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61.
MCS96系列单片机扩展大容量FLASHRAM的改进 总被引:3,自引:0,他引:3
目前在单片机的应用开发中,FASHRAM使用非常普遍,本文根据MCS96系列单片机的一种大容量的外部RAM扩展技术思想,针对扩展大空量FLASHRAM给出了具体的改进措施。 相似文献
62.
高k栅介质MOSFET电特性的模拟分析 总被引:2,自引:0,他引:2
对高k栅介质MOSFET栅极漏电进行研究 ,确定栅介质的厚度 ,然后使用PISCES Ⅱ模拟器对高k栅介质MOSFET的阈值电压、亚阈斜率和Idsat/Ioff进行了详细的分析研究。通过对不同k值的MOSFET栅极漏电、阈值电压、亚阈斜率和Idsat/Ioff的综合考虑 ,得出选用k <5 0且Tk/L≤ 0 .2的栅介质能获得优良的小尺寸MOSFET电性能。 相似文献
63.
由于有良好的性价比,51系列单片机仍是目前在国内应用最广泛的单片机。在各种51系列单片机测控系统中,RAM的正常与否,直接关系到系统能否正常工作。在系统开始正常工作之前,如能对系统进行自检,则可有效地避免因RAM失常对测控系统带来的破坏。因此,为了提高系统的可靠性,对系统 相似文献
64.
8051单片机系统的自检容错设计 总被引:2,自引:0,他引:2
陈卫兵 《国外电子测量技术》2005,24(3):15-16
从单片机应用系统的可靠性的角度出发,利用8051单片机的存储体系结构的特点,给出了一种简单的自检容错设计方法。 相似文献
65.
一种用于千兆以太网的高增益、宽带限幅放大器 总被引:1,自引:0,他引:1
设计了一种高增益、宽带限幅放大器,最大速率为1.25Gb/s。限幅放大器包括多级放大级、输出驱动级、失调消除和信号检测电路,提供固定的正参考发射机耦合逻辑(PECL)输出电平,且可通过编程设定信号丢失(LOS)指示。当输入信号降低到设定门限时关闭输出以达到静噪之目的。放大器采用3.3V单一电源,采用TSMC0.35μmBiCMOS工艺设计版图,放大器版图面积为1.3mm×1.1mm。测试结果显示,在3.3V电源下具有超过52dB的动态范围,功耗仅60mW。 相似文献
66.
热重分析仪的称重部分需要去皮调零操作.结合称重部分已有的信号放大电路、模数转换电路和微处理器,基于数模转换器设计了一种去皮、调零电路,采用文中提出的估值-逐位逼近算法调整称重电路的零点,实现大范围快速去皮调零.实际测量结果显示:对超过所选量程的皮重能精确去皮,去皮调零时间比折半法减少了一半. 相似文献
67.
功率补偿型差示扫描量热仪(DSC)需要准确快速地补偿样品侧与参比侧加热功率,实时保持两侧温度平衡.该文在硬件方面提出电流调整、脉宽调制相结合的方法,提高功率补偿分辨率;软件方面引入模糊-PID算法优化DSC中功率补偿控制器,动态修改PID控制器kp、kd及ki参数,改善PID控制器的动态特性.测量结果表明:相对于传统PID控制器,模糊-PID控制器恢复稳态时间短,DSC两侧温差小. 相似文献
68.
69.
基于非线性动力学的滑坡位移预测 总被引:5,自引:0,他引:5
利用非线性动力学的宏观研究方法对清江库岸茅坪滑坡的位移时间序列进行了分析,发现滑坡系统在演变过程中存在混沌。在此基础上,介绍了一种混沌的平均零阶局域预测法,对滑坡位移进行了预测计算,第1个月的相对误差仅为 0.66%,并且前3个月的相对误差都控制在5%以内,初步计算结果令人满意。
相似文献
70.
采用自洽解方法求解一维薛定谔方程和二维泊松方程,得到电子的量子化能级和相应的浓度分布,利用MWKB方法计算电子隧穿几率,从而得到不同栅偏置下超薄栅介质MOSFET的直接隧穿电流模型。一维模拟结果与实验数据十分吻合,表明了模型的准确性和实用性。二维模拟结果表明,低栅压下,沟道边缘隧穿电流远大于沟道中心隧穿电流,沟道各处的隧穿电流均大于一维模拟结果;高栅压下,隧穿电流在沟道的分布趋于一致,且逼近一维模拟结果。 相似文献