首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   77篇
  免费   0篇
电工技术   2篇
综合类   1篇
化学工业   43篇
机械仪表   6篇
矿业工程   3篇
轻工业   6篇
石油天然气   4篇
无线电   5篇
一般工业技术   7篇
  2023年   2篇
  2019年   1篇
  2017年   1篇
  2015年   2篇
  2014年   1篇
  2013年   1篇
  2012年   9篇
  2011年   2篇
  2010年   3篇
  2009年   2篇
  2008年   9篇
  2007年   2篇
  2004年   1篇
  2003年   1篇
  2002年   5篇
  2001年   4篇
  2000年   1篇
  1999年   4篇
  1998年   1篇
  1997年   1篇
  1996年   2篇
  1995年   3篇
  1993年   2篇
  1992年   4篇
  1991年   5篇
  1990年   1篇
  1988年   1篇
  1987年   2篇
  1986年   1篇
  1984年   2篇
  1983年   1篇
排序方式: 共有77条查询结果,搜索用时 31 毫秒
21.
为了表示和测量彩色电镀镀层的颜色,必须运用色度学知识。本文介绍了表示镀层颜色的各种方法和测量镀层颜色的基础知识。  相似文献   
22.
当今,世界正处于经济萧条之中,我国也不例外。所幸在一次电池行业方面影响较小。1981年度生产量虽有若干减少,但1982年度已经回升。1982年一次电池数量达到26.3亿个,金额1145亿日元,刷新了原有记录。下面请看我国一次电池生产近况。  相似文献   
23.
锌酸盐镀锌添加剂及其研究动态   总被引:7,自引:2,他引:5  
概述了锌酸盐镀锌添加剂的组成,并对近期国外锌酸盐镀锌的研究动态进行了总结。  相似文献   
24.
PdCl/SnCl_2活化溶液的稳定性主要受到盐酸、亚锡离子和氯离子浓度的影响。借助于X射线衍射,确认络合物的活性形式成为SnPd~-Cl_(16)。现在,自催化(无电解)镀被证实是一种重要的工艺过程,特别是在印刷电路板的生产上。传统的预处理包括两步;(1)在SnCl_2/HCl溶液中敏化基体;(2)在PdCl_2/HCl混合物中活化。可以推测,钯离子被亚锡离子还原。被还原的钯成为在随后的化学镀阶段中引起铜的还原的催化活性点。然而,在生产上,来自敏化剂的亚锡离子会污染活化溶液。活化液中的钯离子也易于被任何活泼金属表面还原。所以,混合SnCl_2和PdCl_2于同一溶液  相似文献   
25.
26.
介绍了电化学阻抗谱在各种金属及合金的电沉积研究中的应用。文章分3期连载。第一部分介绍了电化学阻抗谱的基础知识,包括复数、复阻抗的概念,以及在各种常见条件下电解池的等效电路图。  相似文献   
27.
本文主要介绍高速加工机床伺服系统的滞后和加、减速引起的滞后,以及高速加工时减少加工误差的主要措施。  相似文献   
28.
高速加工切削用量的选择主要考虑加工效率、加工质量、刀具磨损和加工成本。不同刀具加工不同工件材料时,切削用量会有很大差异。切削用量的选择是高速加工中的重要内容,切削用量的大小对加工效率、加工质量、刀具磨损和加工成本均有显著影响。本文对高速加工的切削用量选择问题进行了分析,给出了若干原则和建议。  相似文献   
29.
袁国伟  于本成  王利萍  乐翔 《印染》2012,38(10):33-35
荧光增白剂MST-G具有较高的白度和提升率,优异的耐硬水性、耐酸碱稳定性,以及与其它整理助剂的复配稳定性。织物经荧光增白剂MST-G处理后,其白度及各类性能均能达到国外同类产品的水平,且在白度和耐碱性方面好于国内同类产品。  相似文献   
30.
以丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸甲酯、苯乙烯和丙烯腈作为共聚单体制备了TF-320自交联型涂料印花粘合剂,适宜的合成工艺参数为:交联单体A为单体总质量的3%。4%:分别g/,单体质量3%-4%的十二烷基磺酸钠和AE09(质量比为1:3)为复合乳化剂、0.5%~0.8%的过硫酸铵为引发剂,分别以总体系质量O.1%的磷酸二氢钠为缓冲剂、0.05%的正十二硫醇为调节剂,反应温度在80℃,采用连续滴加单体和引发剂的方法,滴加时间控制在2.0~3.0h。在此条件下所得产品可以给予织物优异的牢度、较高的得色量和柔软的手感,印花织物的干、湿摩擦牢度均达到或超过某市场主流产品。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号