氢气退火对大直径直拉硅单晶中空洞型缺陷的影响

研究了氢退火对大直径直拉硅单晶中空洞型缺陷(voids)的影响.样品在1050～1200℃范围进行氢退火,退火前后样品上的流水花样缺陷(FPD)和晶体原生粒子(COP)在腐蚀后分别用微分干涉光学显微镜和激光记数器进行观察.实验结果表明在氢退火以后,FPD缺陷的密度随温度升高不变,而样品上的COP密度大量减少.分析可知,氢气退火仅仅消除了硅片表面的voids,而对于硅片体内的voids不产生影响,并在实验的基础上,讨论了氢退火消除voids的机理.     

大直径直拉硅中氮对原生氧沉淀的影响

研究了在大直径直拉硅单晶中掺氮(N)对原生氧沉淀的影响.通过高温一步退火(1050℃)和低-高温两步退火(800℃+1050℃)发现在掺N直拉(NCZ)硅中氧沉淀的行为与一般直拉(CZ)硅是大不相同的,经过高温一步退火后,在氧化诱生层错环(OSF-ring)区氧沉淀的量要小于空洞型缺陷(voids)区,而经过低-高温两步退火后,OSF-ring区的氧沉淀量要远远大于voids区.由此可得,在晶体生长过程中,N通过改变硅晶体中空位的浓度及其分布从而改变原生氧沉淀的尺寸和分布.并在此基础上讨论了在大直径NCZ硅中掺N影响原生氧沉淀的机理.     

直拉单晶硅中氧沉淀的高温消融和再生长

重点研究了直拉(CZ)硅中氧沉淀在快速热处理(RTP)和常规炉退火过程中的高温消融以及再生长行为.实验发现,RTP是一种快速消融氧沉淀的有效方式,比常规炉退火消融氧沉淀更加显著.硅片经RTP消融处理后,在氧沉淀再生长退火过程中,硅中体微缺陷(BMD)的密度显著增加,BMD的平均尺寸略有增加;而经过常规炉退火消融处理后,在后续退火过程中,BMD的密度变化不大,但BMD的尺寸明显增大.氧沉淀消融处理后,后续退火的温度越高,氧沉淀的再生长越快.     

直拉硅中氧沉淀的TEM研究

论述了使用透射电镜来研究氧沉淀的形态与热处理温度和时间的关系.对氧沉淀的生成动力学,研究的现状和存在的问题以及发展前景也进行了讨论.     

豫南大别山区野生植物源农药资源及开发利用研究

时豫南大别山区野生植物源农药的资源种类进行了调查.结果表明,该区共有野生植物源农药资源78科154属229种.     

n型补偿直拉单晶硅的电子迁移率

通过霍尔效应测量、二次离子质谱等手段研究了n型硼-磷补偿直拉单晶硅的电子迁移率与掺杂浓度的关系。通过比较迁移率的实验测量值和由Klaassen迁移率模型得到的计算值,发现Klaassen模型适用于掺杂浓度在1018cm-3数量级的补偿单晶硅电子迁移率的计算,但对掺杂浓度在1017cm-3数量级的补偿单晶硅而言则明显高估了电子迁移率。分析认为这是由于该模型未充分考虑低掺杂浓度情形下自由载流子对电离杂质的屏蔽作用由于杂质补偿受到的削弱效应。根据实验结果,修正了Klaassen模型,使之在低掺杂浓度的情况下获得的电子迁移率计算值也与实验值吻合得相当好。     

氢处理对太阳薄膜材料Mo/CuIn1-x GaxSe2/CdS的影响

将固态源硒化法制备的太阳薄膜材料(Mo／CuIn1-xGaxSe2／Cds)在500℃进行氢处理和氮处理，然后利用XRD、SEM和I-V测试分析了氢处理和氮处理对CuIn1-xGaxSe2薄膜结构、形貌和太阳电池性能的影响。研究表明在500℃的条件下，经过不同时间的氢处理，可以使样品的开启电压减小(特别是经过180min氢处理的样品)，提高了p-n结的性能，从而提高光电转换效率，并可以使样品表面的大颗粒逐渐减少，促进CuIn1-xGaxSe2相的形成，这和I—V性能的测试结果相符合。而氮气的处理对于样品的I—V性能几乎没有影响，这证明了上述性能的提高是由于氢的钝化作用引起的，而非普通的热处理所致。     

对黄河筑堤土方压实几个问题的探讨

黄河大堤是黄河下游防洪工程体系的主要组成部分，多年来黄河筑堤立方施工在挖装运方面有很大改进和提高，由以往人力挑抬为主，现已发展为机械为主，由手推车发展为铲运机。挖掘机及自卸汽车等，但在土方压实方面仍沿用传统的技术设备及方法，没有大的改进与创新。本文对有关筑堤压实中的几个问题进行了探讨。1土方压实质量控制指标现行黄河土方工程施工及验收规程规定：一般筑堤工程压实后的干密度不得小于1．5t／m’，单元工程压实质量干密度合格率l、11级工程不低于85％一90O，Ill级不低于80O～85％。黄河大堤绵延上千公里，沿黄两岸…     

河南省固始县陶瓷商家分布图

信合集美建材市场 商家／品牌名称：樵东陶瓷 联系人：游党云