延髓背侧迷走复合体到下丘脑弓状核ghrelin神经通路的构成

探讨延髓背侧迷走复合体(DVC)到下丘脑弓状核(ARC)ghrelin神经通路的构成并观察ghrelin受体(GHSR-1a)在ARC的表达。采用逆行追踪结合荧光免疫组化染色的方法,观察DVC到ARC的ghrelin免疫阳性神经元的纤维投射;采用聚合酶链反应(Polymerase Chain Reaction,PCR)结合荧光免疫组化染色技术,观察GHSR-1a在ARC的定性及定位表达。DVC发出ghrelin阳性神经元的纤维投射至ARC,并呈现出同侧投射的优势。ARC有GHSR-la mRNA和蛋白的表达。DVC到ARC存在ghrelin神经通路,该通路的功能有待进一步研究。     

不同铝源对SiC/堇青石复相多孔陶瓷的制备及性能影响

以碳化硅、氮化铝、层析氧化铝、氢氧化铝、氟化铝、滑石为主要原料,石墨为造孔剂通过原位反应烧结技术制备碳化硅/堇青石复相多孔陶瓷.研究了含铝化合物种类、烧结温度、石墨含量对SiC/堇青石复相多孔陶瓷相组成、微观结构、气孔率和抗折强度的影响,同时对S0组在1200℃烧结温度下制得的SiC/堇青石复合多孔陶瓷的孔径分布进行了测试分析.结果表明:以AlN为铝源在1200℃下烧结,石墨含量在15％时,堇青石结合SiC多孔陶瓷的抗弯强度和气孔率两项综合性能达到最优,气孔率为31.99％,相应的弯曲强度86.20 MPa.S0组的平均孔径大小在3.0191 μm.     

某核电厂海水淡化系统超滤装置选型分析

超滤膜因能耗低、分离效率高、出水水质稳定等优点,广泛应用于反渗透系统的预处理。中空纤维超滤膜根据压力方向可分为内压式和外压式超滤膜,内、外压式超滤膜各有优缺点,均有大量的工程应用案例。从技术参数、装置成本等方面,对内压式超滤膜和外压式超滤进行分析比较,分析结果表明:在该海水淡化系统中,内压式超滤膜更适合。     

屈肌腱损伤术引导回缩肌腱方法82例临床分析

目的 探讨改进屈肌腱损伤手术中回缩肌腱的引导方法.方法 采用医用输液管导引法对82例患者102条屈肌腱损伤进行修复,引导回缩屈肌腱至损伤平面进行修复,术后随访2～9个月,观察手部功能恢复情况.结果 手术操作简便,易于肌腱修复,术后TAM法评定疗效优良率达92.0%.结论 该改进方法优点突出,方便实用,值得推广.     

超大规格GH4169高温合金螺栓成形工艺及模具结构优化

针对大规格GH4169高温合金螺栓成形难度大、模具易开裂寿命低等问题,研究其成形工艺及模具结构.结合金属塑性成形理论,提出其成形工艺方案.采用Deform-3D有限元分析软件对提出的工艺方案进行数值模拟,分析了成形过程中的载荷-行程曲线、金属流动规律等,根据成形工艺,设计并优化相应模具结构,最后进行了工艺试验.通过数值...     

低碳环保理念在无机及分析化学试验中的应用

全球气候变化日益严峻,探索了在师范类院校开设的无机及分析化学试验课程中如何引入低碳环保理念,引导学生们对试验内容深入思考,培养勇于创新的精神.采取统筹规划设计试验方案,充分利用物料,减量使用物资,有效节约开支,合理处置试验产生的废弃物等多种措施,使学生不仅加深对所学理论知识的认知,加强对物质属性的认识,还提高了分析问题...     

利用秒信号产生0.5Hz双向脉冲

<正> 在许多机电仪器及一些电器控制设备的面板上,常常需要配制一只监控钟,并且要求它与仪器设备内部的信号同步运行。这样,直接采用数字钟或市售石英钟都会带来麻烦。为此,本文介绍一种利用秒信号来得到0.5Hz 双向脉冲信号的电路,它可直接驱动石英钟机芯,而不需外接钟电路及晶振。电路如图1所     

历史数据实时压缩方法研究

在开发实时数据库中,对历史数据的存储和管理非常重要,由于大量的数据存储,需要高效的历史数据压缩算法。文章基于均方误差的设计思想,提出了一种新的历史数据压缩算法、给出其详细步骤,并和OSI软件公司开发的旋转门算法进行比较。仿真结果表明,该文提出的新压缩算法具有更高的数据压缩率,降低了测量误差对数据压缩影响。     

Ce3+掺杂钛酸钡纳米管薄膜的制备与性能

以阳极氧化制备的TiO_2纳米管薄膜为模版,通过水热法制备了Ba_(1-x)Ce_xTiO_3(0≤x≤0.08)纳米管薄膜,研究了Ba_(1-x)Ce_xTiO_3的结构、表面形貌及其电性能。采用X射线衍射仪表征其晶体结构,采用扫描电子显微镜和透射电子显微镜观察其表面及断口形貌,采用宽频介电阻抗谱仪测试其介电性能。结果表明,在较为温和的条件下用水热法成功制备出立方相结构的Ba_(1-x)Ce_xTiO_3纳米管薄膜,纳米管孔径在80~95nm之间;将制备的Ba_(1-x)Ce_xTiO_3经退火后生成多晶的Ba1-xCexTiO3纳米管薄膜,且样品的管外径尺寸在90~100nm之间,管壁的厚度为25~30nm,介电常数在1kHz下最高可达472,介电损耗为0.41。