机动管线排空过程中气携液流动特性研究进展

气顶排空是机动管线排空的主要方法之一,涉及复杂的气液两相流运动及清管技术.讨论了管道清管技术的发展情况,综述了近年来气液两相流的研究进展,对起伏管道内滞留液层的运动机理及气携液流动特性进行了分析,对目前存在的问题和下一步的研究方向提出了建议.     

纳米CeO2抛光料对硅晶片进行化学机械抛光的研究

通过自制纳米CeO2超细粉体,并配制成抛光液对硅片进行化学机械抛光,研究了纳米CeO2抛光料对硅片的抛光效果,解释了纳米级抛光料的化学机械抛光原理.实验结果表明:由于纳米抛光料粒径小,切削深度小,故材料去除采用塑性流动方式.使用纳米CeO2抛光料最终在1μm的范围内达到了微观表面粗糙度Ra为0.124nm的超光滑表面,满足了产品的要求.     

深圳房地产周期波动研究

(接上期 )二、深圳房地产周期与全国房地产周期、宏观周期的比较分析　　 1、深圳房地产周期与全国房地产周期比较分析目前对于全国房地产周期波动的研究较少 ,即使在现有研究成果中 ,有关全国房地产周期的划分标准也不尽相同 ,在房地产周期的基准日期、周期形态和波动展开过程等方面都存在不同意见。在这些研究中 ,何国钊、曹振良、李晟等三人的研究较具代表性。他们通过选用商品价格、城镇新建住宅面积、城镇住宅竣工面积、实有房屋建筑面积、实有住宅面积、城镇住宅投资、房地产业从业人员、房产买卖成交面积等8项指标 ,通过各个指标的环…     

各类氧化钼炉外法冶炼钼铁的生产实践

总结了使用各类氧化钼炉外法冶炼钼铁的特点，氧化钼产地、钼品位、不溶钼含量、粒度等对冶炼收率、钼尘量、硅系数、辅料单耗、操作情况、生产稳定性的影响，提出了适宜钼铁冶炼的经济技术指标较优的氧化钼种类。     

无掩膜腐蚀与伺服型电容式微加速度计

为了解决“三明治”这类微器件制作的深窄槽结构成型问题,运用无掩膜湿法腐蚀技术,成型悬臂梁雏形后再成型质量块,较好地实现了悬臂梁与质量块同时准确成型,研制出±70g和±5g两种不同量程的微加速度计。样品测试表明,利用这项技术所制作的微加速度计相对精度皆优于1×10^-4。其中,±70g量程的残差可控制在7mg以内,非线性可达0．02％;±5g量程的残差在0．4mg左右。     

蓝牙网络的安全机制

该文根据蓝牙技术的特点，分析了目前蓝牙网络存在的安全威胁，并深入研究了现有的蓝牙网络安全技术，探讨了有关蓝牙安全标准的不足之处和未来的发展方向。     

电力营销客户现场管理系统集成技术应用

针对客户现场管理系统中营销业务信息整合的各种需求,采用Web服务技术实现实时信息集成,采用文件传输协议（FTP）传输格式化文件从而实现非实时信息集成。通过这2种集成方法实现了基础档案信息同步,抄表、催费等业务自动化,以及针对重点客户的全面监控。目前,这2种方法都在重庆市电力公司的客户现场管理系统与营销管理系统的业务整合中得到了应用。     

高浓度硼扩散硅片CMP工艺研究

"叉指式微加速度计"的研制,需要使用高浓度硼扩散硅片,而硅片经过高浓度硼扩散后,硅片双面生长了一层硼硅玻璃,很难将其去除,不能在高浓度硼扩散层上制作更好的"叉指式微加速度计"结构.针对上述问题,在CMP研磨抛光工艺中,针对上述问题,在CMP研磨抛光工艺中,选择合适的研磨料和抛光料以及研磨盘和抛光盘,通过对浆料浓度、流量大小、抛光温度进行改进,优化研磨抛光工艺流程及工艺参数,以完成高浓度硼扩散硅片的表面平坦化.     

硅晶圆CMP抛光速率影响因素分析

化学机械抛光(CMP)技术是半导体工艺中不可缺少的重要工艺。针对硅晶圆CMP平坦性问题,系统地考察了压力、转速、抛光垫、浆料、温度等因素对硅晶圆平坦化速率的影响,从中找到它们之间的优化参数,减少CMP工艺中的表面划伤、抛光雾、金属离子沾污,清除残余颗粒,保证硅晶圆的平坦化质量。