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高阶连续时间型ΣΔ调制器提供了一种有效的获得高分辨率、低功耗模数转换器的方法.提出了一种新型的2-1-1级联的连续时间型ΣΔ调制器结构.采用冲激不变法将离散时间型ΣΔ调制器变换为连续时间型ΣΔ调制器,利用Simulink对该调制器进行系统级建模和仿真,峰值信噪比达到105dB.分析了电路的非理想因素对调制器行为的影响,以获得90dB信噪比为目标确定了电路子模块指标.仿真结果表明,该结构能有效降低系统功耗,并验证了电路的可行性. 相似文献
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目的 开发一种建立可用于冷链即食食品生产加工环境中李斯特氏菌属的分离与检测方法,应用于对生产企业中的环境进行监控。方法 本研究结合GB4789. 30-2016国标方法和美国美国食品药品监督管理局细菌学分析手册Food and Drug Administration Bacteriological Analytical Manual(FDA BAM )FDA BAM 单增李斯特氏菌检测方法,通过制备冻干定量菌球模拟增菌实验,对增菌液中萘啶酮酸和吖啶黄素的添加时间、头孢曲松钠的添加浓度进行了研究,确定最佳增菌方式和头孢曲松钠浓度,并将其应用到实际冷链即食食品生产企业环境中李斯特菌属的分离检测中。,确认该方法的可行性。结果 3种李斯特氏菌属和背景菌的冻干菌球的浓度分别为102 CFU/球及103 CFU/球。通过模拟增菌实验,延后4小时 h使用添加剂,可使李斯特氏菌属及单增李斯特氏菌的检出率均提高10%,在此基础上头孢曲松钠添加量在6 μg/mL至~8 μg/mL时,李斯特氏菌属及单增李斯特氏菌的检出率均为100%。结论 以上该方法应用在生产企业实际环境监测中,可提高李斯特氏菌属的检出率。该方法可应用于为冷链即食食品生产企业中李斯特氏菌属的环境监控,为生产企业的环境监控提供了技术保障。 相似文献
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该研究制备并检测了不含基质的副溶血性弧菌标准物质。用质谱、生化、16S RNA基因序列测定3种方法对菌株CMCC20030分别确认种属。先采用冷冻干燥技术制备800个样品[103 CFU/样品(20 μL)]。然后随机抽取20个样品进行均匀性检验;再将样品存放25、37 ℃分别在1、3、5、7 d取出进行运输稳定性检验,将样品存放4 ℃分别于7、14、28 d进行短期保藏性检验,将样品存放-20 ℃分别于14、28、60 d的保藏稳定性检验。组织5家实验室对样品进行协同标定。最后用食品基质检测使用效果。菌株CMCC20030经3种方法均鉴定为副溶血性弧菌。均匀性检验中,F样品=1.930,小于FINV(0.05,19,20)。稳定性检验中,于-20 ℃保藏60 d、4 ℃保存28 d、25 ℃保藏7 d和37 ℃保藏3 d后,活菌含量103 CFU/样品。协同标定实验中,5家实验室结果均为103 CFU/样品。使用效果实验中,20种食品基质加入样品后均可以检出,本底对照均未检出。制备的不含基质的副溶血性弧菌样品满足标准物质要求,可依据不同目的灵活使用。 相似文献
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目的:用不同来源的克罗诺杆菌属(阪崎肠杆菌)、不同来源的非目的菌及不同来源的人工染菌食品样品,考核评估3M? MDS分子检测系统(以下简称3M? MDS)对克罗诺杆菌属的检出限、灵敏度、特异性和准确度,以及与国标法(GB4789.40-2016)检验结果的一致性。方法:用3M? MDS对实验室保存的50株已确认克罗诺杆菌属、40株非目的菌株进行检测,确定该试剂盒的检出限、灵敏度和特异性;对240份人工污染不同浓度目的菌样品,用3M? MDS和国标法同时检验,分析方法的准确度和检验结果的一致性。结果:3M? MDS对50株不同来源的克罗诺杆菌属的检测灵敏度为100%,平均检出限为1.79×103CFU/mL;对40株非目的菌检测结果均为阴性,特异性为100%。用3M? MDS与国标方法对人工污染101 CFU/100g、100 CFU/100g 、10-1 CFU/100g克罗诺杆菌属FC718的240份不同来源乳粉、糊精、乳清和乳糖样品进行检测,结果一致性均大于95%,方法准确度为97.5%。结论:3M? MDS方法具有低检出限、高灵敏和特异性特点,在不同食品样品基质中,检验结果呈现良好的准确度,与国标方法检验结果具有高度一致性,是一项适合基层、企业推广的快速、可靠方法。 相似文献
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为了研究1200 V SiC MOSFET在重复非钳位感性开关(Unclamped-Inductive-Switching, UIS)应力下的电学参数退化机制,基于自行搭建的UIS实验平台以及Sentaurus仿真设计工具,首先深入分析了重复UIS测试后器件静态参数与动态参数的退化;接着基于FN隧穿公式对栅极漏电流数据进行拟合,得到随着UIS测试次数增加SiC/SiO2界面的势垒高度从2.52 eV逐渐降低到2.06 eV;最后解释了SiC MOSFET在重复UIS测试后的电流输运过程。结果表明,在重复雪崩应力的作用下,大量的正电荷注入至结型场效应管区域上方的栅极氧化层中,影响了该区域的电场分布以及耗尽层厚度,导致被测器件(Device Under Test, DUT)的导通电阻、漏源泄漏电流、电容特性等电学参数呈现出不同程度的退化,并且氧化物中的正电荷的积累也使电子隧穿通过栅介质的电流得到了抬升。 相似文献