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11.
基于忆阻存储阵列的状态逻辑电路是打破“冯·诺依曼瓶颈”,实现存内计算的有效途径。然而,目前针对存内状态逻辑电路的研究多以二维忆阻存储阵列为基础平台,缺少对更复杂的三维忆阻存储阵列中状态逻辑实现的讨论。相比于平面二维阵列,三维忆阻存储阵列拥有更大的存储密度和更丰富的器件连接关系,能对状态逻辑门的构建提供更灵活的配型方法。因此,有必要对状态逻辑门在三维存储阵列中的配型和级联过程进行专门讨论。立足平面堆叠型三维忆阻存储阵列,从基本状态逻辑门的实现以及支持级联的综合映射方法2个方面对复杂状态逻辑计算过程实现进行研究。首先,分析并总结了平面堆叠型三维忆阻存储阵列中器件的连接关系,并据此得出实现两输入布尔逻辑的状态逻辑门配型要求。其次,提出一种复合状态逻辑门,通过将逻辑输入与逻辑输出共享同一个忆阻器,来一步实现复杂逻辑功能(例如,定义为ONOR),节省复杂状态逻辑计算过程的步骤与器件数目。最后,还给出了基于三维忆阻存储阵列中复杂状态逻辑计算实现的自动化综合映射方法。对LGsynth91基准的测试结果表明,与当前二维阵列中的最优映射结果相比,提出的基于三维忆阻存储阵列的综合映射方法实现了层间的逻辑计... 相似文献
12.
水热法制备了ZnO纳米线阵列后,用逐级化学浴沉积法将Ag3PO4沉积在阵列上形成Ag3PO4/ZnO纳米线阵列复合光催化剂。运用XRD、SEM、EDS、紫外-可见漫反射光谱、光电流性能测试、光催化降解等技术手段对Ag3PO4/ZnO纳米线阵列的形貌结构、光电性能等进行表征。探讨了逐级化学浴沉积Ag3PO4的次数对其光催化效率的影响。光电性能测试表明,Ag3PO4/ZnO纳米线阵列具有比纯ZnO纳米线阵列更高的光生电流密度,光响应更好。与纯ZnO纳米线阵列相比,Ag3PO4/ZnO纳米线阵列材料对罗丹明B的光降解效率显著提高,降解速度是纯ZnO纳米线阵列的7.7倍,沉积5次的复合阵列的光催化活性最高。 相似文献
13.
匹配滤波器组与FFT结合的伪码快速捕获方案研究 总被引:4,自引:2,他引:2
文中提出了部分匹配滤波器组与FFT相结合的伪码快速捕获的一种实现方案.该方案采用部分匹配滤波器组完成时域内完全并行搜索,同时采用128点FFT以实现频域的部分或完全并行搜索,以增加移位寄存器长度的较小代价去除大规模用以相干累加的SRAM,并且有效降低了FfT的工作时钟频率,便于硬件实现.该方案在一块FPGA上验证通过,并在0.18μm的CMOS的工艺下综合,电路规模是约合150.2万个晶体管,最高工作时钟频率是103MHz.该捕获方案最终等效于13.1万个串行相关器,极大提高了伪码的捕获速度. 相似文献
14.
江苏省兴化市供电公司在农村供电所标准化班组建设的实践中,通过实行"抓班组长、抓思想、抓管理、抓标准化作业、抓隐患"等手段,打开了基层供电所良好的安全生产局面,实现了干干净净的安全年。 相似文献
15.
针对我国某型飞机在长期使用过程中出现搭载的ARINC825总线接口芯片频发损伤故障,提出了总线接口芯片损伤故障与机载电源切换过程高度相关的故障机理,试验测试验证了这一重要关联性。通过对总线接口芯片的DC-DC电源模块特性进行分析,提出了调整供电线路和脉冲宽度调制(Pulse Width Modulation, PWM)控制器的改进措施,消除了DC-DC电源模块尖峰电压。利用改进前后电源模块的对比验证,验证了该改进措施能够解决控制器局域网络(Controller Area Network, CAN)总线接口芯片损伤故障,保证CAN总线的通信正常和飞机使用的可靠性。该故障机理的分析过程和改进措施对于解决机载电源切换导致芯片损伤问题具有一定的指导意义。 相似文献
16.
17.
18.
19.
充液成形技术能有效解决复杂零件的成形问题.针对某飞机薄壁深腔蒙皮常规拉深成形需要多道次成形、成形质量差的问题,通过分析充液成形过程中易出现的失稳,设计了带部分阴模的一模两件充液成形的技术方案.结合数值模拟,对薄壁深腔件充液成形过程中出现的悬空区失稳形式进行了研究,优化了液室压力加载曲线、压边间隙、初始反胀压力等工艺参数.结果表明,薄壁深腔件在带部分阴模的一模两件的工艺方案下,能有效避免悬空区的起皱,同时改善了一模一件补充段的破裂问题,提高了零件成形极限和壁厚分布的均匀性. 相似文献
20.
目的:观察肾衰泻浊丸治疗慢性肾功能衰竭维持性血液透析病人便秘的临床疗效.方法:将50例慢性肾功能衰竭维持性血液透析便秘病人按照中医辨证属湿热内阻,腑气不通,给予我院院内制剂肾衰泻浊丸口服进行治疗.结果:总有效率为96%.结论:肾衰泻浊丸治疗慢性肾功能衰竭维持性血液透析病人便秘有较好疗效. 相似文献