松辽盆地南部大情字井地区嫩三、四段进积型浅水三角洲沉积特征及发育模式

为了研究松辽盆地南部大情字井地区嫩三、四段进积型浅水三角洲沉积特征以及预测有利储层分布,利用岩心、测井及录井等资料,对大情字井地区嫩三、四段沉积相、砂体发育规律等进行了详细研究.结果表明:松辽盆地南部大情字井地区嫩三、四段为一套形成于基准面不断下降时期的进积沉积序列,主要发育湖泊—浅水三角洲沉积体系,受湖平面持续下降的...     

出砂气井携砂产能研究

疏松砂岩气藏在开采过程中容易出砂,采取完全防砂的方式进行开采,既增加了气井的成本,又降低了气藏的开发速度.为此,提出疏松砂岩气藏采取允许地层适量出砂的开采方式.通过对井筒中固体颗粒的受力分析,建立了颗粒的力学平衡方程,并由此得到了气井携砂的临界产量公式.经过实例分析证明,所推导的临界携砂产量公式较为准确和适用.     

硅芯塑管在光缆通信线路中的应用

目前，先进国家普遍采用硅芯塑管作为光缆通信干线及高速公路通信的管道。经多年实践证明，光缆通信管道化在保证通信质量、安全，提高建设施工速度，降低生产成本等诸方面都有不可比拟的优越性。     

烧结压力对β-SiC_p/Cu复合材料组织结构及热物性的影响

对β-SiC颗粒表面进行化学镀铜处理,镀铜后SiC复合粉体与铜粉均匀混合。利用热压烧结技术制备β-SiCp/Cu电子封装复合材料,分析了烧结压力对β-SiCp/Cu复合材料的显微组织结构、相对密度和热膨胀系数的影响规律。结果表明:SiC颗粒表面均匀包覆铜,热压烧结后SiC颗粒在复合材料中分布均匀;当烧结温度为730℃,随着烧结压力的增大,体积分数为50%的β-SiCp/Cu复合材料的相对密度逐渐增大,热膨胀系数逐渐升高,热导率逐渐增大。     

Pt-W03薄膜气敏传感器的气敏性能研究

用直流反应磁控溅射法制备了Pt-WO3气敏薄膜,进行了薄膜晶体结构和表面形貌的分析,研究了添加Pt对WO3电学和气敏特性的影响.实验证明:当Pt膜厚为4 nm时,WO3薄膜对气体的敏感特性得到改善,对(∮)(NO2)=5和(∮)(NH3)=10×10-6的工作温度均降低了50℃,灵敏度分别达到11.5和900,是纯WO3薄膜的2～3倍,且响应时间缩短.     

Pt—WO3薄膜气敏传感器的气敏性能研究

用直流反应磁控溅射法制备了Pt-WO3气敏薄膜,进行了薄膜晶体结构和表面形貌的分析,研究了添加Pt对WO3电学和气敏特性的影响。实验证明:当Pt膜厚为4 nm时,WO3薄膜对气体的敏感特性得到改善,对φ(NO2)=5×10-6和φ(NH3)=10×10-6的工作温度均降低了50℃,灵敏度分别达到11.5和900,是纯WO3薄膜的2~3倍,且响应时间缩短。     

SOI技术及其发展和应用

绝缘衬底上的硅(SOI)技术被誉为"21世纪的微电子技术"。它可消除或减轻体硅中的体效应、寄生效应及小尺寸效应等。该文对注氧隔离、键合再减薄、键合和注入相结合及外延层转移等SOI的几种主流制备技术进行了概述,着重介绍了SOI在抗辐照、耐高温等高性能专用电路、光电子、微机械方面以及三维集成电路等领域的主要应用,最后讨论了近几年来SOI技术研究和发展的新动向。     

碳纳米管冷阴极材料制备及其场发射性能研究

在场发射显示器技术领域,碳纳米管被认为是目前最有前途的场发射冷阴极材料之一。碳纳米管具有低的场发射阈值电场,高的发射电流密度使它们比传统的热阴极材料以及其他的场发射冷阴极材料更适于实际的技术应用。介绍了碳纳米管的制备方法和场发射原理,并对碳纳米管的场发射性能研究进行了综合的评述。     

Nano-WO3 film modified macro-porous silicon（MPS） gas sensor

We prepared macro-porous silicon（MPS） by electrochemical corrosion in a double-tank cell on the surface of single-crystalline P-type silicon.Then,nano-WO₃ films were deposited on MPS layers by DC facing target reactive magnetron sputtering.The morphologies of the MPS and WO₃/MPS samples were investigated by using a field emission scanning electron microscope.The crystallization of WO₃ and the valence of the W in the WO₃/MPS sample were characterized by X-ray diffraction and X-ray photoelectron spectroscopy,respectively. The gas sensing properties of MPS and WO₃/MPS gas sensors were thoroughly measured at room temperature. It can be concluded that:the WO₃/MPS gas sensor shows the gas sensing properties of a P-type semiconductor gas sensor.The WO₃/MPS gas sensor exhibits good recovery characteristics and repeatability to 1 ppm NO₂.The addition of WO₃ can enhance the sensitivity of MPS to NO₂.The long-term stability of a WO₃/MPS gas sensor is better than that of an MPS gas sensor.The sensitivity of the WO₃/MPS gas sensor to NO₂ is higher than that to NH₃ and C₂H₅OH.The selectivity of the MPS to NO₂ is modified by deposited nano-WO₃ film.