达到最优化薄膜特性所需要的工艺条件。  相似文献   
106.
107.
未来通信网的发展方向—WDM网   总被引:4,自引:0,他引:4  
胡明  李乐民 《电信科学》1997,13(2):39-43
为了扩大现有通信网的容量,进一步挖掘光纤的频带资源,满足建设信息高速公路的需求,波分复用网前正受到国际上的广泛关注,人们不仅提出了许多网络管理及控制方法,而且已建立了一些试验网。本文对WDM网有其目前面临的一些关键问题较全面的阐述和分析。  相似文献   
108.
川西北部上三叠统须家河组储集岩主要为长石石英砂岩、长石岩屑石英砂岩。该储层砂岩是典型的低孔、低渗储集岩。以岩心观察为基础,结合对薄片鉴定、扫描电镜、阴极发光和物性等资料分析后认为,川西北上三叠统须家河组砂岩经历了压实作用、胶结作用、交代作用、溶解作用以及破裂作用等多种成岩作用,目前已达到了晚成岩阶段B期。成岩作用是控制该区储层物性的一个关键因素,在孔隙演化过程中,压实、胶结作用起主要破坏性作用,溶解、破裂作用起建设性作用。  相似文献   
109.
先驱体法制备了具有高纯钙钛矿相的Pb(Zr1/2Ti1/2)1-x(Nb2/3Mg1/3)xO3(PZT-PMN)体系压电陶瓷。按配比在650~800℃预烧合成了B位(ZrTiO4)1-x-(MgNb2O6)x的固溶体,X-射线衍射(XRD)分析表明了该B位先驱体氧化物在750℃预合成后呈类似ZrTiO4的单相结构,用该B位先驱体与PbCO3煅烧后可生成具有高纯的钙钛矿相的陶瓷粉料。通过对体系压电性能与配比x的关系研究发现,在准同型相界附近四方相一侧的配比x=0.1处,该系统压电性能达最大。通过掺杂Nb5 含量为0.02可使机电耦合系数(kp)达到0.637。  相似文献   
110.
主要介绍了红外探测器的分类、发展,及基于氧化钒薄膜的热探测器的优势;采用直流对靶磁控溅射法制备氧化钒薄膜,通过设计正交实验,获得了氧化钒薄膜的最佳制备参数,分析了各个制备参数对氧化钒薄膜成分以及TCR的影响,研究了硅衬底上氧化钒薄膜电阻温度系数与电阻之间的关系.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号