下一代WDM网络核心技术--光突发交换

阐述了光突发交换技术的基本原理，并对OBS中突发交换、突发排队、突发汇聚和资源竞争等关键技术进行了介绍。     

Nano-WO3 film modified macro-porous silicon（MPS） gas sensor

We prepared macro-porous silicon（MPS） by electrochemical corrosion in a double-tank cell on the surface of single-crystalline P-type silicon.Then,nano-WO₃ films were deposited on MPS layers by DC facing target reactive magnetron sputtering.The morphologies of the MPS and WO₃/MPS samples were investigated by using a field emission scanning electron microscope.The crystallization of WO₃ and the valence of the W in the WO₃/MPS sample were characterized by X-ray diffraction and X-ray photoelectron spectroscopy,respectively. The gas sensing properties of MPS and WO₃/MPS gas sensors were thoroughly measured at room temperature. It can be concluded that:the WO₃/MPS gas sensor shows the gas sensing properties of a P-type semiconductor gas sensor.The WO₃/MPS gas sensor exhibits good recovery characteristics and repeatability to 1 ppm NO₂.The addition of WO₃ can enhance the sensitivity of MPS to NO₂.The long-term stability of a WO₃/MPS gas sensor is better than that of an MPS gas sensor.The sensitivity of the WO₃/MPS gas sensor to NO₂ is higher than that to NH₃ and C₂H₅OH.The selectivity of the MPS to NO₂ is modified by deposited nano-WO₃ film.     

G.654.E光纤承载超100Gbit/s OTN系统应用分析

针对G.654.E光纤即将商用于超100 Gbit/s OTN系统而无相应规范标准的问题,本文首先利用香农定理和光信噪比公式理论分析传输速率的受制因素,接着分析OTN系统的最大光放段损耗值中的中继段损耗、活接头损耗和色散补偿光纤插损,然后推算出G.654.E光纤承载超100 Gbit/s OTN系统中不同传输速率下的复用段距离,并与实际测试值进行对比分析,最后结合骨干网络现状情况,提出G.654.E光纤承载超100 Gbit/s OTN技术应用建议。     

铁电随机存储器的研究进展

铁电薄膜与半导体集成技术相结合而发展起来的铁电存储器．以其高密度、高速度、非易失性及抗辐射性而大大优于目前任何一种半导体存储器。该文介绍了铁电存储器的存储原理、特点、基本存储单元、研究进展、应用及存在的问题，并指出1T结构的铁电随机存储器(FRAM)将会成为下一代随机存储器。     

Pt-W03薄膜气敏传感器的气敏性能研究

用直流反应磁控溅射法制备了Pt-WO3气敏薄膜,进行了薄膜晶体结构和表面形貌的分析,研究了添加Pt对WO3电学和气敏特性的影响.实验证明:当Pt膜厚为4 nm时,WO3薄膜对气体的敏感特性得到改善,对(∮)(NO2)=5和(∮)(NH3)=10×10-6的工作温度均降低了50℃,灵敏度分别达到11.5和900,是纯WO3薄膜的2～3倍,且响应时间缩短.     

SOI技术及其发展和应用

绝缘衬底上的硅(SOI)技术被誉为"21世纪的微电子技术"。它可消除或减轻体硅中的体效应、寄生效应及小尺寸效应等。该文对注氧隔离、键合再减薄、键合和注入相结合及外延层转移等SOI的几种主流制备技术进行了概述,着重介绍了SOI在抗辐照、耐高温等高性能专用电路、光电子、微机械方面以及三维集成电路等领域的主要应用,最后讨论了近几年来SOI技术研究和发展的新动向。     

碳纳米管冷阴极材料制备及其场发射性能研究

在场发射显示器技术领域,碳纳米管被认为是目前最有前途的场发射冷阴极材料之一。碳纳米管具有低的场发射阈值电场,高的发射电流密度使它们比传统的热阴极材料以及其他的场发射冷阴极材料更适于实际的技术应用。介绍了碳纳米管的制备方法和场发射原理,并对碳纳米管的场发射性能研究进行了综合的评述。     

非制冷红外探测器多孔硅绝热层的研究

以多孔硅作为绝热层材料,采用超高真空对靶磁控溅射镀膜法,在多孔硅样品表面和硅基底表面沉积氧化钒薄膜.实验采用电化学腐蚀法制备多孔硅,利用场致发射扫描电子显微镜观测了孔隙率为50%,60%,70%三个多孔硅样品的微观形貌.利用显微喇曼光谱法测量其热导率,分别为8.16,7.28和0.624W/mK;利用纳米压入仪测量氧化钒薄膜的显微硬度和杨氏模量,测得沉积在孔隙率为50%,60%,70%的多孔硅基底上氧化钒薄膜的显微硬度分别为1.917,0.928和0.13 GPa,杨氏模量分别为31.087,16.921和2.285 GPa,而沉积在单晶硅基底的氧化钒薄膜的显微硬度和杨氏模量分别为10.919 GPa和193.792 GPa,并分析了微观结构差异对多孔硅绝热性能和机械性能的影响,为非制冷红外探测器的工艺制作过程提供一定的热学力学参数.     

Pt—WO3薄膜气敏传感器的气敏性能研究

用直流反应磁控溅射法制备了Pt-WO3气敏薄膜,进行了薄膜晶体结构和表面形貌的分析,研究了添加Pt对WO3电学和气敏特性的影响。实验证明:当Pt膜厚为4 nm时,WO3薄膜对气体的敏感特性得到改善,对φ(NO2)=5×10-6和φ(NH3)=10×10-6的工作温度均降低了50℃,灵敏度分别达到11.5和900,是纯WO3薄膜的2~3倍,且响应时间缩短。