对当前农村供水工程建设的思考与建议

当前农村供水工程建设存在诸多问题,笔者结合实际工作经验从项目设计、招投标、建设监理、施工安排、资金筹措等方面谈了自己对工程建设的几点建议,供大家探讨.     

关于低合金结构钢热校正后的性能变化研究

对目前国内外钢结构标准中校正控制温度的差异及相关问题进行探讨,确定试验方案.对热校正常用的烤火工艺进行模拟,测试环境温度为35℃时,烤火过程产生的热效应对不同板厚低合金结构钢Q345-B材质钢板的力学指标和金相组织的影响,分析表面温度、板厚与钢板性能变化之间的相互关系,推荐烤火工艺的最佳控制温度范围.     

ZL104合金在铸态及热处理状态下耐蚀性的比较

对铸态及完全人工时效处理的ZL10 4合金在 5 %NaCl盐雾介质中的耐腐蚀性进行了研究。采用扫描电镜 (SEM ) ,能量散射谱 (EDS)及红外光谱 (IR)等手段对材料不同状态下的组织及表面腐蚀产物进行了分析。结果表明 ,在腐蚀初始阶段 ,经细化和变质处理后的样品最先开始腐蚀 ,而未经处理的样品最后开始腐蚀 ,只经细化处理的样品居中。随着腐蚀时间的延长 ,上述样品的耐蚀性发生变化。经 44h以上的连续腐蚀后 ,上述样品的腐蚀速率趋于稳定。此时 ,未经细化和变质的样品具有最大的腐蚀深度和面积 ,而经细化加变质处理的样品耐蚀性最佳。红外分析表明腐蚀产物由含羟基的化合物组成。     

n型GaSb,InGaAsSb的MBE生长和特性研究

本文报导了非故意掺杂ＩｎＧａＡｓＳｂ本底浓度的降低和掺Ｔｅｎ型ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ的ＭＢＥ生长与特性的研究结果。结果表明，通过生长工艺的优化，ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ的背景空穴浓度可分别降至１．１×１０~（１６）ｃｍ~（－３）和４×１０~（１６）ｃｍ~（－３），室温空穴迁移率分别为９４０ｃｍ２／ｖ．ｓ和２６０ｃｍ~２／ｖ．ｓ。用Ｔｅ作ｎ型掺杂剂，可获得载流子浓度在１０~（１６）～１０~（１８）ｃｍ~（－３）的优质ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ外延层，所研制的材料已成功地制备出Ｄ_λ~＊＝４×１０~（１０）ｃｍＨｚ~（１／２）／Ｗ的室温ＩｎＧａＡｓＳｂ红外探测器和室温脉冲ＡｌＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓＳｂ双异质结激光器。     

香港昂船洲污水厂考察记

为提高污水处理厂的运行管理水平，学习先进的管理经验。日前，白龙港厂组织一线生产运行的管理和操作人员，对采用相同处理工艺、相同处理规模的香港昂船洲污水厂参观学习。     

ACTIFLO高效沉淀工艺用于污水处理

ACTIFLO工艺是由法国Velioa集团OTV公司在20世纪90年代初开发的一种高效沉淀工艺(专利号:US4927543),最初主要用于自来水的生产,最近在污水处理领域也得到了应用[1]。1工艺流程ACTIFLO工艺如图1所示。图1 ACTIFLO工艺F ig.1 Shem atic d iagram of ACTIFLO process污水在进入AC     

钴—四膦配合物催化不饱和羧酸酯的氢甲酰化反应的研究

研究了由钴—四膦配体组成的催化剂体系对丙烯酸甲酯氢甲酰化反应的催化作用。对反应温度、反应压力、不同Ｐ／Ｃｏ比，不同结构的烯烃等的影响作了探讨，并与不同膦配体体系催化丙烯酸甲酯氢甲酰化的结果作对比，发现这些膦配位体催化活性有如下顺序：Ｃ（ＣＨ２ＰＰｈ２）４＞Ｐｈ２Ｐ（ＣＨ２）３ＰＰｈ２＞Ｐｈ２Ｐ（ＣＨ２）２ＰＰｈ２＞Ｐｈ２Ｐ（ＣＨ２）ＰＰｈ２≌Ｐｈ２Ｐ（ＣＨ）ＰＰｈ２。     

用于MESFET的GaAs多层气相外延的研究

用AsCl_3-Ga-H_2体系生长GaAs气相多层外延材料。研究了一些生长参数对缓冲层中Ec-0.82eV深中心密度n_T的影响,讨论有源层和缓冲层之间的界面特性以及有关在微波器件中的应用。