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从kink效应产生的物理机理出发,介绍了目前国内外研究多晶硅薄膜晶体管kink电流所采用的两种主要方法.一种是基于面电荷的方法,另一种是基于求雪崩倍增因子的方法.kink效应具体表现为器件在饱和区跨导和漏电流的显著增加.在数字电路中,kink效应会引起功耗的增加和开关特性的退化;而在模拟电路中,kink效应将降低最大增益和共模抑制比.因此,多晶硅薄膜晶体管kink效应的研究对液晶显示的发展具有重大意义. 相似文献
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文章报道西藏扎布耶盐湖卤水三元子体系Li2B4O7-Li2CO3-H2O 298 K介稳平衡实验数据,并绘制出介稳平衡相图.结果表明:该三元体系属简单共饱型,无复盐或固溶体形成;介稳平衡相图中单变度曲线(AE和BE)对应的介稳平衡固相分别为:Li2B4O7·5H2O和Li2CO3.与该体系对应的稳定相图比较:碳酸锂与平衡相图中结晶形式一致;硼酸锂在介稳相图中的结晶形式为Li2B4O7·5H2O,而平衡相图中的结晶形式则为Li2B4O7·3H2O. 相似文献
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为了保障通信基础设置(管道网络)作业铺设中的原材料、作业解决方案与完工合格性检验等等各种相关参数能够达到初始理论设计内容的规定,文章分析了对应的通信工程铺设管道作业工艺解决方案,进而保障通信工程基础设置管道网络的施工铺设及全生命周期的信息数据安全性及重要参数网络连接的稳定性。 相似文献
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基于密度泛函理论第一性质原理平面波超软赝势法,对理想新型稀磁半导体Li_(1±y)(Mg_(1-x)Mn_x)As (x=0,0.125;y=0,0.125)进行几何结构优化,计算并分析了体系的电子结构、磁性和光学性质。结果表明,掺杂体系的磁性和电性可以分别通过Mn的掺入和Li计量数的调控来改变,掺Mn后形成Mn—As极性共价键,且引入与Mn有关的自旋极化杂质带,体系为半导体磁性材料。Li不足时,p-d杂化使体系变为半金属性,表现为100%的自旋注入,Mn—As键的重叠电荷布局最大,键长最短。而Li过量时,sp-d杂化则使体系变为金属性,居里温度最高,形成能最低,导电能力最强。对比光学性质发现,Li不足和过量时,介电函数和光吸收谱在低能区出现新峰,增强了体系对低频电磁波的吸收。掺杂体系的能量损失峰均向高能方向偏移,呈现明显的蓝移特征,且峰值急剧减小,表明其等离子共振频率显著降低,而Li过量的等离子振荡范围最宽。 相似文献
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