a-Fe_2O_3纳米棒的制备研究

采用压力–热晶法,制得棒状的前躯体后再在600℃焙烧8 h,成功地制得直径在20~40 nm,长度在300~500 nm之间,均匀分散、疏松多孔的六方结构的棒状Fe2O3纳米粒子,并用透射电子显微镜、电子衍射、X射线衍射等技术手段对样品进行了表征,考察了制备条件对产物粒径、形貌的影响。结果表明:初始铁盐浓度对产物粒径影响不明显,可以在较高初始浓度下制备Fe2O3纳米粒子;pH值、初始压力对粒子形貌和大小有一定的影响。     

等离子显示板的发展方向

本文具体地介绍了三种降低等离子显示板成本的技术:独立维持选址技术、电容矩阵交流显示板驱动技术、擦除对消选址技术。还介绍了新开发的大容量多级灰度显示板、表面放电彩色显示板、等离子显示板的视频接口等。     

平面显示器件发展前景

本文从平面显示器件现状及其发展、平面CRT的出现、摄像管退出历史舞台,世界性开发高清晰度电视热的影响等方面,阐述普通CRT的经济寿命不会太长,应引起显像管生产厂家和有关方面的高度重视。     

流行性出血热病人肝脏改变的超微结构观察

流行性出血热病毒主要在肾、脑和肺等组织检出,近年来,也有报告可在肝脏组织中检出。1987年前后,国内外相续报告了流行性出血热累及肝脏的临床病例,但有关肝脏受累的病理改变报告甚少,超微结构尚无报告。本文观察了9例临床确诊为流行性出血热患者的肝穿刺标本。9例患者均有肝脏受累的临床表现和血清酶学检查。标本采取在发病的第13—27天之间,均为恢复期。     

Polyline线的抽稀与圆滑

在GIS基础数据的采集过程中，地理信息数据总量非常大，是海量数据，这就要求我们在数据处理的初级阶段采取合理有效的手段控制数据质量。针对这种情况，需要对数据进行圆滑或抽稀处理，这里介绍了对自动生成的等高线进行圆滑和抽稀处理的一种算法。     

PSpice子电路模型的创建

对于常用的电路单元以及集成电路新产品，建立一个子电路模型，并作为一个器件添加到PSpice模型库中，就可以使电路系统设计人员非常方便地使用这些产品。文章在介绍Pspice模型库中子电路描述语句的基础上，针对两种不同类型的子电路，介绍了建立子电路模型的方法，并指出了调用新建子电路模型时必须注意的问题。     

电信号码编排的建议——使用电话名

介绍了电话名的概念 ,并主要针对电话名系统的实现、应用及前景做了相应的分析     

机动通信网分级分布式网络规划设计

为提高机动通信网络规划的科学性、准确性,充分发挥指战员能动性和通信装备效能,提出了一种分级分布式网络规划方法,阐明了分级资源管理和分级分布式网络规划两种应用模式。所提方法支持规划任务的分解和资源段的下发,并能融合各级规划结果,形成全网规划态势。此外,对分布式数据融合过程中必然会出现的冲突设计了检查及处理流程,并根据引起冲突的资源类型,明确了判定规则和处理办法。     

一种用于高压PMOSFET驱动器的电压跟随电路

通常PMOSFET栅源电压为-20~20 V,而用于GaN功率放大器的高压PMOSFET驱动器,其工作电压为28~50 V,因此需要一种新型电路结构来保证PMOSFET栅源电压工作在额定范围。设计了一种新型电压跟随电路,采用新型多环路负反馈结构,核心电路主要为电压基准单元、减法器单元、误差放大器单元和采样单元,可产生稳定的跟随电压。该电路具有宽电源电压范围、高输出稳定性以及低温度漂移等特性。基于0.5μm BCD工艺对电路进行流片,测试结果表明,采用该电路的驱动器芯片,其电源电压为15~50 V,输出电压变化量约为0.6 V,在-55~125℃温度范围内,电压漂移量约为0.12 V,满足大多数PMOSFET栅源电压的应用要求。     

低温等离子体反应沉积ITO膜的研究

研究了低温等离子体条件下ITO膜的沉积过程,获得了均匀、致密的ITO膜.测量了膜的光、电特性,确定了最佳沉积条件,并对实验结果进行了定性分析.