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分别以液相包覆法和固相混合法引入助烧剂CuO制备(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7(BZN)陶瓷。采用X线衍射、扫描电镜及电感-电容-电阻测试仪等对其烧结特性、相结构及介电性能进行了研究。液相包覆法可减少助烧剂的加入量从而降低其对陶瓷介电性能的恶化。CuSO4溶液的浓度为0.5mol/L,900℃烧结3h所制得(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7陶瓷的介电常数εr=161,介电损耗tanδ=0.005,τf=-398×10-6/℃(1MHz)。 相似文献
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采用传统固相反应法合成ZnNb2O6陶瓷粉体。系统研究了添加不同含量V2O5对ZnNb2O6陶瓷的烧结特性及介电性能的影响。结果表明:其烧结温度降低到1 050℃,且当V2O5质量分数大于1.0%时有第二相ZnV2O6生成。添加V2O5后ZnNb2O6陶瓷的谐振频率温度系数向0方向偏移。当V2O5质量分数为1.0%的ZnNb2O6陶瓷在1 050℃烧结3h时,其介电性能为εr=28,tanδ=0.000 6,τf=-42.5×10-6/℃(在1 MHz下)。 相似文献
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采用传统固相反应法制备了Cu掺杂的ZnTiNb2O8介质陶瓷,分别对其烧结特性、物相组成、显微结构及微波介电性能等进行了系统研究。结果表明:Cu掺杂及其氧化能显著降低ZnTiNb2O8的烧结温度至950 ℃;Cu掺杂ZnTiNb2O8陶瓷微波介电性能在很大程度上由陶瓷致密度、物相组成和晶粒大小决定;Cu掺杂量为3.0wt.%的ZnTiNb2O8陶瓷在950 ℃烧结3 h具有较好的微波介电性能:εr=30.2,Q×f=27 537 GHz(f=6.774 3 GHz),τf=-57.1 μ℃-1,是极具应用前景的低温共烧陶瓷材料。 相似文献
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以钛酸丁酯为前驱体,冰乙酸和无水乙醇为溶剂,以Fe(NO_3)·9H_2O为掺杂剂,采用水热法制备出Fe掺杂纳米二氧化钛粉体。通过X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和紫外-可见分光光度计(UV-Vis)对样品的晶型结构、微观形貌和光学行为等进行表征,研究水热反应温度、时间、Fe~(3+)的掺杂量对TiO_2粉体的影响。结果表明:随着水热处理时间、温度和Fe~(3+)掺杂量的变化,所得粉体均为锐钛矿相TiO_2纳米粉体,没有出现其他杂相。通过掺杂,XRD射线衍射峰强度有所降低,TiO_2晶粒生长受到抑制,晶粒平均粒径为10 nm左右。Fe~(3+)掺杂量为摩尔分数1%时,纳米TiO_2光吸收强度最强。 相似文献
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研究了BaBi10B6O25掺杂量对CaZrO3陶瓷烧结性能、物相组成、介电性能和微观组织形貌的影响。结果表明,通过掺杂BaBi10B6O25,可使CaZrO3陶瓷的烧结温度由1 500℃降至1 000℃,且无第二相生成,相对密度达98%。当w(BaBi10B6O25)=7.5%时,CaZrO3陶瓷在1 000℃烧结3h获得良好的介电性能:介电常数εr=28,品质因数与频率之积Q·f=8 872GHz,频率温度系数τf=21×10-6/℃。 相似文献
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研究了固相添加CuO对Zn1.8SiO3.8陶瓷的烧结温度、微观结构、相结构及微波介电性能的影响。结果表明,CuO的加入有助于降低Zn1.8SiO3.8陶瓷的烧结温度,Zn1.8SiO3.8陶瓷的烧结温度从1 350℃降到1 000℃。其中掺杂w(CuO)=5%(质量分数)的Zn1.8SiO3.8陶瓷,在1 000℃烧结3h可获得结构致密的烧结体,且微波介电性能达到最佳:介电常数εr=6.5,品质因数与频率之积Q·f=39 373GHz,频率温度系数τf=-48×10-6/℃。 相似文献
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企业计算机系统灾难的发生是多方面的,从计算机数据管理的角度看,小到操作人员的误操作导致系统的破坏、数据库的丢失;中到计算机硬盘的损坏、存储介质的损坏;大到非计算机系统因素如火灾、地震等等。保持业务的持续性是当今用户进行数据存储需要考虑的一个重要方面。采取远程的数据灾难恢复手段,能够提高系统的高可靠性,真正保护业务持续性。 相似文献
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采用化学沉淀法合成了Mn(1–x)S:Ax/ZnS(A:Eu,Pr)纳米晶,其结构为闪锌矿结构,平均粒度约4 nm。荧光光谱表明:Mn(1–x)S:Ax/ZnS(A:Eu,Pr)纳米晶除了ZnS本身的缺陷发光和Mn离子的发光外,还出现了新的掺杂离子的发光峰。对应在575 nm和617 nm处发光峰来自于Eu3+的5D0→7F1和5D0→7F2的跃迁。另外,与纯的Mn(1–x)S:Ax相比,ZnS包覆Mn(1–x)S:Ax后,纳米晶在580nm处的发光性能明显增强。 相似文献