再说雨水集蓄利用兼谈水利发展新途径

雨水集蓄利用既是解决干旱山区人畜饮水的新创举，也是发展干旱山区庭院经济和农业生产的有效途径。笔者对雨水集蓄利用工程的推广运用提出了指导性建议，同时也提出了充分开发利用地下水资源，挖掘现有高扬程电灌工程设施潜力等水利发展新途径。     

新型极化聚合物薄膜的制备及其光学特性研究

将新型有机NLO生色团分子GW-1-SF按一定比例掺入聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA) 中,采用旋涂方法制备了聚合物复合薄膜.在100 ℃下对薄膜进行电晕极化,对极化前后的薄膜进行紫外/可见光吸收频谱分析和原子力显微镜分析.通过二次谐波法(SHG)测得其在1 064 nm波长下的二阶非线性系数d33为17.2 pm/V.详细讨论了材料两个二阶非线性系数d33和d13之间的关系,得出它们的比值d33/d13=3.45.     

双向特征融合的快速精确任意形状文本检测

现有的基于分割的场景文本检测方法仍较难区分相邻文本区域,同时网络得到分割图后后处理阶段步骤复杂导致模型检测效率较低.为了解决此问题,该文提出一种新颖的基于全卷积网络的场景文本检测模型.首先,该文构造特征提取器对输入图像提取多尺度特征图.其次,使用双向特征融合模块融合两个平行分支特征的语义信息并促进两个分支共同优化.之后,该文通过并行地预测缩小的文本区域图和完整的文本区域图来有效地区分相邻文本.其中前者可以保证不同的文本实例之间具有区分性,而后者能有效地指导网络优化.最后,为了提升文本检测的速度,该文提出一个快速且有效的后处理算法来生成文本边界框.实验结果表明:在相关数据集上,该文所提出的方法均实现了最好的效果,且比目前最好的方法在F-measure指标上最多提升了1.0％,并且可以实现将近实时的速度,充分证明了该方法的有效性和高效性.     

基于PVDF/GO电纺复合纳米纤维声驱动式摩擦纳米发电机

声能作为一种广泛存在的可再生能源,在自供电传感器领域具有巨大潜力,但是环境中声源大多为中低频声源,且声能量密度较低。为了提高中低频段声能的收集效率,介绍了一种基于聚偏氟乙烯/氧化石墨烯(PVDF/GO)电纺复合纳米纤维薄膜的声驱动式摩擦纳米发电机(TENG)。TENG的构造由两层绣棚固定的导电布和中间夹一层PVDF/GO电纺纳米纤维薄膜组成,其中导电布与纤维膜之间通过涤纶树脂(PET)圆环分隔。在117 dB、130 Hz的声源激励下,TENG可以产生高达550 V的峰值电压和61μA的短路电流,瞬时最大输出功率密度为701μW/cm²。TENG在中低频段有着高效的声电转换特性,这种特性使其成为一种潜在的低功耗设备供电解决方案。     

NdFeB永磁靶材溅射模拟

运用SRIM2006软件对Nd2Fe14B靶溅射过程进行了模拟,并就入射离子的入射能量和角度进行了分析,得到溅射产额与入射离子能量、入射角度以及溅射靶材的一般规律:1)溅射产额随着入射离子能量的增加而增加,在低能量区域增加很快,到了高能量区域增加变缓;2)溅射产额随着入射离子入射角度的增大逐渐增大,且在70°~80°出现极大值,如当入射离子的入射角度为75°,入射离子能量为7 keV时,溅射产额可达4.398(原子.离子–1);3)溅射原子的摩尔比与靶材原子摩尔比存在一定偏差,导致薄膜成分与靶材成分不一致。     

NGN网络测试仪中V5UA及V5.2协议解码的实现

简要介绍了V5UA和V5.2的基本概念,功能,以及它们在NGN中的组网应用方式,并在深入分析V5UA和V5.2消息结构的基础上,实现NGN网络测试仪的VSUA协议的解码、上层协议数据提取、以及V5.2的解码方法.     

C元素对N型a-Si:H薄膜微结构及电学特性的影响

采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺,制备了P-C二元复合掺杂氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜,研究了C元素对N型a-Si:H薄膜暗电导率(σ)及电导激活能(Ea)的影响;利用激光拉曼光谱研究了C元素对薄膜微结构的影响,讨论了P-C二元复合掺杂a-Si:H薄膜电学性能与微结构之间的相互影响关系.结果表明:随着C掺杂量的增加,a-Si:H薄膜的短程有序度降低,中程有序度基本保持不变,缺陷逐渐减少;一定程度的C掺杂可使N型a-Si:H薄膜电导激活能降低而使薄膜的暗电导率升高,但过量的C掺杂使N型a-Si:H薄膜非晶网络结构有序度严重恶化,电导率出现明显下降趋势.

Abstract：

Hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) thin films doped with P and C were deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD).The influence of carbon on the dark conductivity,activation energy and mirostructure of the P-doped a-Si:H films was investigated by means of electrical measurment and Raman spectroscopy,and the relationship between electrical properties and microstructure of the films was also analyzed.It is shown from Raman spectra that the degree of short-range order and the defects of the films decreae with the increase of carbon doping,while the degree of intermediate-range order remains unchanged.A small amount of carbon can reduce the activation energy and enhance the dark conductivity of the P-doped a-Si : H thin films.However,excessive carbon makes the structural order of the amouphous network get worse which leads to a decline of dark conductivity.     

输电线路运维作业方法探索

近年来,在社会经济不断进步的背景下,人们对电能可靠性的要求越来越高,在这种情况下,我国积极加大了电网建设力度,作为电网的一个重要组成部分,输电线路的功能不容就是,其运行过程中,作为一个重要的载体对电能进行分配和输送,同时,还可以在有效连接多个电网的基础上,构成一个统一的电力系统.然而我国传统的输电线路运维作业过程中,拥有较低的效率以及较高的成本等缺陷,在这种情况下,积极加强输电线路运维作业方法探索势在必行.     

温度对CdZnTe载流子输运特性和能谱特性的影响

采用垂直布里奇曼法生长的CdZnTe(CZT)单晶,制备出单平面探测器。在210～300K温度范围内,测试了不同外加偏压作用下探测器的漏电流,并计算了低压下CZT的体电阻率。同时,在不同电场作用下,测试了CZT探测器对未经准直的241 Am@5.48 MeVα粒子脉冲响应信号的上升时间,计算出电子迁移率为1 360cm2/V-1s-1,并进一步推算出电子寿命随温度的变化规律。在220～300K温度范围内,对比了CZT探测器对241 Am@59.5keVγ射线的能谱响应结果,分析了载流子传输特性及器件性能随温度的变化规律。结果表明,在298～253K温度范围内,降低温度可以提高晶体的体电阻率,减少探测器工作时的漏电流,进而提高探测器的能量分辨率;但当温度低于253K时,电子寿命τe加剧减小,此时由上升时间起伏而引起的全能峰的展宽不能被忽略,导致探测器性能恶化。     

用偏振干涉法测相位-偏振调制器伏-相特征

结合偏振干涉法,详细分析了相位-偏振调制器的输入电压与其延迟相位的关系,并导出了相位-偏振调制器的输出光强与其延迟相位的数学表达式.研究结果表明,采用偏振干涉法可以使相位.偏振调制器获得稳定的干涉光强,从而可以精确地测量出相位-偏振调制器的伏-相特征曲线.测量结果表明,相位-偏振调制器的伏-相特征曲线具有良好的线性特性.