高掺银-钛酸铅复相薄膜的制备研究

采用溶胶-凝胶法, 通过在新鲜溶胶和在陈化溶胶中分别高掺银这两种制备工艺过程, 制备了分散均匀的立方相银颗粒-钛酸铅相基质复相薄膜. 利用XRD, SEM, TEM等方法对先驱体溶胶和薄膜的组成与结构进行了测试. 研究表明, 溶胶中Ag的存在形式直接对薄膜的晶相形成过程产生影响. 当银以Ag⁺的形式存在于溶胶中时, 银优先消耗部分铅析出银-铅合金相, 体系含银量较少时形成焦绿石相钛酸铅, 含银量较多时, 形成固溶有银的钙钛矿相钛酸铅; 当银以银团簇的形式存在于溶胶中时, 薄膜中直接形成钙钛矿相钛酸铅晶相.     

溶剂热法制备SPAn包裹CdS纳米粒子及其性能

采用溶剂热法,成功的制备了磺化聚苯胺(SPAn)包裹CdS纳米复合粒子。用TEM、XRD等手段对产物结构进行了表征,同时进行了UV-VIS以及电阻率的测试,研究其光学电学性能,并探讨了SPAn的浓度对产物的结构及光学、电学性能的影响。结果表明,SPAn/CdS纳米复合粒子具有优良的光学、电学性能。产物粒径分布均匀,随着SPAn用量的增加,复合粒子的粒径有减小的趋势,最小可达10nm左右;电导率则随着SPAn用量的增大而降低。     

铝合金微弧氧化溶液中添加剂成分的作用

在Na2SiO3—KOH电解液中，添加硼酸和稳定剂，进行铝合金微弧氧化。结果表明，硼酸有利于提高铝合金表面形成的氧化物陶瓷膜硬度，改善其表面光滑度。稳定剂可提高电解液的稳定性，延长其使用寿命。     

pH值对Bi-YIG纳米颗粒尺寸的影响

用共沉淀法制备了铋掺杂的钇铁石榴石(Bi-YIG)纳米颗粒.选择pH值分别为9,10,11和12进行沉淀.通过透射电镜(TEM)观察纳米颗粒的大小、分布,以及前驱体的结构,发现颗粒的尺寸随着pH值的增大而减小,当pH为12时达到最小,粒径在10 nm左右;前驱体的结构在pH值等于9,10和11时成网络状,并随着pH值的增大网络越来越连续,当pH值等于12时前驱体为一个个分散的颗粒.通过对前驱体结构的分析,分别从热力动力学和胶体化学两方面推测了pH值对颗粒大小及尺寸影响的机理.对不同pH值下制备的Bi-YIG纳米颗粒做了X射线衍射(XRD),并分析了pH值对石榴石相合成的影响.     

a-Si∶H/Al/a-Si∶H三层复合膜的低温晶化研究

采用真空热蒸发与PECVD方法 ,在特殊设计的“单反应室双沉积法”薄膜沉积设备中沉积a Si∶H/Al/a Si∶H三层复合薄膜 ,并利用XRD ,XPS及SEM等方法对薄膜在不同温度退火后的晶化行为进行了研究。结果表明 ,随着热处理过程的进行 ,金属Al逐步向表面扩散 ,在金属Al锈导下a Si∶H层出现晶化的温度不高于 2 5 0℃。在Al层厚度低于 2 2nm时 ,a Si∶H向晶态硅转变的量随着Al层厚度的增加而增加 ,而当Al层厚度大于 2 2nm后 ,a Si∶H向晶态硅转变的量与Al层厚度无关     

染料敏化纳米薄膜太阳能电池的研究进展

本文简要地介绍了染料敏化纳米薄膜太阳能电池的结构和原理 ;对其中关键问题 ,如纳米TiO2膜、敏化染料、空穴传输材料的研究进展进行了综述     

液晶光阀的有效对比度及集总模式等效电路分析

本文首次建立了液晶光阀的集总单元模式等效电路及其分析方法，详细研究了液晶光阀的光敏层、液晶层和反射层之间的匹配条件。从结构匹配观点出发，综合考虑了液晶层调制的不镪必须保证随光导层接收信号线性地变化及交变工作电压引起注入信号在传递中的损失这两点，提出了液晶光阀的有铲对比度，确定了为改善器件有效对比度，光阀在使用和加工过程中材料应该满足的条件，给液晶光阀的制备和对比度的提高提供了理论依据。     

溶胶凝胶法制备的PbTiO3薄膜的表面层

利用Ｘ射线光电子能谱研究了溶胶凝胶法制备的ＰｂＴｉＯ３薄膜表面态。结果表明薄膜表面会出现一层在烧结过程中形成的富含ＰｂＯ的非计量的表面层，厚约４０ｎｍ。薄膜经溅射及空气中６００℃热处理后，其表面转化为化学计量比的ＰｂＴｉＯ３。     

pH值对Bi-YIG纳米颗粒尺寸的影响

用共沉淀法制备了铋掺杂的钇铁石榴石(Bi-YIG)纳米颗粒.选择pH值分别为9,10,11和12进行沉淀.通过透射电镜(TEM)观察纳米颗粒的大小、分布,以及前驱体的结构,发现颗粒的尺寸随着pH值的增大而减小,当pH为12时达到最小,粒径在10 nm左右;前驱体的结构在pH值等于9,10和11时成网络状,并随着pH值的增大网络越来越连续,当pH值等于12时前驱体为一个个分散的颗粒.通过对前驱体结构的分析,分别从热力动力学和胶体化学两方面推测了pH值对颗粒大小及尺寸影响的机理.对不同pH值下制备的Bi-YIG纳米颗粒做了X射线衍射(XRD),并分析了pH值对石榴石相合成的影响.     

高氢稀释硅烷加乙烯法制备纳米硅碳薄膜

在等离子体化学气相沉积系统（PECVD）中，使用高氢稀释硅烷（SiH_4）加乙烯（C_2H_4）为反应气氛制备了纳米硅碳（nc-SiC_x：H）薄膜。随着（C_2H_4＋SiH_4）／H_2（X_g）从2％增加到5％时，由于H蚀刻效应的减弱，薄膜的晶态率从48％下降到8％，平均晶粒尺寸在3．5～10nm。当X_g≥6％时，生成薄膜为非晶硅碳（a-SiC_x：H）薄膜。nc－SiC~x：H薄膜的电学性质具有与薄膜的晶态率紧密相关的逾渗行为。本文将对nc－SiC_x：H薄膜的生长机制和晶化机制进行较详细讨论。