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Ga2O3是一种宽禁带化合物半导体,因具有优异光电性能成为继SiC和GaN之后的第三代用于功率元件的宽禁带半导体,可广泛应用于航空航天、信息通讯、医疗卫生等领域。β-Ga2O3单晶的制备方法主要有焰熔法、直拉法、导模法、浮区法、垂直布里奇曼法、化学气相传输法等。β-Ga2O3在高温下易分解,这增加了制备大尺寸、高质量β-Ga2O3单晶的难度。本文在详细介绍β-Ga2O3单晶的制备方法,并在此基础上分析了各种方法的优缺点,总结了其在功率器件方面的应用,为β-Ga2O3单晶制备技术优化及拓展应用前景提供了一定的参考。 相似文献
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基于奇异摄动永磁直线同步电动机的滑模控制 总被引:2,自引:0,他引:2
针对永磁直线同步电动机(PMLSM)伺服系统存在参数摄动 和外部扰动,且机械与电气变量之间存在耦合关系,严重影响伺服系统的鲁棒性和精度的问 题,提出基于奇异摄动模型化简的滑模变结构控制方法.利用奇异摄动原理将PMLSM的高阶数 学模型化简为二阶线性模型.采用滑模变结构控制来提高含有大量不确定性参数和扰动的系 统的鲁棒性;采用连续逼近法来避免不连续切换控制引起的抖振现象.仿真结果表明,所提 出的控制策略使PMLSM伺服系统对外部扰动和参数不确定性具有很强的鲁棒性. 相似文献
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