锌硼共掺对铌酸钾钠基压电陶瓷结构和性能影响的研究

采用传统固相制备工艺,在烧结温度960～980℃成功制备了致密度较高、综合电学性能优异的Li0.06(Na0.535K0.48)0.94Nb0.94Sb0.06O3+x%(质量分数)ZnO+B_2O_3(LNKNS-xZB2)无铅压电陶瓷。研究了ZnO+B_2O_3掺杂量对LNKNS-xZB2陶烧结性能、相结构、微观结构及电学性能的影响。结果发现,ZnO+B_2O_3的掺杂不仅改善了LNKNS-xZB2陶瓷的烧结性能,而且改变了陶瓷的相结构,在掺杂量x=1.2～1.6范围内形成四方-正交两相共存的多晶型相界(PPB)。在准同型相界处(x=1.6),陶瓷具有优异的电学性能:压电常数d33、机电耦合系数kp、介电常数εr、机械品质因数Qm、剩余极化强度Pr和相对密度ρr分别为285pC/N,35.4%,954,205,29.5μC/cm~2和96.3%。为铌酸钾钠基压电陶瓷的低温致密化烧结提供了新的思路。     

BaCu(B_2O_5)掺杂对0.4CaTiO_3-0.6(Li_(1/2)Nd_(1/2))TiO_3陶瓷烧结和介电性能的影响

研究了烧结助剂BaCu(B2O5)(BCB)对0.4CaTiO3-0.6(Li1/2Nd1/2)TiO3(CLNT)介质陶瓷的烧结特性、相组成、微观形貌及介电性能的影响。结果表明:添加少量的BCB能使CLNT陶瓷的烧结温度从1300℃降低至1050℃。随着BCB添加量的增加,介电常数下降,频率温度系数向负值偏移。添加4wt%BCB的CLNT陶瓷在1050℃烧结2h,获得了最佳的介电性能:εr=96.5,tanδ=0.017,τf=-13.6ppm/℃,满足高介多层片式微波元器件的设计要求。     

溶胶-凝胶法合成纳米ZnO∶Al的表征及光学性能

以六水硝酸锌和九水硝酸铝分别作锌源和掺杂剂,使用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法合成纳米ZnO∶Al。采用X线衍射(XRD)分析、透射电子显微(TEM)分析、X线光电子能谱(XPS)分析、光致发光光谱(PL)分析等方法对纳米ZnO∶Al进行表征。实验结果表明,Sol-Gel法合成纳米ZnO∶Al颗粒为六方纤锌矿型结构,当前驱体摩尔浓度为0.25 mol/L、热处理450℃和掺杂Al摩尔分数为3%时,样品的结晶性良好;XPS也证实Al~(3+)掺杂进入到ZnO晶体中,样品呈类球形,颗粒大小随前驱体浓度的增大而减小;对应的室温PL光谱上近紫外发射峰和弱蓝光缺陷峰强度都随浓度的增大而减小。     

pH值对共沉淀法制备ZnNb_2O_6粉体性能的影响

以Zn(NO3)2溶液和Nb2O5凝胶为原料,氨水为沉淀剂,采用化学共沉淀法成功合成ZnNb2O6微波介质陶瓷粉体。利用差热分析(DTA)研究了共沉淀前驱体的分解过程,利用XRD跟踪粉体的相演变,TEM对粉体的形貌进行观察,研究了反应pH、煅烧温度对ZnNb2O6粉体物相、粒度的影响。研究发现,煅烧温度在800℃时可合成物相单一的ZnNb2O6,随着溶液pH值的增大,合成的ZnNb2O6粉体晶粒尺寸明显减小。在pH=10,800℃时可合成棒状的,平均粒径尺寸约为100nm的ZnNb2O6粉体。     

ZnS:Cu纳米晶的制备及发光性质

以1-乙基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐离子液体和水的混合液作为反应溶剂,采用油浴锅加热合成了ZnS:Cu纳米晶。分别利用XRD、TEM、荧光光谱仪对其物相、形貌及光学性能进行研究。结果表明:ZnS:Cu纳米晶为立方相闪锌矿结构,平均粒度为25 nm左右。随着反应温度的增加,其荧光强度先增加后降低,在200℃时,ZnS:Cu纳米晶荧光强度最强。随着Cu离子质量分数的增加其荧光强度先增加后降低,当Cu离子质量分数达到2%时,荧光强度达到最强。     

论岩土工程勘察存在问题及完善措施

岩土工程勘察是工程建设的基础，勘察成果报告是工程项目规划、设计、施工等的重要依据，其质量的优劣，直接影响后续建设环节的顺利进行，直接关系到建筑工程质量、投资效益和使用安全。切实保证工程勘察质量，是提高建筑工程质量水平的重要保障。讨论了岩土工程勘察实践中常出现的一些问题，并提出完善措施，供同行参考。     

多晶ZnO纳米粉的制备及发光性能研究

以六水硝酸锌[Zn(NO_3)_2·6H_2O]为锌源,采用溶胶-凝胶法合成多晶氧化锌(ZnO)纳米粉,并通过不同的热处理温度退火来调整ZnO纳米粉的尺寸和形貌。并对多晶ZnO纳米粉的物相、形貌及荧光性能进行分析。研究结果表明:所得样品均为具有六方相纤锌矿结构的多晶ZnO纳米粉;随着热处理温度的升高,多晶ZnO纳米粉的粒径先减小后增大,其发光强度先增大后减小,在450℃条件下,粒径最小为20nm,且均匀,光致发光光谱强度最强位置为469nm,在650℃条件下,粒径最大为82nm,且不均匀,光致发光光谱强度最弱位置为398nm。     

基于改进AdaBoost算法的人脸检测

提出了一种改进的AdaBoost算法,该算法设定漏检一张人脸的代价比误检一张人脸的代价大,然后通过学习使得两类分类错误的代价最小.实验结果表明,此算法能取得更好的学习效果,提高了人脸检测率.     

流延法制备SrBi4Ti4O15压电陶瓷

采用同相法和熔盐法（KCl-NaCl作为熔盐）合成SrBi4Ti4O15陶瓷粉体，用模板晶粒定向技术（TGG）获得具有各向异性晶粒定向排列的SrBi4Ti4O15陶瓷。实验中，着重探讨了流延成型的工艺。分析表明，以预烧温度900℃模板和900℃固相粉体在1200℃烧结合成制得的流延片的取向度（79．52％）较高，定向排列程度较高，但由于实验过程中，添加了大量有机溶剂，所以有许多缺陷存在。以900℃模板在1200℃烧结的流延陶瓷片的介电性能最好.     

BaCu（B2O5）助烧剂对CaO-Li2O-Sm2O3-TiO2微波介质陶瓷介电性能的影响

16CaO-9Li2O-12Sm2O3-63TiO2(CLST)陶瓷的烧结温度接近1 300℃,添加BaCu(B2O5)(BCB)陶瓷粉体使CLST陶瓷的烧结温度降至1050℃.随着烧结温度的升高,样品的体积密度先升高而后趋于稳定,添加质量分数为4?B的CLST陶瓷在1 050℃烧结后得到96%的相对密度.相对介电常数(εr)随着BCB添加量的增大先增大后略有减小.由于液相的存在,介电损耗(tanoδ随着BCB添加量的增大而增大.谐振频率温度系数(tf)与纯CLST陶瓷相比更加近零.添加质量分数为4?B的CLST陶瓷在1 050℃烧结2h后得到良好的介电性能:εr=81,tanδ=0.021,tf=0.5×10-6/℃(1MHz).