基于谐波诊断技术和CNN-LSTM的电机故障诊断*

提出一种谐波诊断技术与卷积神经网络(CNN) 长短期记忆神经网络(LSTM)相结合的模型,采用该模型对电机异常、劣化进行诊断。高次谐波是导致电机设备异常、劣化的关键性因素之一,对其进行归纳、总结、验证并提取故障特征值,形成了专家系统,该系统在电机故障诊断已有大量应用,但存在组网复杂、成本高等缺点。因此,CNN-LSTM网络利用各次谐波进行特征提取分析,进而进行诊断,最后与专家系统对比以验证模型的准确率。其中,谐波技术与CNN-LSTM相结合的模型的相关决定系数R2和均方根误差MSE分别在95%以上和0.5%以内,表明以谐波诊断技术为基础的CNN-LSTM网络用于电机故障诊断系统具有可行性,能够提高诊断效率,节约成本。     

胶原纤维与植物纤维复合抄片的物理性能的研究

对植物纤维与胶原纤维的复合材料作了研究。利用机械法将不舍铬皮革固体废弃物处理后与不同的植物纤维复合并研究其物理性能。结果表明，不舍铬皮革固体废弃物经机械法处理后可以制成复合抄片用的胶原纤维浆；胶原纤维与植物纤维复合抄片后，可以提高抄片的物理性能。     

化工安全管理中存在的问题及其应对策略

本文简要分析化工安全管理中存在的问题,进而阐述应对化工安全管理产生问题的策略。通过关于具体管理方面的研究,希望可以为化工企业的发展提供建设性的意见,并且针对具体的管理问题提出对应的解决方法,促进化工企业安全稳定的长期发展。     

氢处理对太阳薄膜材料Mo/CuIn1-x GaxSe2/CdS的影响

将固态源硒化法制备的太阳薄膜材料(Mo／CuIn1-xGaxSe2／Cds)在500℃进行氢处理和氮处理，然后利用XRD、SEM和I-V测试分析了氢处理和氮处理对CuIn1-xGaxSe2薄膜结构、形貌和太阳电池性能的影响。研究表明在500℃的条件下，经过不同时间的氢处理，可以使样品的开启电压减小(特别是经过180min氢处理的样品)，提高了p-n结的性能，从而提高光电转换效率，并可以使样品表面的大颗粒逐渐减少，促进CuIn1-xGaxSe2相的形成，这和I—V性能的测试结果相符合。而氮气的处理对于样品的I—V性能几乎没有影响，这证明了上述性能的提高是由于氢的钝化作用引起的，而非普通的热处理所致。     

热氧化法钝化硅片的少数载流子寿命

用高频光电导衰减法(PCD)研究了热氧化钝化对直拉硅少子寿命的影响.在700～1100℃范围热氧化不同时间(0.5～4h)对直拉硅片表面进行钝化,实验结果表明,在1000℃下热氧化对硅片表面钝化的效果最好;而且发现热氧化1.5h后硅片的少子寿命值达到最大值,接近于其真实值,而随着热氧化时间的延长(＞1.5h)少子寿命将会降低,这是由于直拉硅中过饱和的氧会沉淀下来形成氧沉淀,成为新的少子复合中心.     

单分散闪锌矿型CdSe量子点的合成及表征

采用TOPO辅助油相合成的化学方法制备出单分散的CdSe量子点。通过透射电子显微镜、X射线粉末衍射、粒径分布、紫外-可见吸收光谱和光致发光谱等多种测试手段对产物进行了表征,结果表明,CdSe量子点具有闪锌矿型(立方)晶体结构、粒径均匀、尺寸分布窄、发光性能良好的特点。此外,对闪锌矿型CdSe量子点的形成进行了初步分析。     

史玉柱“退隐”是受商业直觉牵引

史玉柱要"荣休"了。史玉柱以他一贯的直率性格说,他辞任CEO并非为了"作秀",言下之意和马云有所不同,自己是"真退"。以资历论,从上世纪80年代就在中关村以巨人汉卡发迹,到2004年创办巨人网络,一头扎进网络游戏淘金潮里,刚刚过50周岁的史玉柱,的确已经到了"知天命"的时候了——在国内整个网络游戏行业开始进入盘整和增长停滞的这一敏感时期,他退隐江湖与其说是一种姿态,倒不如说受他一贯敏锐的商     

对黄河筑堤土方压实几个问题的探讨

黄河大堤是黄河下游防洪工程体系的主要组成部分，多年来黄河筑堤立方施工在挖装运方面有很大改进和提高，由以往人力挑抬为主，现已发展为机械为主，由手推车发展为铲运机。挖掘机及自卸汽车等，但在土方压实方面仍沿用传统的技术设备及方法，没有大的改进与创新。本文对有关筑堤压实中的几个问题进行了探讨。1土方压实质量控制指标现行黄河土方工程施工及验收规程规定：一般筑堤工程压实后的干密度不得小于1．5t／m’，单元工程压实质量干密度合格率l、11级工程不低于85％一90O，Ill级不低于80O～85％。黄河大堤绵延上千公里，沿黄两岸…     

热处理气氛对直拉硅单晶中体缺陷的影响

研究了五种不同的热处理气氛对直拉硅中氧沉淀及其诱生缺陷的影响.实验结果表明,经过低-高退火处理的硅片继续在五种不同的气氛中高温退火,氧沉淀会部分溶解,其溶解量与热处理气氛没有明显的关系,但不同气氛中处理的硅片中体缺陷(BMDs)的分布不同.并对此现象的机理进行了讨论,认为热处理气氛影响了硅片中点缺陷的分布从而影响到BMDs的分布.此研究对集成电路生产中内吸杂工艺的保护气氛的选择有指导意义.     

直拉硅中氧沉淀的TEM研究

论述了使用透射电镜来研究氧沉淀的形态与热处理温度和时间的关系.对氧沉淀的生成动力学,研究的现状和存在的问题以及发展前景也进行了讨论.