全文获取类型
收费全文 | 969篇 |
免费 | 64篇 |
国内免费 | 46篇 |
专业分类
电工技术 | 52篇 |
综合类 | 65篇 |
化学工业 | 86篇 |
金属工艺 | 60篇 |
机械仪表 | 100篇 |
建筑科学 | 67篇 |
矿业工程 | 21篇 |
能源动力 | 23篇 |
轻工业 | 89篇 |
水利工程 | 38篇 |
石油天然气 | 116篇 |
武器工业 | 19篇 |
无线电 | 119篇 |
一般工业技术 | 78篇 |
冶金工业 | 30篇 |
原子能技术 | 17篇 |
自动化技术 | 99篇 |
出版年
2024年 | 10篇 |
2023年 | 28篇 |
2022年 | 28篇 |
2021年 | 25篇 |
2020年 | 46篇 |
2019年 | 24篇 |
2018年 | 32篇 |
2017年 | 21篇 |
2016年 | 19篇 |
2015年 | 28篇 |
2014年 | 36篇 |
2013年 | 54篇 |
2012年 | 72篇 |
2011年 | 65篇 |
2010年 | 47篇 |
2009年 | 39篇 |
2008年 | 62篇 |
2007年 | 69篇 |
2006年 | 56篇 |
2005年 | 40篇 |
2004年 | 39篇 |
2003年 | 54篇 |
2002年 | 23篇 |
2001年 | 28篇 |
2000年 | 12篇 |
1999年 | 19篇 |
1998年 | 12篇 |
1997年 | 18篇 |
1996年 | 12篇 |
1995年 | 9篇 |
1994年 | 5篇 |
1993年 | 4篇 |
1992年 | 7篇 |
1991年 | 7篇 |
1990年 | 2篇 |
1989年 | 9篇 |
1988年 | 3篇 |
1987年 | 5篇 |
1986年 | 3篇 |
1985年 | 3篇 |
1984年 | 3篇 |
1959年 | 1篇 |
排序方式: 共有1079条查询结果,搜索用时 15 毫秒
101.
针对G.654.E光纤即将商用于超100 Gbit/s OTN系统而无相应规范标准的问题,本文首先利用香农定理和光信噪比公式理论分析传输速率的受制因素,接着分析OTN系统的最大光放段损耗值中的中继段损耗、活接头损耗和色散补偿光纤插损,然后推算出G.654.E光纤承载超100 Gbit/s OTN系统中不同传输速率下的复用段距离,并与实际测试值进行对比分析,最后结合骨干网络现状情况,提出G.654.E光纤承载超100 Gbit/s OTN技术应用建议。 相似文献
102.
103.
以多孔硅作为绝热层材料,采用超高真空对靶磁控溅射镀膜法,在多孔硅样品表面和硅基底表面沉积氧化钒薄膜.实验采用电化学腐蚀法制备多孔硅,利用场致发射扫描电子显微镜观测了孔隙率为50%,60%,70%三个多孔硅样品的微观形貌.利用显微喇曼光谱法测量其热导率,分别为8.16,7.28和0.624W/mK;利用纳米压入仪测量氧化钒薄膜的显微硬度和杨氏模量,测得沉积在孔隙率为50%,60%,70%的多孔硅基底上氧化钒薄膜的显微硬度分别为1.917,0.928和0.13 GPa,杨氏模量分别为31.087,16.921和2.285 GPa,而沉积在单晶硅基底的氧化钒薄膜的显微硬度和杨氏模量分别为10.919 GPa和193.792 GPa,并分析了微观结构差异对多孔硅绝热性能和机械性能的影响,为非制冷红外探测器的工艺制作过程提供一定的热学力学参数. 相似文献
104.
某型号超低噪声场效应管使用3~5年后,在气候潮热区域和时期会集中出现饱和漏电流、跨导减小的参数退化现象.首先对失效器件进行了电特性测试、热成像分析、聚焦离子束(FIB)分析、能谱分析,通过故障树法排除了过电应力、结温过高、芯片自身缺陷等可能失效原因;其次结合失效场效应管钝化层薄、环氧胶封等工艺特点以及特殊的失效环境,通过推理假设,最终试验验证得出:低噪声场效应管在长时间高温高湿的环境下,水汽穿透场效应管的环氧胶粘合线进入管壳内部,在电场集中的漏极区域水汽发生电化学反应对芯片造成腐蚀,最终引起参数退化. 相似文献
105.
应用射频磁控溅射工艺在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备具有钙钛矿结构的PZT铁电薄膜。对影响PZT薄膜性能、形貌的工作气压、基片温度、氧/氩 氧之比、溅射功率、退火温度5个主要因素进行分析,在其允许范围和精度内设置5个水平,并根据均匀设计理论对该5因素及5水平进行均匀设计。不同温度下退火之后测定了PZT薄膜的厚度、SEM表面形貌、电容、介电损耗、电滞回线(包括矫顽场强、饱和极化强度、剩余极化强度)等。最后对响应结果进行多元二次线性回归,得出了回归方程。探讨达到最优化薄膜特性所需要的工艺条件。 相似文献
106.
107.
未来通信网的发展方向—WDM网 总被引:4,自引:0,他引:4
为了扩大现有通信网的容量,进一步挖掘光纤的频带资源,满足建设信息高速公路的需求,波分复用网前正受到国际上的广泛关注,人们不仅提出了许多网络管理及控制方法,而且已建立了一些试验网。本文对WDM网有其目前面临的一些关键问题较全面的阐述和分析。 相似文献
108.
109.
先驱体法制备了具有高纯钙钛矿相的Pb(Zr1/2Ti1/2)1-x(Nb2/3Mg1/3)xO3(PZT-PMN)体系压电陶瓷。按配比在650~800℃预烧合成了B位(ZrTiO4)1-x-(MgNb2O6)x的固溶体,X-射线衍射(XRD)分析表明了该B位先驱体氧化物在750℃预合成后呈类似ZrTiO4的单相结构,用该B位先驱体与PbCO3煅烧后可生成具有高纯的钙钛矿相的陶瓷粉料。通过对体系压电性能与配比x的关系研究发现,在准同型相界附近四方相一侧的配比x=0.1处,该系统压电性能达最大。通过掺杂Nb5 含量为0.02可使机电耦合系数(kp)达到0.637。 相似文献
110.