甘蔗新品种粤糖86／368试验初报

在广西田阳旱坡地的新植,宿根试验结果表明,粤糖８６．３６８平均每公顷蔗茎产量１１５３３５ｋｇ,比对照种桂糖１１号增产２２．０９％;而平均每公顷含糖量１６４０２．５ｋｇ也比桂糖１１号增糖１９．１８％;粤糖８６／３６８表现出中大茎,高产,高糖,宿根性好,特耐旱等优良种性,其蔗茎蔗糖分在１月１５日后高于对照种桂糖１１号,是一个适合于桂西旱坡地种植的优良品种。     

BCC-BP算法在RGB值到LAB值色彩空间转换中的应用

目的 为了有效克服BP神经网络算法权阈值随机选取造成的模型预测精度不高、结果输出不稳定的问题.方法 提出细菌群趋药性(BCC)算法和BP神经网络算法相结合的BCC-BP神经网络算法,采用BCC算法来选取BP神经网络初始权阈值,克服初始权阈值随机选取带来的问题,并将该算法应用到RGB到LAB色彩空间转换模型中.结果 按照国家普通印刷品的允许误差范围规定在6个标准色差单位以下的要求,在色差小于6的预测区间,基于BCC-BP算法的预测准确率达到81.07％,好于BP,GA-BP和PSO-BP算法,同时对于平均色差ΔE小于6个标准色差单位的要求,BCC-BP算法10次预测结果全部低于6.结论 采用BCC算法辅助BP神经网络进行初始权阈值的选取,可以有效提高BP神经网络模型在色彩空间转换应用中值的输出精度和稳定性.     

一种频发次同步振荡现象对汽轮机轴系扭振疲劳的影响

本文针对内蒙古呼伦贝尔煤电基地电源输变电系统出现的一种频发次同步振荡现象,依据电厂实时扭振录波数据,以全尺寸有限元分析结果为基础,从机头扭角速度录波着手获得危险部位的载荷谱,利用雨流法和基于平均应力修正的西屋S-N曲线,对机组轴系进行扭振疲劳损伤评估。结果表明:在典型载荷谱作用下,服役1年轴颈的疲劳寿命损耗将不可承受,必须采取技术手段对该现象进行抑制。电厂在研究结论的基础上,采用扭振抑制保护装置STATCOM,减小了扭振幅值,显著降低了安全风险,运行近6年来未发现由于扭振导致的安全性故障。     

多乙烯基单体对溴化丁基胶电子束交联的敏化效应

观察到溴化丁基胶(BIIR)在加速器产生的电子束辐照下可发生交联反应,测得其凝胶化剂量为12 kGy。在剂量较低时辐照产物的凝胶含量与交联密度均随剂量增加而提高,但在80 kGy后则随剂量增加而呈下降趋势。试验了5种多乙烯基单体以敏化BIIR的交联反应,从而避免高剂量下的降解现象。结果表明TMPT(三甲基丙烯酸三羟甲基丙烷酯)是有效的敏化剂,配有TMPT的BIIR交联产物其拉伸强度随TMPT用量增大而明显提高。     

新乡市残疾人参与体育活动的现状调查与对策研究

采用文献资料法、问卷调查法、数理统计法等研究方法对新乡市残疾人参与体育活动的状况进行调查与分析。由于活动环境、器材设施及自身消费力等的限制,多数残疾人并不能真正参与到体育活动中。据此提出提高残疾人参加体育活动的对策。     

有机光致变色材料及其在全光开关中的应用

全光开关作为全光网络的关键器件,一直是光通信领域的研究热点之一,综述了螺环体类、偶氮类、细菌视紫红质、二芳基乙烯类有机光致变色材料在全光开关中的应用研究。     

用反射式纯相位液晶空间光调制器产生涡旋光束

利用反射式纯相位型液晶空间光调制器(LCSLM)实时动态地产生不同拓扑荷数的涡旋光束,能量转换效率高达60%。并分析了其与平面波以及球面波的干涉特性。当CCD在非成像面上时,涡旋中心出现暗核,且其直径随拓扑荷数的增加而增大。实验结果和理论分析基本一致。     

关于耐纶脱利考经编织物的线圈起绒

1.序言脱利考经编织物的起绒加工,近年来有显著增加的趋势,各企业新产品的制造也相当活跃。在脱利考经编织物的起绒加工中,作为衣料用的有割绒织物,另外也有作为工业用布和衣料用的圈绒织物。本文对工业用布的耐纶脱利考经编圈绒织物,从加工条件、起绒坯布的评定、直到确定适当的起绒条件等一系列问题进行了探讨。     

A GaAs/GalnP dual junction solar cell grown by molecular beam epitaxy

We report the recent result of GaAs/GalnP dual-junction solar cells grown by all solid-state molecularbeam-epitaxy （MBE）. The device structure consists of a GaIn0.4sP homojunction grown epitaxially upon a GaAs homojunction, with an interconnected GaAs tunnel junction. A photovoltaic conversion efficiency of 27% under the AM1.5 globe light intensity is realized for a GaAs/GaInP dual-junction solar cell, while the efficiencies of 26% and 16.6% are reached for a GaAs bottom cell and a GaInP top cell, respectively. The energy loss mechanism of our GaAs/GalnP tandem dual-junction solar cells is discussed. It is demonstrated that the MBE-grown phosphide-containing Ⅲ-V compound semiconductor solar cell is very promising for achieving high energy conversion efficiency.