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52.
频谱感知是认知无线电系统的关键技术之一,协作频谱感知能够提高频谱感知性能。首先定义了修正后的误检概率,然后以能量检测为基础,推导了在不同判决门限下为使误检概率达到最小的最优感知用户数目,并根据最优感知用户数目进行协作频谱感知。仿真结果表明,与传统的K秩准则相比,文章所提算法能够有效提高感知性能。 相似文献
53.
用倒易二维点阵对HgCdTe光伏探测器钝化及其热处理行为进行了研究,发现测射沉积的钝化膜会引起HgCdTe的晶面弯曲,严重的会出现晶面扭曲和mosaic结构,而钝化后的热处理能改善MCT晶体的完整性,在不同的钝化介质层钝化MCT的研究中发现,ZnS钝化层在高温下并不稳定,而CdTe钝化层却能保持较高的耐温性能。 相似文献
54.
55.
对采用单层ZnS和双层CdTe/ZnS两种钝化层结构的长波碲镉汞光伏器件进行了实时γ辐照效应研究.通过辐照过程中实时测试器件的电流-电压特性,发现随着辐照剂量的增加,两种器件表现出不同的辐照效应.结合光伏器件的电流机制分析,对器件的电阻-电压曲线进行数值拟合,发现器件的主要电流机制在偏压较大时为间接隧道电流,在偏压较小及零偏压附近时为产生-复合电流.对辐照前后器件的电阻-电压曲线进行对比分析,认为CdTe/ZnS双层钝化结构有助于降低辐照位移效应的影响,使得器件间接隧道电流随辐照剂量无明显的增加;同时发现辐照电离效应的影响与器件材料的初始性能参数密切相关,拟合得到ZnS单层钝化结构的器件具有较高的少子产生-复合寿命,受电离效应的影响较大,导致其产生-复合电流随着辐照剂量增加持续增大. 相似文献
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报道了HgCdTe p^ -on-o长波异质结焦平面器件的研究结果.采用由分子柬外延(MBE)和原位掺杂技术生长的P^ -on-n异质结材料,通过湿法腐蚀、台面钝化、台面金属化、铟柱制备和互连等工艺,得到了HgCdTe p^ -on-o长波异质结焦平面器件.根据,I-V实验结果和暗电流理论,拟合计算和分析了各种暗电流机制对器件性能的影响.且获得了器件的响应光谱和探测率。 相似文献
58.
不同钝化结构的HgCdTe光伏探测器暗电流机制 总被引:7,自引:0,他引:7
在同一HgCdTe晶片上制备了单层ZnS钝化和双层(CdTe+ZnS)钝化的两种光伏探测器,对器件的性能进行了测试,发现双层钝化的器件具有较好的性能.通过理论计算,分析了器件的暗电流机制,发现单层钝化具有较高的表面隧道电流.通过高分辨X射线衍射中的倒易点阵技术研究了单双层钝化对HgCdTe外延层晶格完整性的影响,发现单层ZnS钝化的HgCdTe外延层产生了大量缺陷,而这些缺陷正是单层钝化器件具有较高表面隧道电流的原因. 相似文献
59.
本文报道了用快速加热化学气相淀积方法,乙烯(C2H4)作为C源在Si(100)衬底上生长Si1-x-yGexCy合金薄膜的实验结果,经喇曼(Raman)光谱和傅里叶变换红外光谱(FTIR)测量表明:我们成功地制备了具有一定代位式C含量的Si1-x-yGexCy合金薄膜材料,较低的生长温度和较高的SiH4/C2H4流量比有助于提高代位式C含量和薄膜材料的晶体质量,并且初步分析了生长过程中化学反应动力 相似文献
60.
热处理过程对HgCdTe光伏探测器性能的影响 总被引:2,自引:1,他引:1
本文论述了HgCdTe光伏探测器的I-V特性和暗电流机制,讨论了离子注入后退火、钝化后烘烤、倒焊互联后退火等热处理过程对HgCdTe光伏探测器性能的影响。 相似文献