史玉柱“退隐”是受商业直觉牵引

史玉柱要"荣休"了。史玉柱以他一贯的直率性格说,他辞任CEO并非为了"作秀",言下之意和马云有所不同,自己是"真退"。以资历论,从上世纪80年代就在中关村以巨人汉卡发迹,到2004年创办巨人网络,一头扎进网络游戏淘金潮里,刚刚过50周岁的史玉柱,的确已经到了"知天命"的时候了——在国内整个网络游戏行业开始进入盘整和增长停滞的这一敏感时期,他退隐江湖与其说是一种姿态,倒不如说受他一贯敏锐的商     

重掺杂直拉硅单晶氧沉淀及其诱生二次缺陷

研究了重掺杂直拉硅单晶中掺杂元素硼、磷、砷、锑对氧沉淀及其诱生二次缺陷行为的影响 .实验结果表明 :重掺p型 (硼 )硅片氧沉淀被促进 ,氧沉淀密度高但无诱生二次缺陷 ;重掺n型 (磷、砷、锑 )硅片氧沉淀受抑制 ,氧沉淀密度低却诱生出层错 ;不同掺杂元素及浓度对重掺n型硅片氧沉淀抑制程度不同 ,并对氧沉淀诱生层错的形态产生影响 .讨论了重掺硅单晶中掺杂元素影响氧沉淀及其诱生二次缺陷的机理 ,并利用掺杂元素 本征点缺陷作用模型和原子半径效应模型对实验结果进行了解释 .     

硅基Zn2SiO4:ZnO薄膜的电致发光

利用溶胶-凝胶法在重掺硼硅片(p-Si)上制备Zn2SiO4∶ZnO(ZnO嵌入Zn2SiO4基体)薄膜,在此基础上,制备了Zn2SiO4∶ZnO薄膜发光器件。实验表征了Zn2SiO4∶ZnO薄膜的晶体结构和形貌,并研究了该器件的载流子输运和电致发光特性。研究表明:器件表现出一定的整流特性;此外,器件在正向偏压(p-Si接正极)下可以产生来自于ZnO的电致发光,而在反向偏压(p-Si接负极)下几乎不发光。通过对上述器件在正向和反向偏压的能带图进行分析,对其载流子输运和电致发光机理进行了解释。     

300mm掺氮直拉硅片的原生氧沉淀径向分布

采取从某一温度(600～1000℃)开始缓慢升温至高温(1150℃)并保温若干时间的方法,使得直拉Si片中大于起始温度对应的氧沉淀临界尺寸的那一部分原生氧沉淀得以长大,然后通过傅里叶红外光谱测量氧浓度变化以及利用扫描红外显微术测量氧沉淀密度.通过这样的方法,定性地研究了300mm掺N直拉Si片的原生氧沉淀的径向分布.研究表明:氧沉淀异常区域(称为P区)的原生氧沉淀密度显著高于空位型缺陷区域(称为V区);此外,V区中的原生氧沉淀的尺寸分布是不连续的,表现为高温下形成的大尺寸原生氧沉淀和低温下形成的小尺寸氧沉淀,而P区中的原生氧沉淀的尺寸分布则是连续的.我们从直拉Si晶体生长过程中原生氧沉淀的形成机制出发,对上述结果做了定性的解释.     

化工安全管理中存在的问题及其应对策略

本文简要分析化工安全管理中存在的问题,进而阐述应对化工安全管理产生问题的策略。通过关于具体管理方面的研究,希望可以为化工企业的发展提供建设性的意见,并且针对具体的管理问题提出对应的解决方法,促进化工企业安全稳定的长期发展。     

重掺硼直拉硅片中流动图形缺陷的显示

本文针对重掺硼直拉单晶硅片中流动图形缺陷(FPDs)的显示进行了一系列实验,得到了一种能够腐蚀出重掺硼硅片中FPDs的Secco腐蚀液配方以及清晰显示出FPDs的最佳腐蚀时间.此外,本文就FPD的显示机理进行了探讨.     

快速热处理对直拉硅单晶在模拟CMOS热处理工艺时氧沉淀的影响

本文研究了快速热处理工艺(RTP)在模拟的CMOS热处理工艺中对直拉硅单晶中氧沉淀和洁净区(DZ)的影响.研究表明:在模拟的CMOS热处理工艺之前,应用快速热处理(1250℃,50s)代替常规炉处理(1200℃,2h)消除直拉硅单晶热历史,可以更有效地消融原生氧沉淀.经过CMOS热处理工艺后,硅片的表面存在宽度约为20μm的洁净区(DZ),同时其体内有较高密度的体缺陷(BMD).     

三坐标数控铣床加装数控分度头的改造

针对VMC600数控机床外加工任务的需要,在三轴数控机床工作台上安装数控分度头作为第四轴,改造后的四轴联动加工机床性能稳定、实用可靠,提升了机床的整体性能。     

等高线法计算挖填土方

本文介绍了等高线法在AutoCAD环境下对土方工程中的挖填方量计算的主要算法、步骤和注意事项.本方法可用于土建工程设计建设的各个阶段,有较强的实用性,其应用有利于提高土方工程的计算精度和效率.     

求解串并联系统配置问题的免疫遗传算法

通过对串并联系统配置可靠性问题的分析,提出了基于免疫遗传算法（IGA）求解该问题的方法。在保留基本遗传算法随机全局搜索能力的基础上,借鉴生物免疫机制中抗体的多样性保持策略,大大提高了算法的群体多样性。实验结果表明,免疫遗传算法可有效改善基本遗传算法的未成熟收敛和局部搜索能力差的缺点,具有很好的全局收敛能力,其全局收敛性及收敛速度均得到了提高。