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采用MOCVD生长了InGaAsP/InGaP/AlGaAs材料系分别限制异质结构(SCH) 的高功率半导体激光器.对于厚度为10nm 的单量子阱,通过计算量子阱增益谱优化了器件的激射波长. 在室温下外延材料的荧光峰值波长为764nm,由于In原子的记忆效应(In carry-over effect)和As/P的替换作用使材料的InGaP/AlGaAs界面不陡峭,通过在InGaP/AlGaAs间长一层5nm的GaAsP大大改善了界面质量. 器件的阈值电流从界面改善前的560mA 减小到改善后的450mA, 斜率效率也从0.61W/A提高到了0.7W/A, 特别是单面最大输出功率已经从370mW 增加到了940mW,发生灾变性光学损伤时的工作电流已经由原来的1100mA 上升为1820mA. 相似文献
933.
硫酸生产中二氧化硫的氧化反应是在多段绝热催化反应器——转化器——中进行的。气体物料经催化反应后,其出口温度是物料进口温度和二氧化硫转化率的函数,根据反应热力学方程,可表达为:T_2=T_i+λ_x式中 T_1、T_2为气体物料进、出口温度;x 为二氧化硫转化率;λ为绝热温升系数。在设计转化器时,绝热温升系数λ是必 相似文献
934.
935.
介绍了安钢90m^2烧结机一混滚筒在生产实践中出现的问题，进行一系列技术改造，取得成效，使设备作业率由96％提高到98％。 相似文献
936.
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938.
939.
940.