DFB激光器阵列与MMI耦合器、SOA的单片集成

采用变脊宽原理和对接生长技术,设计并制作了4通道分布反馈(DFB)激光器阵列与多模干涉(MMI)耦合器、半导体光放 大器(SOA)的单片集成器件。在25℃的测试温度下,激光器的阈值电 流约55~60mA;当激光器注入150mA、SOA 注入50mA电流时,各通道的出光功率保持在2mW以上,出射波长 处于1550nm波段,边模抑制比(SMSR)大于33 d B,4通道可实现单独或同时工作。     

新型无线通信技术在安全监测自动化系统中的探索与应用

超短波、ZigBee、通用分组无线电业务(GPRS)、第3代移动通信系统(3G)等新型无线通信技术的出现并成熟应用可为安全监测自动化的通信系统提供灵活多样的解决方案.在对新型无线通信技术的探索研究基础上,提出了几种安全监测通信系统解决方案.通过一些有价值的工程应用,新型无线通信技术的先进性、便利性、可靠性得到肯定.因此,新型无线通信技术在安全监测自动化系统中得到推广应用完全可行,并且具有良好的发展前景.     

窄条宽MOCVD选区生长InP系材料

报道了窄条宽选区生长有机金属化学气相沉积(NSAG-MOCVD)成功生长的InP系材料,并提出在NSAG-MOCVD生长研究中,引入填充因子的必要性,给出速率增强因子随填充因子变化的经验公式,计算得出速率增强因子随填充因子的变化关系.与实验结果作了比较,发现InP的速率增强因子主要取决于掩膜宽度,InGaAsP的速率增强因子不仅与掩膜宽度有关,同时也依赖于生长厚度,且这种依赖性随掩膜宽度的增加而增加.     

具有楔形多模干涉波导结构的大功率半导体激光器的研究

设计并制作了一种具有两段楔形（Taper）多模干涉波导（Multimode Interferometer Waveguide,MMI）级联的大功率半导体激光器。利用3D束传播算法（Beam Propagation Method,BPM）,模拟计算了光场在楔形多模干涉波导的传播和损耗,设计出器件的最佳尺寸。激光器材料采用小应变InGaAs/InGaAsP多量子阱有源区加InGaAsP（1.2Q）限制层的三明治结构,器件的制作则采用传统的F-P激光器的制作工艺。在25℃,加连续电流条件下,激光器的饱和输出功率达到32mW,饱和电流达到600mA,并实现稳定的单横模输出。相比于单脊窄条的F-P激光器（饱和输出功率9.8mW）、相同长度的矩形MMI级联的激光器（饱和输出功率21.8mW）,由于具有更大的有源区,楔形MMI级联的激光器具有较大的饱和输出功率、较小的电阻等特点。     

酸/碱性低共熔溶剂预处理对轻木物化性质及酶水解影响

采用酸/碱性低共熔溶剂（DES）在110 ℃和5 h下预处理轻木原料,分析了预处理前后轻木的化学组成、表面形貌、结构变化和酶水解性能。结果表明,3种酸/碱性DES预处理均可有效解构轻木原料。酸性DES可去除几乎所有的半纤维素和部分木质素,且酸性较强的氯化铝六水合物/丙三醇体系处理导致部分纤维素降解。碱性氯化胆碱/乙醇胺体系预处理后木质素大量去除,残留物中保留大量碳水化合物。预处理可显著增效纤维素酶水解,葡萄糖得率由原料的16.5%提升至52.6%~60.7%。DES经循环使用3次后纤维素酶解效率仍可达原料的2.5倍以上。     

窄条宽化学气相沉积选区生长InP系材料波长调制的研究

采用窄条宽选区生长化学气相沉积(NSAG-MOCVD)技术在掩膜宽度0～40μm范围内,获得波长漂移达177.5nm的高质量的InGaAsP材料,经推导,获得各个生长区域的组份、应变和In,Ga的气相浓度增加因子的比值随掩膜条宽的变化关系,并且认为该比值在阈值掩膜宽度范围内,与Ⅲ族分压比相关,大于阈值掩膜宽度范围内,与Ⅲ族源无关。此外,对材料富In现象作了合理解释。     

基于表面自聚合的多功能纳米探针制备及性能研究

针对传统纳米探针无法实现核磁共振成型和光热稳定性较差的问题,提出用表面自聚合方法,用PDA包覆Bi2S3,然后与具有MRI性能的Gd3+离子进行螯合,合成钆离子修饰的硫化铋@聚多巴胺(Bi2S3@PDA-Gd3+)复合纳米探针.通过光学成像仪、磁共振成像仪和动物试验对其性能进行表征.结果表明:体外光声信号强度和体外T1...     

10Gbit/s高T0无制冷分布反馈激光器

与折射率耦合分布的分布反馈(DFB)激光器相比,不管界面反射率是多少,增益耦合DFB激光器都能稳定地单纵模工作,而且具有高速、低啁啾的特性.本课题组用AlGaInAs/InP材料,采用增益耦合DFB结构,进行了单纵模激光器研发,并对器件特性进行了测试分析.     

基于SAG和QWI结合技术的电吸收调制器与可调谐DBR激光器的单片集成

报道了基于选择区域生长和量子阱混杂结合技术的电吸收调制器与可调谐DBR激光器的单片集成.集成器件显示出了良好的静态特性:阈值电流为37mA;100mA激光器增益区偏置电流下,直流输出功率为3.5mW;当使用单模光纤耦合(耦合效率15%),调制器偏压在0～-2V之间时,静态消光比大于20dB;波长调谐范围为4.4nm,覆盖了6个100GHz间隔的WDM信道.     

电吸收调制器与半导体光放大器和双波导模斑转换器的单片集成

采用选择区域生长、量子阱混杂和非对称双波导技术制作了电吸收调制器与半导体光放大器和双波导模斑转换器的单片集成器件.器件在波长1.55～1.60μm范围内,3dB带宽大于10GHz,直流消光比为25dB,插入损耗小于0dB,远场发散角为7.3°×18.0°,与单模光纤的耦合效率达3.0dB.