基于 SE-Workbench-IR 的红外图像仿真

可见光图像仿真生成红外基准图,对提高红外成像制导武器命中精度具有重要意义。针对实地获取红外基准图成本高、难度大的问题,借助 SE-Workbench-IR 平台,实现了由可见光图像到红外基准图的仿真。首先通过 Photoshop 软件对图像进行分层,并在 SE-CLASSIFICATION 模块对各图层的地物分别赋予对应的材质,实现纹理分类;之后,在红外可视化面板设定生成红外图像的环境参数,运行软件获得红外仿真图像。仿真之后,用红外仿真基准图进行模板匹配,并通过匹配误差、均方根误差和交叉熵来评价仿真效果。实验结果证明：指定背景环境下的红外成像仿真的效果很好。     

基于STM32单片机的3维LED光立方的设计与实现

本设计为基于单片机的3维LED光立方,由STM32F103VBT6系列单片机、1个74HC154芯片、32个74HC573芯片、8个APM4953芯片等部分组成。用单片机对芯片的信号传输的方式来进行对4096个LED的控制。本系统具有灯光绚丽、3D立体特效、效果直观以及时间控制轴等优点,可以实现动画、曲面等复杂的立体图形。     

无字典的超分辨率多径稀疏信道估计方法

使用带网格的观测字典进行稀疏信道估计是近年来常用的多径稀疏信道估计方法,而网格的存在使得这种方法存在估计精度较差的问题,尤其在网格间距较大时,这种方法的劣势更加明显。本文针对这个问题,抛弃了传统的观测字典,采用连续压缩感知方法,结合线性调频训练序列的使用,提出了更加精确的多径稀疏信道估计方法。这种方法避免了网格化带来的误差,实现了高精度、高分辨率的估计。本文首先对此进行了理论阐述,进而在两种不同的多径稀疏信道模型下进行了仿真试验,并从估计精度、计算效率等方面与其他稀疏估计算法进行了对比。仿真结果证明,采用本文提出的方法进行多径稀疏信道估计时,相比其他算法可以更加精确地估计出信道冲激响应。      

快速热处理对重掺As硅单晶中氧沉淀的影响

对重掺As硅片进行快速热处理，发现重掺As硅片中氧沉淀行为与快速热处理温度、保温时间和降温速度有很大的关系. 随着快速热处理温度的升高、降温速度的增大和保温时间的延长，氧沉淀的密度增大. 最后对影响的机理进行了讨论.     

Compton散射下正弦三角等离子体中正电子的加速

应用多光子非线性Compton散射模型和数值模拟方法,研究了正弦三角超强激光等离子的尾场对正电子加速,提出了将入射超强激光和非线性Compton散射光作为等离子体尾场对正电子加速的新机制,给出了正电子加速能量修正公式和数值模拟结果。结果表明:使用非对称正弦三角激光脉冲的等离子体尾场加速正电子优于对称正弦三角激光脉冲的尾场情况,散射使非对称正弦三角耦合激光脉冲宽度和上升长度与下降长度之比缩小,正电子获得的加速能量显著增大。这是因为正电子频率增大,横向速度各向异性分布增强,尾场限制了正电子横向加速能量,导致正电子在激光传输方向加速能量增大。     

“电力电子技术”课程教学方法研究

本文从"电力电子技术"课程教学及人才培养角度出发,在培养专业兴趣、发挥科研优势、加强实验教学和注重实践教学等方面对教学方法和手段进行探讨。这样可以充分发挥了科研创新、数字仿真实验、实践在教学中的作用,从而突出对学生的创新、工程实践能力培养。     

基于ZigBee与GPRS的农业大棚环境监测系统的设计和实现

针对当前农业大棚环境监测系统的成本高,布线复杂等问题,本文设计一种基于Zig Bee网络与GPRS网络的农业温室监测系统。该系统能够有效地实时测量农业大棚温室中的各种环境参数,具有廉价,实用,低功耗等特点。通过实验验证,证明了本系统确实可行性和有效。     

适应电力通信的RFID智能巡检系统框架体系及应用流程实用化研究

针对辽宁电力信息通信专业在全省信息通信机房(包含中心机房和各电压等级变电站信息通信机房)设备运维巡检管理中存在的诸多困难,结合辽宁电力信息通信领域中在运设备属性、站点分布特性等实际情况,对使用RFID智能巡检系统全面支撑信息通信专业设备巡检工作进行分析,研讨实现智能化操作的可行性。     

雪崩管最佳倍增因子线性化温控技术研究

为了进一步增强机载激光测距机在全温范围内的环境适应性,分析了温度与探测器模块输出功率信噪比的关系,推导了最佳倍增因子与温度的方程式,阐述了温度变化引起倍增因子对最佳雪崩倍增因子偏离的原因。根据雪崩管探测器雪崩击穿电压的线性温度特性,设计了机载温度范围为-55℃~70℃的基于自然对数法的最佳倍增因子雪崩偏压线性化温控电路,用于补偿因温度变化所引起的倍增因子对最佳雪崩倍增因子的偏离。结果表明,实测雪崩偏压温控系数为2.29V/℃,与理论分析值误差仅为4%。该技术用于新型机载激光测距系统中,获得了良好的试验数据,满足机载环境的特殊需求。     

GaAs基InAs/AlSb二维电子气结构的生长优化（英文）

采用分子束外延设备(MBE),外延生长了InAs/AlSb二维电子气结构样品.样品制备过程中,通过优化AlGaSb缓冲层厚度和InAs/AlSb界面厚度、改变AlSb隔离层厚度,分别对比了材料二维电子气特性的变化,并在隔离层厚度为5nm时,获得了室温电子迁移率为20500cm~2/V·s,面电荷密度为2.0×1012/cm~2的InAs/AlSb二维电子气结构样品,为InAs/AlSb高电子迁移率晶体管的研究和制备提供了参考依据.