傅里叶红外显微光谱技术测量HgCdTe晶片组分分布与截止波长分布

运用傅里叶红外显生光谱技术测量了ＨｇＣｄＴｅ晶片上透射光谱分析，并通过编程处理，得到ＨｇＣｄＴｅ晶片组分分布和截止波长分布图。     

HgCdTe长波光电二极管列阵的等离子体修饰

报道了HgCdTe长波离子注入n+-on-p型光电二极管列阵低能氢等离子体修饰的研究成果.基于采用分子束外延(MBE)技术生长的HgCdTe/CdTe薄膜材料,通过注入窗口的光刻与选择性腐蚀、注入阻挡层的生长、形成光电二极管的B+注入、光电二极管列阵的低能氢等离子体修饰、金属化和铟柱列阵的制备等工艺,得到了氢等离子体修饰的n+-on-p型HgCdTe长波光电二极管列阵.从温度为78 K的电流与电压(I-V)和动态阻抗与电压(R-V)特性曲线中,发现经过低能氢等离子体修饰的HgCdTe红外长波光电二极管列阵动态阻抗极大值比未经过修饰处理的提高了1～2倍,并在反向偏压大于动态阻抗极大值所处的偏压时动态阻抗得到更为明显的提升.这表明低能氢等离子体修饰可以抑制HgCdTe光电二极管列阵暗电流中的带带直接隧穿电流Ibbt和缺陷辅助隧穿电流Itat,从而能提高长波红外焦平面探测器工作的动态范围和探测性能的均匀性.     

回熔过程对HgCdTe长波红外光伏探测器的Ⅰ-Ⅴ性能的影响

对三种不同工艺的HgCdTe长波器件(标准工艺、回熔处理、离子注入后退火)的Ⅰ-Ⅴ性能分别进行测试,并通过理论计算与实验数据拟合提取上述器件参数,分析暗电流机制及导致暗电流变化的原因.文章中使用的暗电流机制的模型由扩散电流、产生-复合电流、缺陷辅助隧道电流和直接隧道电流组成.从拟合得到的器件参数中可以发现回熔过程中产生了大量的缺陷,导致缺陷辅助隧道电流、产生复合电流显著增加,器件反偏电阻减小,Ⅰ-Ⅴ性能变差.与离子注入后退火器件的性能变化相比,推测导致器件回熔后性能下降的原因是ZnS钝化层受热不稳定.     

利用MATLAB 进行焦平面探测器的In 柱高度自动统计

In 柱制备是红外焦平面器件倒焊互连的关键工艺,In 柱高度是评价In 柱制备工艺水平的基本指标。通常的In 柱高度统计方法为随机采样人工显微镜观测法,此方法由于采样点较少将导致统计结果不全面,另一方面由于In 柱表面形貌的微观特性,人工显微镜观测引入的主观偏差将使统计结果不准确。提出了一种更合理可行的In 柱高度统计方法,首先使用激光共聚焦显微镜对In 柱表面形貌进行扫描,再利用MATLAB 软件对扫描数据进行分析以统计In 柱高度,分析时考虑In 柱表面微观形貌对In 柱高度的影响。利用此方法对1616 面阵的红外焦平面器件读出电路进行了In 柱高度统计,统计结果优于随机采样人工显微镜观测法。为评价In 柱制备工艺水平提供了更客观准确的 In 柱高度数据。     

双色红外焦平面研究进展

介绍了叠层双色红外焦平面的发展背景和适用的材料体系,及其在国际上的发展现状,重点论述了叠层双色探测器结构类型及其探测特点,最后介绍了国内碲镉汞叠层双色焦平面的研究进展。报道了基于n⁺_-p-P-P-N多层异质结Hg_1-xCd_xTe材料的叠层中波/短波（256×1）×2红外双色焦平面器件研制及性能。在77 K液氮温度下,红外焦平面探测器的两个波段的截止波长λ_c分别为2.8 μm和3.9 μm,中波/短波焦平面的平均单色探测率D*_λp分别为1.8×10¹¹ cmHz^1/2/W和9.6×10¹⁰ cmHz^1/2/W。     

FTIR确定碲镉汞晶片的组分与截止波长

采用傅立叶变换红外（ＦＴＩＲ）透射的方法测量了碲镉汞晶片在不同厚度下的透射曲线，运用经验公式确定了其组分及８０Ｋ时的截止波长，并同实测的响应光谱得到的截止波长进行了比较，结果表明，采用该方法预测的截止波长同实际的截止波长相对偏差为２．５％，从而为碲镉汞器件制备工艺中材料的筛选、提高投片的准确率提供了重要的参考依据．     

硫化氢分解制取氢和单质硫研究进展

综述了硫化氢分解制氢和硫技术的研究进展,包括反应原理,高温热分解法、催化热分解法、超绝热分解法、电化学法、微波分解法、等离子体法和光催化分解法等硫化氢分解制氢和硫技术,并比较和分析了各技术的优缺点,展望了的未来发展趋势。     

利用Hg1—xCdxTe本征区反射峰确定其截止波数和组分

利用ＦＴＩＲ光谱仪测量了一组Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ样品的透射和反射光谱，利用透射测量确定样品的组分，在反射光谱中明显地观察到一个反射极大点，考虑直接带隙样品捐收系数以及Ｋ－Ｋ关系，理论分析得到反射极大点出现的范围为Ｅｇ〈ｈωｍ〈２Ｅｇ，通过反射极大点的波数与截止波烤的比较，得现两者之间存在正比关系的结论，其比例常数为１．０９２。     

HgCdTe探测器应力的多重晶X射线衍射分析

HgCdTe光伏探测器的钝化介质膜应力常常限制其低温性能,利用高分辨率多重晶X射线衍射仪中的三重晶衍射技术和倒易空间作图对钝化介质膜应力进行了表征,发现在较高溅射能量下沉积的钝化膜,由于应力的作用,HgCdTe晶片出现弯曲,并有大量镶嵌结构,而在较低的溅射能量下和热蒸发下沉积的钝化膜,晶面未出现明显弯曲,可获得较低应力的钝化介质层。     

婴儿配方粉及生产加工环节微生物污染情况调查

目的了解婴儿配方粉及生产加工环节中微生物污染状况。方法采自某企业婴儿配方粉原料、设备、人员及成品等共880份样品,按SN/T 0738—1997《出口食品中肠杆菌科检验方法》和GB 4789系列规定的方法进行肠杆菌科、阪崎肠杆菌和蜡样芽胞杆菌检测。结果肠杆菌科检出率为28.41%(250/880),阪崎肠杆菌检出率为0.46%(4/872),蜡样芽胞杆菌检出率为16.94%(31/183);原料中肠杆菌科污染最高(40.00%,40/100);预处理车间人员、设备和环境表面共检出4株阪崎肠杆菌;成品中蜡样芽胞杆菌检出率为22.73%(10/44)。结论婴儿配方粉及生产加工环节均存在微生物污染情况,企业及相关部门应从原料、生产环节、环境等多方面严格把关,确保产品质量。