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42.
退火温度对AZO薄膜场发射性能的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
以纯度为99.95%、Al2O3为2wt.%的 ZnO-Al2O3金属氧化物为溅射靶材,采用射频(RF)磁控溅射的方法,在玻璃衬 底上制备Al掺杂ZnO(AZO)薄膜,研究其场发射特性和导电性能,并分析了不同的退火温度 对AZO薄膜的形貌、导 电及场发射性能的影响。采用原子力显微镜(AFM)及X射线衍射(XRD)对AZO薄膜表面 形貌与结晶特性 进行测试的结果表明,随着退火温度的升高,AZO薄膜的表面粗糙度随之增大,AZO薄膜的结 晶度变好;场发射 性能研究的结果表明,AZO薄膜的开启电场随着退火温度增加呈先减小后增大的趋势,当 退火温度为300℃时, AZO薄膜样品粗糙度最大,场发射性能最好,开启场强为2.8V/μm, 发光均匀性较好,亮度达到650cd/m2,导电 性能最好,电阻率为5.42×10-4 Ω·cm。 相似文献
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乙肝病毒是引发乙肝的罪魁祸首,目前对乙肝进行诊断的重要手段之一就是乙肝两对半,也就是俗称的乙肝五项。在乙肝两对半中,共有9种常见模式,16种少见模式和7种罕见模式。本文主要对乙肝两对半少见模式中抗-HBs与HBsAg同时呈阳性的情况进行了分析。 相似文献
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颜敏 《湖南工业职业技术学院学报》2002,2(4):39-40
本在传统的线性盈亏分析的基础上,探讨了不确定条件下的线性盈亏的期望利润,标准离差和特定盈亏目标实现的概率,并比较了传统的线性盈亏与不确定条件下的线性盈亏的不同。得出相对风险系与期望利润之间的关系,为不同类型的管理提供决策参考。 相似文献
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介绍了基于RS485总线的远程IO卡在抗辐照测试系统中的实现(主要用于瞬时剂量率抗辐照试验、总剂量抗辐照试验等),包括USB转RS485接口模块、RS485转IO卡控制模块。采用FT232与隔离型RS485驱动器实现USB转RS485;使用32位控制器STM32与RS485隔离型驱动作为远程端IO输出设备。研制的RS485总线IO卡作为抗辐照测试系统的重要组成部分,完成了瞬态剂量率、总剂量试验和中子试验,并得到了测试数据。通过实际抗辐照试验环境验证,该模块具有现场布线要求低,可靠性高的特点,满足应用需求。 相似文献
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为了研究近壁处水流掺气浓度分布的变化规律,通过模型试验研究了不同底坎坎比和不同侧坎坎比组合下掺气保护长度的变化规律,并通过单因素敏感性分析法分析了掺气保护长度对掺气坎坎比变化的敏感性。结果表明:在其他条件不变时,底掺气保护长度随着流量的增大而增大,同时与底坎坎比成正比;随着侧坎坎比增大,底掺气保护长度略有增大的趋势,但影响不大;侧掺气保护长度也随着流量增大而增大,但与底掺气保护长度的机理不尽相同;随着侧坎坎比的增大,侧掺气保护长度总体趋势增大,但影响程度表现为先大后小;虽然侧掺气保护长度对侧坎坎比的敏感性远大于底掺气长度对底坎坎比的敏感性,但底坎坎比却更为重要;合理的掺气设施组合才能有效地提高掺气保护范围。 相似文献
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以纯度为99.95%、Al2O3为2wt.%的ZnO-Al2O3金属氧化物为溅射靶材,采用射频(RF)磁控溅射的方法,在玻璃衬底上制备Al掺杂ZnO(AZO)薄膜,研究其场发射特性和导电性能,并分析了不同的退火温度对AZO薄膜的形貌、导电及场发射性能的影响。采用原子力显微镜(AFM)及X射线衍射(XRD)对AZO薄膜表面形貌与结晶特性进行测试的结果表明,随着退火温度的升高,AZO薄膜的表面粗糙度随之增大,AZO薄膜的结晶度变好;场发射性能研究的结果表明,AZO薄膜的开启电场随着退火温度增加呈先减小后增大的趋势,当退火温度为300℃时,AZO薄膜样品粗糙度最大,场发射性能最好,开启场强为2.8V/μm,发光均匀性较好,亮度达到650cd/m2,导电性能最好,电阻率为5.42×10-4Ω·cm。 相似文献