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21.
目的以人群调查研究方式对我国部分地区婴儿及婴儿配方粉中梭状芽胞杆菌污染水平进行分析,获得我国婴儿人群梭状芽胞杆菌暴露水平数据。方法在我国六个省(自治区)设点,调查婴儿人群的基本信息,并对相关人群的粪便标本以及食品、环境和所在地市售婴儿配方粉样品进行采集,对所有样品/标本进行梭状芽胞杆菌检测。结果本研究共调查婴儿501人。按照喂养方式分组,包括纯母乳喂养247人,混合/人工喂养254人。按照年龄分组,包括0~6月龄367人,7~12月龄134人。采集样品813份,其中246份样品/标本中分离出梭状芽胞杆菌246株,总检出率为30.3%(246/813),其中检出率较高的梭状芽胞杆菌分别为生胞梭菌(8.4%,68/813)、双酶梭菌(6.2%,50/813)和丁酸梭菌(4.6%,37/813);梭状芽胞杆菌分离率最高的为粪便标本(37.3%,187/501),之后依次为市售婴儿配方粉样品(22.3%,27/121)、环境样品(19.5%,25/128)和食品样品(11.1%,7/63);其中混合/人工喂养组检出率高于纯母乳喂养组,7~12月龄组检出率高于0~6月龄组,差异均有统计学意义(χ~2=40.833,P0.01;χ~2=27.829,P0.01)。结论我国部分地区婴儿食用的食品及生活的环境中梭状芽胞杆菌暴露水平较高。 相似文献
22.
23.
HgCdTe焦平面探测阵列干法技术的刻蚀速率研究 总被引:4,自引:3,他引:1
首次报道了HgCdTe焦平面探测器微台面列阵成形工艺的干法技术有关刻蚀速率的一些研究结果。从HgCdTe外延材料的特点出发,详细分析了其干法刻蚀适用的R IE(Reactive Ion Etching)设备、刻蚀原理以及刻蚀速率的影响因素。采用ICP ( Inductively Coup led Plasma)增强型R IE技术,研究了一种标准刻蚀条件的微负载效应( etch lag)对刻蚀速率的影响,以及刻蚀非线性问题,并获得刻蚀速率随时间的关系。 相似文献
24.
利用剥层分析技术对已知失效的HgCdTe光导探测器进行逆向分析,研究了器件制造过程中主要工艺引入的缺陷以及形貌,寻找器件失效原因,并分析了工艺损伤与器件电性能的关系。 相似文献
25.
对三种不同工艺的HgCdTe长波器件(标准工艺、回熔处理、离子注入后退火)的Ⅰ-Ⅴ性能分别进行测试,并通过理论计算与实验数据拟合提取上述器件参数,分析暗电流机制及导致暗电流变化的原因.文章中使用的暗电流机制的模型由扩散电流、产生-复合电流、缺陷辅助隧道电流和直接隧道电流组成.从拟合得到的器件参数中可以发现回熔过程中产生了大量的缺陷,导致缺陷辅助隧道电流、产生复合电流显著增加,器件反偏电阻减小,Ⅰ-Ⅴ性能变差.与离子注入后退火器件的性能变化相比,推测导致器件回熔后性能下降的原因是ZnS钝化层受热不稳定. 相似文献
26.
In 柱制备是红外焦平面器件倒焊互连的关键工艺,In 柱高度是评价In 柱制备工艺水平的基本指标。通常的In 柱高度统计方法为随机采样人工显微镜观测法,此方法由于采样点较少将导致统计结果不全面,另一方面由于In 柱表面形貌的微观特性,人工显微镜观测引入的主观偏差将使统计结果不准确。提出了一种更合理可行的In 柱高度统计方法,首先使用激光共聚焦显微镜对In 柱表面形貌进行扫描,再利用MATLAB 软件对扫描数据进行分析以统计In 柱高度,分析时考虑In 柱表面微观形貌对In 柱高度的影响。利用此方法对1616 面阵的红外焦平面器件读出电路进行了In 柱高度统计,统计结果优于随机采样人工显微镜观测法。为评价In 柱制备工艺水平提供了更客观准确的 In 柱高度数据。 相似文献
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28.
生活污水与工业废水中含有大量各类有机物。当其污染水域后,这些有机物在水体中分解时要消耗大量溶解氧,从而破坏水体中氧的平衡,使水质恶化。水体因缺氧造成鱼类及其它水生生物的死亡。 相似文献
29.
宣钢360M2烧结机计算机控制系统采用三电一体化控制系统,系统具有较高的灵活性、安全性、可追溯性以及高生产性.本文详细介绍了施耐德 Quantum PLC 自动控制系统的组成、特点和功能,及在烧结机自动控制系统中关键技术的应用.三电一体化的功能,使操作过程简便化、清晰化,安全化,有效降低了自控系统导致的生产失误和事故. 相似文献
30.
为制备良好的碲镉汞金属接触,研究了热退火处理对中短波Hg空位掺杂碲镉汞金属接触的影响。对中短波HgCdTe-Sn/Au接触及中波HgCdTe-Cr/Au接触经不同条件退火后的接触进行了测量。对于短波碲镉汞,p型HgCdTe-Sn/Au接触经95℃,30 min退火可降低比接触电阻2个量级,而经125℃,30 min退火可降低3个量级;离子注入的n型HgCdTe-Sn/Au接触则容易形成欧姆接触。对于中波碲镉汞,退火前p型HgCdTe-Sn/Au接触平均比接触电阻为10-1Ωcm2量级,经适当条件退火可以降低3个量级;此外,Sn/Au比Cr/Au更适合作为中波HgCdTe的接触金属。因而HgCdTe金属接触可通过一定退火处理得到改善。 相似文献