一种高精度易扩展的分段线性补偿带隙基准源

提出了一种电路结构简单的分段线性补偿方法.不同分段子区间复用一个PTAT电路架构,通过调节外部增加的较少其它电路参数来实现多个补偿电流,采用该复用方法,增加一次分段区间,仅需增加5个MOS管、一个BJT和一个电阻.与一般的分段线性补偿电路相比,所需的MOS器件和BJT器件大大减少了,易于扩展.将该电路应用于一款Boost升压芯片的带隙基准源中,在-40~120℃的温度区间分三个子区间进行线性补偿,采用JAZZBCD05 2P3M BiCMOS工艺实现,仿真结果表明,在整个温度范围,温漂可达到5.85×10-7/℃,实现了很高的精度.     

基于空间态势感知的学生异常行为预警方法

大学生心理健康问题已经渐渐成为社会关注的焦点,本文以空间态势感知的行为轨迹分析技术为基础,设计出对具有心理疾病的人员进行及时定位的分析系统——迹忆,该系统利用基于空间态势的行为轨迹分析,运用离群偏离度的计算方法,能够实现对异常情况的及时预警,同时还能保护用户的隐私.     

基于物联网的食品安全信息追溯系统

在当今经济日益繁荣的时代,人们的生活水平稳步上升,对生活的质量也愈发重视.而作为生活中必不可少的食物,却也随即出现了各种安全问题.因此食品的监管迫在眉睫.研究构想了一个基于物联网的食品安全信息追溯系统的模型,希望可以通过RFID标签和传感器,对食品的整个生产流程、销售等环节以及生产环境进行有效的信息采集,消费者可以通过网页查询到该食品的全方位记录以及生产厂家的情况.     

无源高频RFID标签芯片电源产生电路

无源RFID标签芯片的能量来自读写器发射的射频能量.针对符合ISO/IEC15693标准的无源高频(13.56 MHz)RFID标签芯片,对NMOS栅交叉连接整流电路结构进行了研究与设计,实现的NMOS栅交叉连接整流电路的能量转换效率为34.46 9,6,并设计一种低成本、低功耗的芯片工作电源产生电路,设计工艺采用SMIC 0.35 pm 2P3M CMOS EEPROM工艺.最后,给出了芯片的测试结果.测试结果显示:所设计的电源产生电路能够很好地工作在IS015693标准定义的最小磁场Hmin(150 mA/m)和最大磁场Hmax(5 A/m)之间.     

一种基于高速并行A／D转换的激光Z扫描的高频窄脉冲信号幅值测量系统的设计

提出了一种基于激光Z扫描的高频窄光脉冲信号幅值测量的电路设计,采用MAX964进行高速并行A/D转换,并以AT89C52单片机作为处理器,通过RS 232C串行口通讯,实现对高频窄脉冲激光信号幅值测量数据实时采集.给出实验采集的多组数据,通过对实验数据的分析,说明该设计可准确测量宽度约4～5 ns高频窄激光脉冲信号的幅度,测量误差约为:±3%～±5%,由此使Z扫描实验系统大大简化.     

基于MGIS阵地选择模型研究

针对实际作战需要,提出一种方便实用的阵地选择模型,并重点介绍了基于军事地理信息系统的模型求解。该模型通过分析影响阵地选择的主要因素,结合层次分析法确定各因素权值所需要满足的条件,以此构造选择因素的指标评价系统。利用军事地理信息系统对选择因素指标量化分级,设计不同因素缓冲区,以实现数据分析与查询、图层控制等可视化操作获取最佳阵地。实验结果表明,该方法可直观获得符合要求的阵地,较好地实现了最优阵地选择。     

基于车辆动力学模型的AMT在环仿真实验系统研究

为提高AMT系统的开发效率和开发质量,研制了一种AMT在环仿真实验系统,将真实的车辆AMT相关部件用仿真模型来代替,建立了车辆传动系统及其部件的动力学模型,并进行相应的程序设计,模拟真实车辆的发动机转速、车速等信息,对AMT电控单元在实车实验之前进行验证,为AMT电控系统的开发提供了一个方便、可靠的实验平台。     

一种Ka/EHF双频段波纹喇叭

介绍了卫星和地面站天线越来越需要高性能的双频段波纹喇叭馈源,给出了额Ka/EHF双频段波纹喇叭的结构组成,详细地给出了该波纹喇叭各段的设计公式和波纹喇叭槽参数,利用Champ仿真软件仿真计算了该波纹喇叭2个频段的反射损耗和归一化辐射功率方向图,并且在微波暗室测出了该波纹喇叭反射损耗和归一化辐射功率方向图。测试结果和仿真计算结果吻合良好,因此,证实了该波纹喇叭设计的正确性。     

磨料水射流切割煤岩的机理研究

从建立单个质点的冲击模型及冲击力分布出发，结合煤岩的脆性，分析研究了磨料水射流切割煤岩的机理，提高切割效果的基本方法。     

INFLUENCE OF LASER RECRYSTALLIZATION AND HYDROGEN ANNEALING ON ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF POLYSILICON

Asenic ions are implanted with doses of 5×10~(11)—5×10~(15)/cm~2 into LPCVD polysilicon films onSiO_2 isolating substrate.The polysilicon films have been recrystallized with CW Ar~+ laser beforeimplantation.Electrical measurements show that the resistivity is lowered and the mobility is increasedsignificantly at low doping concentration(～10~(17)As~+/cm~3).Plasma